本技術公開本技術涉及LED芯片技術領域，具體提出了一種薄膜型倒裝LED芯片。在倒裝LED芯片的P/N焊盤上加厚金屬層，并在焊盤四周填充應力緩沖層，如有機樹脂或硅基氧化物，以緩沖在激光剝離藍寶石襯底及固晶過程中產生的應力。這種設計有效防止...

本技術公開了一種新型分選機頂針裝置，涉及分選機技術領域。本技術,包括呈通孔狀的頂針主體，頂針主體頂部設置有刺破部，頂針主體頂部設置有與頂針主體內聯通的，頂針主體還包括去污機構，去污機構用于去除頂針主體頂部的污垢，刺破部為尖刺物并且以孔洞...

本發明涉及發光二極管技術領域，具體涉及一種高質量LED外延結構及其制備方法，通過新型成核層的設計，能夠形成低密度、高質量的晶核，在隨后的高壓粗化層形成的晶粒密度會更低，晶粒的尺寸也比較大。后續晶粒與晶粒之間愈合的時間就變長，晶粒愈合間界...

本發明提供一種在氮化鎵外延層與藍寶石基板之間形成空隙以便激光剝離的方法，在GaN與藍寶石基板界面形成可控空隙結構。所述空隙結構，可通過在圖案化藍寶石基板上調控外延工藝參數形成，或在平面藍寶石基板上沉積介電材料層，并通過濕法蝕刻、干法蝕刻...

本發明公開了一種輸出電壓可調的LED芯片，包括P?GaN電阻方案和N?GaN電阻方案。在P?GaN方案中，N電極設置在右側P型GaN層上，橋接電極連接右側P型GaN層和N型GaN層，串聯電阻由右側P型GaN層提供；在N?GaN方案中，N...

本發明公開了一種LED發光二極管及其制備方法，涉及一種LED芯片的技術領域，該LED發光二極管包含，置于襯底上的外延層；置于所述外延層的上的電流阻擋層；置于所述電流阻擋層上的透明導電層；置于所述透明導電層的上方的金屬電極層；所述電流阻擋...

本發明公開了一種紅光Micro?LED高光效外延結構，通過在P型AlInP限制層和P型GaP電流擴展層之間引入高能帶橫向擴展層，優化電流分布、減少電子溢流以及增強側壁性能，有效提高了量子效率和光提取效率，同時增強了器件的高溫穩定性和長期...

本發明涉及一種高亮度倒裝LED芯片及其制備方法。該芯片包括透明襯底層、N型層、多量子阱層、P型層、透明導電層、全角度反射結構、DBR和電極。其中，全角度反射結構位于透明導電層上方，呈弧形或圓頂形貌，其與DBR相結合，實現全角度光反射，顯...

本發明公開了一種提升LED芯片亮度的結構，涉及LED芯片領域，尤其涉及通過柵格化光學隔離層并通過DBR與柵格化處理的光學隔離層相結合，增強光提取效率，減少光損耗的技術方案。該結構包括：LED芯片中的量子阱層；位于量子阱層上方的透明導電層...

本發明提供一種高激光剝離良率的Mini/Micro?LED同步刻蝕方法，首先，使用ISO光罩將溝道圖形精確轉移到芯片表面；其次，在ICP刻蝕條件下對隔離外延層進行部分預刻蝕，去除部分外延層厚度，確保刻蝕不會觸及芯片襯底；然后，沉積SIO...

本發明涉及發光二極管技術領域，具體涉及一種倒裝結構發光二極管制備方法。ALD沉積AL<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;前，使用N<subgt;2</subgt;、N&l...

本技術公開了一種帶包裹結構的加熱絲，涉及加熱絲技術領域。本技術,包括包括加熱件，所述加熱件包括加熱區、折彎區和連接區，所述加熱區為局部斷開的環狀并且該斷開處分別設置有所述連接區，所述折彎區連接在所述加熱區和連接區之間，所述連接區的外壁側...

本發明涉及一種用于發光二極體產品的快速熱退火方法，旨在通過優化退火過程中的氣體通入時機與多段式降溫策略，減少制造過程中產生的內應力，并促進晶格缺陷的修復，提升LED產品的電壓穩定性和亮度表現。該方法包括在真空環境中將LED樣品加熱至50...

本技術涉及固體結晶精餾提純領域，具體涉及一種固態MO源的固體結晶精餾提純裝置，包括水浴槽與若干MO源鋼瓶，水浴槽前端固定有控制面板，若干所述MO源鋼瓶通過支撐組件放置在水浴槽內，所述水浴槽兩側均可拆卸安裝有第一振動組件，所述水浴槽內部固...

本發明涉及發光二極管技術領域，具體涉及一種高光效發光二極管外延片生長方法，包括：襯底，在襯底上生長緩沖層，其上生長U_GaN1層，其上生長GR層，其上生長NGaN層及LED全結構層；其中U_GaN1層包括低溫低長速生長的3D1層，其上生...

本技術涉及一種MOCVD隔熱層結構，通過分區域、區塊化的設計，顯著提升了隔熱層的使用壽命和均溫性。該結構包括內圈圓形隔熱層和外圈圓環形隔熱層，內圈被均勻劃分為四面直角扇形區域，而外圈則由四組圓環段構成，每組包含一個大圓環段和一個小圓環段...

一種高光效的LED外延片結構，屬于發光二極管技術領域，包括襯底，依次沉積在襯底上的緩沖層、非故意摻雜層、N?GaN層、阱一層、阱二層、內置EBL層、量子阱發光層、P型電子阻擋層、P?GaN層，非故意摻雜層為U型GaN層，所述內置EBL層...

本技術公開了一種MOCVD加熱絲支架，涉及加熱絲支架技術領域。本技術,包括1.包括支架主體，所述支架主體的頂部設置有若干凸起，所述凸起沿著所述支架主體軸向均勻排布，所述支架主體呈“U”形并且采用鎢鉀材質制成。本技術通過對加熱絲支架材料、...

本技術公開了一種用于EL測試系統的穩定且無損的外延片電性能測試裝置，包括電流源、與電流源連接的P極測試探針和N極測試電極；P極測試探針為可伸縮式P極測試探針，包括殼體，殼體內安裝有導電彈簧，彈簧一端固定在殼體頂端并通過導線連接電流源，另...

本技術公開了一種發光二極管外延結構，包括從下而上依次設置的襯底、電子提供層、發光層和空穴提供層，在所述電子提供層與發光層中間增加微型電容層。所述微型電容層包括一層以上的微型電容結構，所述微型電容結構由GaN：C/GaN：Si結構組成，其...