本技術(shù)公開了一種外延生長設(shè)備MO源過濾裝置，包括源瓶、進(jìn)氣管、過渡管、出氣管和過濾器，源瓶上連接有進(jìn)氣管和過渡管，過渡管與出氣管之間連接有過濾器，過濾器包括殼體和過濾網(wǎng)，過濾網(wǎng)設(shè)于殼體內(nèi)部，且與殼體之間為可拆卸連接。本技術(shù)從源頭著手對源...

本技術(shù)公開了一種LED芯片分選頂出裝置，包括分選臺和輸送臺，所述分選臺內(nèi)表面的中端開設(shè)有預(yù)留孔，且預(yù)留孔的內(nèi)表面固定連接有第二中空桿，所述分選臺的底部且位于第二中空桿的后端固定連接有高壓氣泵，且高壓氣泵的輸出端通過管道與第二中空桿的底部...

本發(fā)明涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種GaN發(fā)光二極管制備方法，包括如下步驟：S1、圖形化藍(lán)寶石襯底上制作外延，包含N?GAN、量子井、P?GAN、GAN超強(qiáng)電流擴(kuò)展層；S2、制作MESA蝕刻出N型區(qū)域；S3、制作ISO將切割道中間部分蝕...

本發(fā)明公開了一種提高發(fā)光效率的LED外延層生長方法，屬于LED制備領(lǐng)域，具體LED外延層生長方法如下：在LP層或/和HP層之后插入停頓退火層，即LPR停頓退火層/和HPR停頓退火層；且LPR停頓退火層的生成溫度、H<subgt;2...

本發(fā)明公開了一種反極性發(fā)光二極管及其制備方法，發(fā)光二極管包括襯底、鍵合層、鏡面反射層、p型半導(dǎo)體層、多量子阱層和n型半導(dǎo)體層，還包括貫穿于鏡面反射層、p型半導(dǎo)體層和多量子阱層的MESA孔；還包括p電極和設(shè)置在MESA孔內(nèi)的n電極。本發(fā)明...

本發(fā)明提出了一種高光效LED結(jié)構(gòu)，通過引入絕緣孔或絕緣島的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，顯著提高了LED的發(fā)光均勻性和電光轉(zhuǎn)換效率。該結(jié)構(gòu)包括MESA圖案的LED基層、特殊處理的絕緣層、透明導(dǎo)電層和電極結(jié)構(gòu)。絕緣層形成島狀或條狀，促進(jìn)電流橫向擴(kuò)展。制備過程...

本技術(shù)公開了一種LED產(chǎn)品刮邊除塵回收裝置，屬于LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，包括機(jī)箱，機(jī)箱內(nèi)設(shè)有將其內(nèi)部分隔成上下兩部分的隔板，隔板上端設(shè)有加工臺，加工臺的正上方設(shè)有刮邊打磨組件，加工臺外周設(shè)有防塵罩，隔板下端設(shè)有集塵罩，集塵罩與防塵罩通過設(shè)在...

本發(fā)明公開了一種提升光學(xué)鍍膜均勻性和產(chǎn)品亮度的方法。該方法通過精確設(shè)計(jì)多層膜反射膜結(jié)構(gòu)，選擇合適的鍍膜材料和嚴(yán)格管控鍍膜過程中的關(guān)鍵參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了光學(xué)鍍膜產(chǎn)品性能的顯著提升。具體步驟包括建立穩(wěn)定的光學(xué)與物理基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)高效反射膜結(jié)構(gòu)，精確測...

本技術(shù)公開了一種低翹曲的復(fù)合襯底發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，屬于LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，包括襯底，襯底背面疊設(shè)有應(yīng)力平衡層，應(yīng)力平衡層為圖形化結(jié)構(gòu)，襯底的正面依次疊設(shè)有緩沖層、uGaN層、nGaN層、電流擴(kuò)展層、應(yīng)力釋放層、多量子阱層、EBL層、p...

本技術(shù)公開了一種高亮度的LED芯片，包括襯底，襯底上依次疊設(shè)有N?Gan層、MQWS層和P?Gan層，P?Gan層上依次疊設(shè)有第一CB層、帶有通孔的ITO電流擴(kuò)散層和P?PAD，P?PAD下端穿過通孔與第一CB層連接，N?Gan層裸露臺...

本申請一種發(fā)光二極管外延的生長方法包括：提供一層襯底，其中，襯底為Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;襯底、Al<subgt;2</subgt;O<subgt;...

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，公開一種紅光Micro發(fā)光二極管的外延片及其制造方法，本外延片包括襯底、緩沖層、N型層、量子阱結(jié)構(gòu)和P型層，緩沖層、N型層、量子阱結(jié)構(gòu)、P型層依次沉積在襯底上；量子阱結(jié)構(gòu)包括未摻雜的第一預(yù)設(shè)量子阱壘層、多個(gè)...

本申請涉一種LED外延的生長方法及結(jié)構(gòu)。該LED外延的生長方法包括：提供一層襯底，其中，所述襯底為Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;襯底或Al<subgt;2</s...

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，公開一種Micro發(fā)光二極管及其制造方法，其中，Micro發(fā)光二極管制造方法包括以下步驟：提供第一基板，在第一基板上生長紅光外延片，在紅光外延片上生長第一結(jié)合層；提供第二基板，在第二基板上生長綠光外延片，在...

本公開涉及LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，公開一種Mini?LED芯片及其制造方法，該方法包括在GaAs基板上依次形成緩沖層、腐蝕停止層、歐姆接觸層、N?電流擴(kuò)展層、多量子阱層和P?GaP層；在P?GaP層遠(yuǎn)離多量子阱層的側(cè)面形成塔形結(jié)構(gòu)；在P?G...

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，公開紅光垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法，該紅光垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu)包括Si襯底、外延結(jié)構(gòu)和電極結(jié)構(gòu)；Si襯底上形成有金屬層，外延結(jié)構(gòu)包括依次堆疊在金屬層上的N型歐姆接觸層、DBR反射層、多...

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種倒裝結(jié)構(gòu)光電器件及其制備方法，倒裝結(jié)構(gòu)光電器件包括透明襯底、粘結(jié)層、p型半導(dǎo)體層、多量子阱層、n型半導(dǎo)體層、DBR反射層、p電極和n電極；DBR反射層包括多對第一反射層和第二反射層的組合，第一反射...

本發(fā)明公開了一種具有改進(jìn)功能層的LED芯片及其制備方法，包括ITO透明導(dǎo)電層和SiO<subgt;2</subgt;/SiN絕緣鈍化層，所述ITO透明導(dǎo)電層和SiO<subgt;2</subgt;/SiN絕緣鈍化...

本發(fā)明公開了一種分bin裝置，包括控制系統(tǒng)、機(jī)架、擺臂、用于放置混合大bin的料盒庫、用于放置新組合bin的收料盒、用于混合大bin或藍(lán)膜或新組合bin轉(zhuǎn)移的機(jī)械臂、吸附范圍可調(diào)節(jié)的吸真空機(jī)構(gòu)和頂出支撐范圍可調(diào)節(jié)的支撐機(jī)構(gòu)。采用該分bi...

本發(fā)明公開了一種用于EL測試系統(tǒng)的穩(wěn)定且無損的外延片電性能測試裝置及方法，包括電流源、與電流源連接的P極測試探針和N極測試電極；P極測試探針為可伸縮式P極測試探針，包括殼體，殼體內(nèi)安裝有導(dǎo)電彈簧，彈簧一端固定在殼體頂端并通過導(dǎo)線連接電流...