本發(fā)明提供一種LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法和LED器件，LED外延結(jié)構(gòu)，其從下向上依次包括襯底、非摻雜半導體層、N型半導體層、多量子阱區(qū)、和P型半導體層，LED外延結(jié)構(gòu)還包括設于多量子阱區(qū)下方的至少一組電子富集層組，于每組電子富集層組內(nèi)，...

本申請?zhí)峁┝艘环NLED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。LED外延結(jié)構(gòu)包括：3D層、UGaN層、多量子阱層MQW和電子阻擋層EBL，所述多量子阱層MQW包括界面過渡層；其中，在所述3D層和所述UGaN層之間設置有第一BN結(jié)構(gòu)層，在所述界面過渡層中設...

本申請?zhí)峁┮环N新型LED芯片制造方法，在外延片中刻蝕出N

本申請示出一種LED外延結(jié)構(gòu)，包括：負極導電層和在負極導電層上外延生長的發(fā)光層；發(fā)光層包括第一側(cè)邊，第一側(cè)邊具有倒置的傾斜坡度，第一側(cè)邊與負極導電層的第一表面形成小于90度的夾角，第一表面為負極導電層的上表面與所述發(fā)光層的下表面之間的未...

本申請公開了一種提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，包括：在藍寶石襯底上通過等離子體增強化學氣相沉積法沉積氧化物層，對氧化物層光刻和腐蝕，得到圖形化藍寶石襯底。之后再通過金屬有機化合物化學氣相沉積法，生長出LED芯片外延片，通過電感...

本申請?zhí)峁┮环N高壓LED芯片的制作方法，本申請實施例中的藍寶石襯底PSS為上下兩層結(jié)構(gòu)，上層為氧化硅SIO2，下層為藍寶石AL2O3。在藍寶石AL2O3圖形化前，在藍寶石AL2O3上沉積一層氧化硅SIO2，然后通過干法刻蝕做出藍寶石襯底...

本發(fā)明提供一種氣體輸運系統(tǒng)及具有其的MOCVD設備，氣體輸運系統(tǒng)包括MO源容器、水浴加熱槽、載氣進氣管和氣源系統(tǒng)，MO源容器設于水浴加熱槽中，其頂端設有進氣端和出氣端，載氣進氣管和氣源系統(tǒng)相連，氣體輸運系統(tǒng)還包括設于水浴加熱槽內(nèi)的進氣加...

本申請示出一種LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法和應用。LED外延結(jié)構(gòu)包括:第一多量子阱發(fā)光層和第二多量子阱發(fā)光層；其中，第一多量子阱發(fā)光層的第一shoes層厚度設置為5埃至20埃；第一well層厚度設置為25埃至40埃，In組分設置為0％至3...

本申請示出一種AlN層及其制備方法，包括：在真空烘箱中對襯底層進行n次加熱處理，其中，將所述襯底層以第一溫度在真空烘箱中處理第一時長，繼續(xù)通過第二溫度在真空烘箱中處理第二時長，直至通過第n溫度在真空烘箱中處理第n時長；n為正整數(shù)；將經(jīng)過...

本實用新型一種水浴裝置及包含其的MOCVD裝置。水浴裝置用于MO源瓶的水浴，包括恒溫水浴槽、導流管、至少一個擴展水浴槽及出水管。恒溫水浴槽設置恒溫組件，導流管設置導流組件，其一端設置于恒溫水浴槽內(nèi)；擴展水浴槽的側(cè)壁上設置出水口，導流管的...

本申請公開了一種增強抗EOS能力的倒裝LED芯片的制作方法，由于在LED制造工藝過程中，第二次電極蒸發(fā)的厚度對電壓亮度的影響不大，為了降低成本，通常選擇將厚度設定在0.5

本申請?zhí)峁┮环N新型制備電極圖形化的方法，通過將去膠液置于加熱和超聲的環(huán)境下，通入CDA氣體后，得到處理溶劑。將電極產(chǎn)品浸泡在處理溶劑中，進行一個預設時長的金屬腐蝕處理，通過金屬腐蝕處理，電極表面達到圖形化的效果，最后將電極產(chǎn)品從處理溶劑...

本發(fā)明提供一種加熱裝置及具有其的MOCVD設備，加熱裝置適用于MOCVD設備，其外輪廓大致呈圓形，并沿其周向分為偶數(shù)個扇形區(qū)；每個扇形區(qū)內(nèi)分為依次交替排布的多個加熱區(qū)和多個空置區(qū)，所述加熱裝置內(nèi)設有加熱元件，所述加熱元件至少覆蓋部分所述...

本申請?zhí)峁┝艘环NLED芯片及其制造方法，解決了LED芯片僅設置絕緣保護層，導致金屬層容易被刮傷問題。本申請?zhí)峁┑腖ED芯片包括：防刮傷層和絕緣保護層；電極層包括第一端面，第一端面為電極層在第一方向上遠離襯底層的端面，第一端面距離襯底層的...

本發(fā)明揭示了一種復合襯底LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述復合襯底LED外延結(jié)構(gòu)包括復合襯底、GaN粗化層、SiN層和GaN覆蓋層，所述復合襯底包括基板和圖形化層，所述圖形化層設置于所述基板上方；所述圖形化層至少包含兩個微結(jié)構(gòu)，相鄰兩個微...

本發(fā)明揭示了一種LED外延結(jié)構(gòu)、LED芯片及LED外延結(jié)構(gòu)制備方法。LED外延結(jié)構(gòu)從下向上依次包括襯底、UGaN層、N型GaN層、應力緩沖層、多量子阱發(fā)光層及P型GaN層。本發(fā)明于外延結(jié)構(gòu)中增加應力緩沖層，可降低底層衍生上來的位錯，提升...

本申請?zhí)峁┝艘环N倒裝MiniLED芯片及其制造方法，其中，包括襯底、N型半導體層、多量子阱層、P型半導體層、鈍化層和阻焊層，N型半導體層設置于襯底上，多量子阱層設置在N型半導體層上，P型半導體層設置在多量子層上，P型半導體層上設有第一擴...

本發(fā)明提供了一種芯片外觀的動態(tài)校正方法、電子設備及可讀存儲介質(zhì)，所述方法包括：對于同一晶片，連續(xù)拍攝多張灰度圖像，所述晶片上分布若干晶粒；自連續(xù)拍攝的多張灰度圖像中獲取至少一張圖像，并對其進行處理形成校驗圖像；自校驗圖像中心開始均勻向外...

本發(fā)明提供一種LED芯片，包括襯底和設于其上的外延層，襯底具有相對的頂面和底面，頂面與外延層相接，襯底內(nèi)設有一連通頂面和底面的通孔，于通孔內(nèi)暴露出外延層；通孔內(nèi)設有第一電極，第一電極具有相對的第一端面和第二端面，第一端面與外延層電性連接...

本發(fā)明揭示了一種LED及其制備方法。一種LED包括襯底、高溫成核層及NGaN層。高溫成核層及NGaN層在襯底上依次生長。本發(fā)明LED的底層結(jié)構(gòu)在高溫成核層上直接生長NGaN層，膜層質(zhì)量明顯變好，并由于增加了底層的摻雜，降低了電壓，可大幅...