本發明公開了一種增強型的LED結構，涉及半導體技術領域。本發明包括：第二導電層，所述第二導電層第一表面設有透明導電層，所述透明導電層外側設有銀反光層，且銀反光層與第二導電層相連接，所述透明導電層和所述第二導電層的接觸面為第一表面，所述銀...

本發明公開了一種粗化ITO膜層制備裝置，包括腔體，腔體內部設有離子槍、坩堝、鍍鍋、加熱組件和五組氬氣供應組件，鍍鍋位于坩堝的上方，加熱組件設于鍍鍋外周的腔體內壁上，離子槍位于坩堝及五組氬氣供應組件的一側，五組氬氣分節供應組件均勻間隔分布...

本申請提供一種基板角度調節裝置及濺射機，所述基板角度調節裝置包括：機殼、固定卡扣、傳動組件、伺服電機和控制器；所述機殼為圓柱體結構，所述機殼的表面設置矩形開口，所述傳動組件和所述伺服電機設置在所述機殼內，所述固定卡扣設置于所述矩形開口處...

本申請提供一種降低外延片翹曲程度的方法及裝置，該方法包括在退火步驟之前，采集第一參數對應的第一歷史參數值，以及采集第二參數對應的第二歷史參數值；對第一歷史參數值及第二歷史參數值進行擬合，得到第一參數與第二參數的第一擬合關系；將第二參數的...

本發明公開了一種具有應力釋放層的LED外延結構，包括襯底、以及依次生長于襯底之上的緩沖層、UGaN層、NGaN層、應力釋放層、MQW層、EBL層和P層，所述應力釋放層是由自下而上依次生長的InGaN層、停頓層和GaN蓋帽層重復交疊組成的...

本發明公開了一種MOCVD腔體復機方法，包括以下步驟：S1,對反應腔進行預熱處理；S2，對反應腔內壁進行第一涂層處理；S3，對反應腔內壁進行第二涂層處理；S4，對反應腔內壁進行第三涂層處理；S5，復現外延生長環境，復現一次外延結構生長；...

本技術公開了一種發光二極管的電極結構及發光二極管。其中，一種發光二極管的電極結構包括從上到下依次層疊的探針接觸層、共晶層、結構層、反射層和附著層，探針接觸層的材質為Au或Au與任意一種金屬的合金，其中Au的質量占比大于等于80%，共晶層...

本申請提供一種外延結構及V?pits形成層厚度調整方法，該外延結構至少包括由下至上依次堆疊的第一監控層、V?pits形成層及第一應力釋放層。該方法包括：在當前生產批次結束后，向當前生產批次生產的外延結構持續發射射頻輝光或者離子束；在射頻...

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體發光元件的外延結構及制備方法，該外延結構包括多量子阱層；沉積在多量子阱層上的空穴提供層；空穴提供層包括由下至上依次沉積的第一電子阻擋層、第一SiC層、LTpGaN層、第二電子阻擋層、第二SiC...

本申請提供一種LED芯片及發光二極管，所述LED芯片包括襯底、調光膜、外延層、電流阻擋層、導電層、絕緣反射層和金屬電極，其中：所述外延層、電流阻擋層、導電層、絕緣反射層依次生長在所述襯底的一側，所述金屬電極連接所述外延層；所述調光膜生長...

本技術公開了一種高亮顯示的寬視角Mini?LED芯片結構，包括襯板、設于襯板上側或下側的發光外延層、以及將襯板和發光外延層包覆于內的上下兩層DBR反射層，位于上層的DBR反射層上開設有至少一個通孔。本技術通過在位于上層的DBR反射層上開...

本技術公開了一種具有高可靠性的LED芯片隔離溝槽結構，包括襯板、多個分布于襯板上并依次串聯的子芯粒，每相鄰兩個子芯粒之間設置有溝槽，其特征在于：所述溝槽內設有以降低溝槽與其兩側子芯粒的臺面之間高度的填充體，所述填充體包括至少兩層第一絕緣...

本技術公開了一種倒裝Micro?LED芯片，包括襯底和兩個金屬電極，襯底上依次層疊設置有N?Gan層、多量子阱層、P?Gan層和透明導電層，透明導電層遠離襯底的一側依次層疊設置有第一絕緣層、金屬反射層和第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋金屬反射...

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體發光元件的外延結構及制備方法，該外延結構包括應力釋放層，以及沉積在應力釋放層上的多量子阱層；應力釋放層包括由下至上依次沉積的第一SiC層、LTGaN層、第二SiC層、第一InGaN/GaN超晶...

本發明涉及一種

本發明涉及一種用于

本申請提供一種LED外延薄膜結構。所述結構通過在N型GaN層中間設置調理層，調理層中以AlGaN層為電流擴展層以形成橫向擴展便于載流子的擴散，提高LED器件電流耐受能力。以InGaN層作為湮滅層，緩解晶體生長過程中產生的晶格缺陷、位錯現...

本申請提供一種倒裝高壓芯片的漏電定位方法及系統，所述方法可以在目標倒裝高壓芯片中定位失效單晶，其中，目標倒裝高壓芯片包括多個發光單晶，失效單晶為存在漏電的發光單晶。并對正常單晶執行短路處理，以及向執行短路處理后的目標倒裝高壓芯片施加測試...

本申請提供一種低藍光組分可變光LED外延結構及制備方法，所述外延結構包括襯底；生長于所述襯底之上的緩沖層；生長于所述緩沖層上的N型GaN層；生長于所述N型GaN層之上的多量子阱發光層；生長于所述多量子阱發光層之上的電子阻擋層；以及，生長...

一種LED發光二極管的芯片包括：電流阻擋層包括第一電流阻擋層和第二電流阻擋層，第一電流阻擋層沿外延層的長度方向生長，多個第二電流阻擋層相互間隔的設置在第一電流阻擋層的一端，多個第二電流阻擋層呈預設形狀排布生長；第一電流阻擋層沿遠離第二電...