本實用新型公開了一種新型的LED芯片結(jié)構(gòu)，包括晶圓片，晶圓片上包括MESA層、電流阻擋層、透明導(dǎo)電層、金屬電極層和鈍化層，鈍化層由晶圓片從上到下依次由MESA層、電流阻擋層、透明導(dǎo)電層和金屬電極層刻蝕而成，晶圓片上左右兩側(cè)對稱設(shè)置有連接...

本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種在金屬電極側(cè)向包覆高反射膜提高光效的方法，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟為1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大小；2）CBL：沉積一層SiO

本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種包含不同透光性的新型光學(xué)掩膜版，其制備方法包括以下步驟：a、選取基板；b、在玻璃基板表面鍍鉻金屬膜層；c、鉻膜上涂覆光刻膠；d、通過電子束曝光設(shè)定圖形區(qū)域內(nèi)的光刻膠；e、浸泡刻蝕液；f、去除剩余光刻膠...

本發(fā)明涉及芯片生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種實時監(jiān)測ESD輸出的方法，監(jiān)測方法中的裝置包括ESD放電電源、芯片、ESD監(jiān)控組件和軟體，ESD監(jiān)控組件包括模數(shù)轉(zhuǎn)換單元和電流檢測單元，ESD放電電源與芯片電性連接，ESD放電電源與ESD監(jiān)控組件...

本實用新型公開了掩膜版技術(shù)領(lǐng)域的一種掩膜版清洗裝置，包括底板，所述底板的底部四角均安裝有減震輪，所述底板的上方設(shè)置有開口向上的清洗框架，所述清洗框架的底部四角均固接有與底板固接的支撐腳，所述清洗框架的底部中央均勻安裝有超聲波換能器，所述...

本發(fā)明提供一種新型GaN基LED外延層結(jié)構(gòu)及其制備方法，相較于傳統(tǒng)二級管外延層結(jié)構(gòu)，其N型摻雜GaN層與MQW之間插入應(yīng)力釋放層；通過生長高溫GaN層、AlxGa1?xN層、多周期InyAl1?yN/AlN超晶結(jié)構(gòu)層、AlZGa1?ZN...

本發(fā)明提供了一種倒裝發(fā)光二極管芯片的制作方法，包括如下幾個步驟：1）使用MOCVD生長外延層，從下至上依次是PSS襯底、u?GaN、N?GaN、MQW、P?EBL、P?GaN；2）將外延層清洗干凈之后進行ICP刻蝕，刻蝕出N區(qū)；3）在P...

本實用新型揭示了一種LED芯片，LED芯片包括襯底及位于襯底上的外延結(jié)構(gòu)，襯底為藍寶石襯底，襯底的晶面沿C晶面偏向M晶面或R晶面而形成偏角。本實用新型的LED芯片使用特制的襯底，配合相應(yīng)的工藝條件，在不需要另外制備掩膜的基礎(chǔ)上，生長出類...

本實用新型揭示了一種LED芯片，包括襯底及位于襯底上的LED外延結(jié)構(gòu)，LED芯片還包括位于外延結(jié)構(gòu)上方的透明導(dǎo)電層及鈍化層，透明導(dǎo)電層及鈍化層的至少其中之一上具有若干開槽。本實用新型的透明導(dǎo)電層和/或鈍化層具有開槽，開槽可以改變光的出射...

本實用新型揭示了一種LED光源，LED光源包括發(fā)光單元及波長選擇層，發(fā)光單元包括LED芯片及封裝LED芯片的封裝體，波長選擇層位于發(fā)光單元的發(fā)光路徑上。本實用新型的LED光源可以控制出射光的波長范圍，從而減少抑制植物生長的波段出光，降低...

本實用新型揭示了一種LED芯片，包括襯底、位于襯底上的LED外延結(jié)構(gòu)以及位于LED外延結(jié)構(gòu)中P電極區(qū)域上方的P電極和N電極區(qū)域上方的N電極，LED芯片還包括電流阻擋層，電流阻擋層包括位于P電極區(qū)域及P電極之間的第一電流阻擋層及位于N電極...

本發(fā)明揭示了一種LED芯片及其制造方法，LED芯片包括襯底及位于襯底上的外延結(jié)構(gòu)，襯底為藍寶石襯底，襯底的晶面沿C晶面偏向M晶面或R晶面而形成偏角。本發(fā)明的LED芯片使用特制的襯底，配合相應(yīng)的工藝條件，在不需要另外制備掩膜的基礎(chǔ)上，生長...

本發(fā)明揭示了一種LED光源及其制造方法，LED光源包括發(fā)光單元及波長選擇層，發(fā)光單元包括LED芯片及封裝LED芯片的封裝體，波長選擇層位于發(fā)光單元的發(fā)光路徑上。本發(fā)明的LED光源可以控制出射光的波長范圍，從而減少抑制植物生長的波段出光，...

本發(fā)明揭示了一種LED芯片及其制造方法，LED芯片包括襯底及位于襯底上的LED外延結(jié)構(gòu)，LED芯片還包括位于外延結(jié)構(gòu)上方的透明導(dǎo)電層及鈍化層，透明導(dǎo)電層及鈍化層的至少其中之一上具有若干開槽。本發(fā)明的透明導(dǎo)電層和/或鈍化層具有開槽，開槽可...

本發(fā)明揭示了一種LED芯片及其制造方法，LED芯片包括襯底、位于襯底上的LED外延結(jié)構(gòu)以及位于LED外延結(jié)構(gòu)中P電極區(qū)域上方的P電極和N電極區(qū)域上方的N電極，LED芯片還包括電流阻擋層，電流阻擋層包括位于P電極區(qū)域及P電極之間的第一電流...

本實用新型提供一種用于吸附LED晶片的吸嘴及具有其的分選設(shè)備，所述吸嘴包括軸向連接的吸嘴體和吸嘴頭，所述吸嘴頭用于接觸所述LED晶片并對LED晶片進行吸附；且在所述吸嘴體中設(shè)置有線圈，在所述線圈通電時，所產(chǎn)生的磁場能夠吸附所述吸嘴頭所接...

本實用新型提供一種貼片式LED封裝顆粒，包括封裝體和設(shè)置于封裝體內(nèi)部的LED芯片，其中：在封裝體的表面設(shè)置有若干同圓心的圓環(huán)形正三角形凸起，所述圓心正對所述LED芯片發(fā)光表面的中心，所述三角形凸起的斜面與底面的夾角大于第一夾角值且小于第...

本發(fā)明提供一種貼片式LED封裝顆粒，包括封裝體和設(shè)置于封裝體內(nèi)部的LED芯片，其中：在封裝體的表面設(shè)置有若干同圓心的圓環(huán)形正三角形凸起，所述圓心正對所述LED芯片發(fā)光表面的中心，所述三角形凸起的斜面與底面的夾角大于第一夾角值且小于第二夾...

本發(fā)明提供一種用于吸附LED晶片的吸嘴，所述吸嘴包括軸向連接的吸嘴體和吸嘴頭，所述吸嘴頭用于接觸所述LED晶片并對LED晶片進行吸附；且在所述吸嘴體中設(shè)置有線圈，在所述線圈通電時，所產(chǎn)生的磁場能夠吸附所述吸嘴頭所接觸的LED晶片。從而在...