本發明揭示了一種長條形發光二極管的切割方法及長條形發光二極管。所述切割方法包括：提供長條形發光二極管晶圓片，所述晶圓片包括襯底、形成于所述襯底上的發光結構以及圖形化制作于所述發光結構上的芯片，所述芯片周邊具有切割道；紅外激光切割所述切割...

本發明揭示了一種長條形發光二極管的切割方法及長條形發光二極管。所述切割方法包括：提供長條形發光二極管晶圓片，所述晶圓片包括襯底、形成于所述襯底上的發光結構以及圖形化制作于所述發光結構上的芯片，所述芯片周邊具有切割道；紅外激光切割所述切割...

本發明揭示了一種石墨盤，所述石墨盤的正面各區域的熱輻射吸收率不完全相同，所述各區域的熱輻射吸收率反比于所述各區域的受熱值。本發明的石墨盤的正面可根據不同區域的受熱情況設計出不同的熱輻射吸收率，進而針對性地改善某一個或者某一些特定區域的溫...

本發明揭示了一種圖形化襯底、其制備方法及具有其的LED。所述制備方法包括步驟S1：提供一襯底；步驟S2：于襯底上進行第一次蝕刻，得到具有第一圖案的凸起的第一圖形化襯底；步驟S3：于第一圖形化襯底的第一圖案間C面相鄰圖形間底座間隙進行第二...

本發明揭示了一種MOCVD放氣裝置及具有其的MOCVD裝置。MOCVD放氣裝置包括含氧氣體管路及自動控制系統，所述自動控制系統控制所述含氧氣體管路中通入含氧氣體的通入量。本發明增加含氧氣體管路及相關的自動控制系統，實現工藝程序自動控制及...

本發明提供一種圖形化襯底、LED外延結構及圖形化襯底制造方法，圖形化襯底包括基板、緩沖層以及圖形化層；緩沖層設于所述基板之上，圖形化層設于緩沖層背離基板的一側；圖形化層包含多個微結構，相鄰兩個微結構之間間隔一間隙露出緩沖層形成生長區，微...

本實用新型提供一種倒裝Mini LED芯片，倒裝Mini LED芯片依次包括襯底、N型半導體層、多量子阱層、和P型半導體層，P型半導體層包括相互間隔設置的第一P型半導體區和第二P型半導體區，多量子阱層包括分別位于第一P型半導體區和第二P...

本實用新型公開了一種石墨盤烤架,該石墨盤烤架主要包括烤架本體(30)，所述烤架本體(30)上設有置盤溝槽(40),該石墨盤烤架為一體成型式結構,石墨盤烤架可以由一整塊石墨材料切割制成也可以由石英材料制成。采用這種一體成型式結構的石墨盤烤...

本申請提供了一種基于原位熱處理法的LED外延結構及其生長方法，在所述應力釋放層上生長多量子阱有源層，所述多量子阱有源層包括周期交替生長的GaN量子壘層和InGaN量子阱層，且所述InGaN量子阱層由若干層InGaN量子阱層子層組成；通過...

本發明提供一種石墨盤的修復方法及石墨盤，所述石墨盤包括石墨本體和在石墨本體表面沉積的涂層，所述修復方法包括：檢測所述涂層是否存在裂縫；若所述涂層存在裂縫，檢測與所述裂縫對應的所述石墨本體是否出現孔洞；若所述石墨本體上出現孔洞，且當所述孔...

本實用新型提供一種裝載治具及曝光機，所述裝載治具用于裝載待曝光元件，所述裝載治具包括：殼體，所述殼體內設有多個相互間隔的容置部，所述待曝光元件放置于所述容置部中；以及遮光部，所述遮光部疊置于所述容置部的一側，用于遮蓋所述待曝光元件；其中...

本發明揭示了一種微LED及其制備方法。微LED包括襯底、外延層、電流阻擋層、透明導電層、第一金屬pad、第二金屬pad、絕緣層、DBR反射層、第一金屬電極及第二金屬電極。絕緣層設置于所述透明導電層上，且包覆所述透明導電層除去所述第一金屬...

本實用新型提供一種烤箱及可見光通信用LED晶圓片，所述烤箱包括：殼體，所述殼體內部設有腔室；紫外光源，所述紫外光源設置于所述殼體的至少一個表面上，且位于所述腔室內；其中，放置可見光通信用LED晶圓片于所述腔室中，所述紫外光源照射紫外線至...

本發明公開了一種新型的LED芯片結構，包括晶圓片，晶圓片上包括MESA層、電流阻擋層、透明導電層、金屬電極層和鈍化層，鈍化層由晶圓片從上到下依次由MESA層、電流阻擋層、透明導電層和金屬電極層刻蝕而成，晶圓片上左右兩側對稱設置有連接線，...

本發明提供一種倒裝Mini LED芯片及其制造方法，倒裝Mini LED芯片依次包括襯底、N型半導體層、多量子阱層、和P型半導體層，P型半導體層包括相互間隔設置的第一P型半導體區和第二P型半導體區，多量子阱層包括分別位于第一P型半導體區...

本實用新型提供一種LED外延結構和LED器件，LED外延結構，其從下向上依次包括襯底、非摻雜半導體層、N型半導體層、多量子阱區、和P型半導體層，LED外延結構還包括設于多量子阱區下方的至少一組電子富集層組，于每組電子富集層組內，堆疊設有...

本發明揭示了一種LED外延結構、LED芯片及LED外延結構制備方法。所述LED外延結構從下向上依次包括襯底、第一緩沖層、第一UGaN層、剝離保護層、第二緩沖層、第二UGaN層、N型GaN層、多量子阱發光層、P型GaN層。本發明增加剝離保...

本發明揭示了一種CVD管路及具有其的CVD裝置。所述CVD管路用于供應待在CVD工藝中使用的氣體，所述CVD管路壁設置加熱裝置。由于Alkyl H2管路氣體的氣動閥會經常開關，造成Alkyl H2管路內壁上會有MO源附著，故本發明于CV...

本發明揭示了一種固態原材料源瓶及具有其的CVD裝置。固態原材料源瓶用于CVD制程中提供固態原材料，所述固態原材料源瓶具有至少一層鏤空擋板，所述至少一層鏤空擋板懸設于所述固態原材料源瓶的內壁上。本發明于固態原材料源瓶中設置鏤空擋板，載氣會...

本發明公開了一種用于Mocvd反應裝置的鉬罩，包括鉬罩本體，鉬罩本體安裝在Mocvd反應裝置的內腔，且鉬罩本體的安裝高度不低于Mocvd反應裝置中加熱器水平面，鉬罩本體的高度為140?160mm，鉬罩本體的直徑為708?713mm，鉬罩...