根據(jù)本公開實施例的封裝結(jié)構(gòu)包括：封裝襯底；中介層，接合至封裝襯底；第一管芯和第二管芯，通過微凸塊接合至中介層；底部填充物，圍繞微凸塊，設(shè)置在第一管芯和中介層之間以及第二管芯和中介層之間；金屬層，與中介層、底部填充物、第一管芯的側(cè)壁和第二...

提供了半導(dǎo)體器件及其形成方法。半導(dǎo)體器件可以包括：隔離區(qū)域；第一介電層，位于隔離區(qū)域上方；第二介電層，位于第一介電層上方；第一源極/漏極區(qū)域，位于第二介電層中；第一納米結(jié)構(gòu)，位于第一源極/漏極區(qū)域的側(cè)壁上；第一柵電極，位于第一納米結(jié)構(gòu)周...

本公開提供了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，該方法包括：在襯底上方形成包括第一和第二半導(dǎo)體層的堆疊件，其中第一和第二半導(dǎo)體層具有不同組成且彼此交替；圖案化堆疊件以形成有源區(qū)域；形成圍繞有源區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)；在隔離結(jié)構(gòu)上形成硬掩模；在堆疊件上方形成...

在一些實施例中，本公開實施例涉及集成芯片。集成芯片包括具有器件區(qū)域的襯底，器件區(qū)域具有一個或多個半導(dǎo)體器件。襯底具有沿器件區(qū)域的相對側(cè)在襯底內(nèi)形成一個或多個溝槽的一個或多個內(nèi)表面。多層膜堆疊件沿襯底的一個或多個內(nèi)表面設(shè)置。芯材料布置在一...

本技術(shù)實施例涉及一種半導(dǎo)體光子裝置，其包含三維光子集成電路，所述三維光子集成電路包含經(jīng)配置以實施例如卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)CNN或其部分的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的光學(xué)組件。例如，本文描述的半導(dǎo)體光子裝置可包含三維光子集成電路，所述三維光子集成電路包含經(jīng)配置...

在實施例中，方法包括：形成集成電路管芯，形成集成電路管芯包括：在襯底的前側(cè)上方形成互連結(jié)構(gòu)，互連結(jié)構(gòu)包括光子組件和加熱器，襯底包括半導(dǎo)體襯底上方的第一介電層；去除半導(dǎo)體襯底以暴露第一介電層的背側(cè)；在第一介電層的背側(cè)上方形成第二介電層；在...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含通道堆疊物，包含第一通道元件及第二通道元件；柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置圍繞第一通道元件及第二通道元件，并沿第一方向縱向延伸；內(nèi)部間隔件設(shè)置于第一通道元件與第二通道元件之間；以及柵極間隔件設(shè)置于柵極結(jié)構(gòu)上，且與內(nèi)部間隔件相接。在第一...

本申請的實施例公開了一種集成芯片及其形成方法。集成芯片包括光電探測器、傳輸晶體管、第一像素晶體管、電容器、第二像素晶體管和接合結(jié)構(gòu)。傳輸晶體管的第一端子耦合到光電探測器的第一端子。第一像素晶體管位于第一半導(dǎo)體芯片上。第一像素晶體管的第一...

一種方法，包括：在襯底上方形成下部源極/漏極區(qū)；在下部源極/漏極區(qū)的旁邊形成柵極堆疊件；在下部源極/漏極區(qū)上方形成上部源極/漏極區(qū)；實施背面薄化工藝，以薄化襯底并且暴露出犧牲區(qū)；去除犧牲區(qū)以暴露出下部源極/漏極區(qū)；以及形成背面接觸插塞以...

半導(dǎo)體器件包括：多個第一納米結(jié)構(gòu)，在第一源極/漏極區(qū)域之間延伸；以及多個第二納米結(jié)構(gòu)，與多個第一納米結(jié)構(gòu)重疊，多個第二納米結(jié)構(gòu)在第二源極/漏極區(qū)域之間延伸。器件還包括：第一絕緣保護層，與第二納米結(jié)構(gòu)重疊；第一柵極堆疊件，位于多個第一納米...

方法包括：形成包括襯底上方的下部多層堆疊件、下部多層堆疊件上方的介電蝕刻停止層和介電蝕刻停止層上方的上部多層堆疊件的多層堆疊件。方法還包括：蝕刻多層堆疊件以形成對準(zhǔn)標(biāo)記溝槽；對上部多層堆疊件實施第一蝕刻工藝以形成上部多層堆疊件部分；以及...

一種方法包括形成互補場效應(yīng)晶體管，包括形成下源極/漏極區(qū)域，以及在下源極/漏極區(qū)域上方形成上源極/漏極區(qū)域。執(zhí)行蝕刻工藝以蝕刻穿過上源極/漏極區(qū)域并形成接觸開口。蝕刻工藝停止于下源極/漏極區(qū)域的頂面上。該方法還包括：在接觸開口中形成介電...

提供了溝道隔離結(jié)構(gòu)及其形成方法。一種器件包括：多層堆疊件，包括：第一多個納米結(jié)構(gòu)；第二多個納米結(jié)構(gòu)，位于第一多個納米結(jié)構(gòu)上方；以及第一溝道隔離結(jié)構(gòu)。該器件還包括：第一源極/漏極區(qū)，位于第一多個納米結(jié)構(gòu)的相對端上；第二源極/漏極區(qū)，位于第...

半導(dǎo)體器件包括：有源柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在襯底上方；第一源極/漏極部件，設(shè)置在有源柵極結(jié)構(gòu)的兩個相對側(cè)處；介電柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在襯底上方，介電柵極結(jié)構(gòu)和有源柵極結(jié)構(gòu)沿著垂直于襯底的垂直方向彼此堆疊；以及第二源極/漏極部件，設(shè)置在介電柵極結(jié)構(gòu)的兩...

半導(dǎo)體器件，包括：第一襯底；第一鰭，突出在第一襯底之上；第一納米結(jié)構(gòu)，位于第一鰭上方；第一柵極結(jié)構(gòu)，位于第一納米結(jié)構(gòu)周圍；第一源極/漏極區(qū)域，與第一柵極結(jié)構(gòu)相鄰并且接觸第一納米結(jié)構(gòu)的第一子集；第一介電結(jié)構(gòu)，位于第一源極/漏極區(qū)域和第一鰭...

器件包括襯底上方的多個納米片、鄰近多個納米片的源極/漏極部件，以及設(shè)置在多個納米片上方且位于相鄰納米片之間的柵極結(jié)構(gòu)。柵極間隔件設(shè)置在柵極結(jié)構(gòu)頂部的相對側(cè)的側(cè)壁上方。內(nèi)部間隔件在第一方向上介于多個納米片中相鄰納米片的橫向端部之間，并在第...

在相同襯底上方形成互補場效應(yīng)晶體管(CFET)和納米結(jié)構(gòu)場效應(yīng)晶體管(NSFET)以形成半導(dǎo)體器件。CFET通過將晶體管垂直堆疊在一起實現(xiàn)高晶體管集成密度，并且可以適合于實施先進邏輯電路。NSFET實現(xiàn)高驅(qū)動電流，并且可以適合于高性能單...

本發(fā)明的實施例提供了一種光集成電路器件。用于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的電子與光集成電路器件在光集成電路中執(zhí)行模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)或數(shù)模轉(zhuǎn)換(DAC)的各個方面。DAC可以使用光調(diào)制器來執(zhí)行。每個光調(diào)制器接收共同表示輸入值或核權(quán)重的多個電輸入信號。電輸...

一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，半導(dǎo)體裝置包括一第一轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)、一第二轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)及一第一波導(dǎo)部分。該第一轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)用以調(diào)變一光學(xué)光以產(chǎn)生一第一經(jīng)調(diào)變光。該第二轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)用以調(diào)變該第一經(jīng)調(diào)變光以產(chǎn)生一第二經(jīng)調(diào)變光。該第一波導(dǎo)部分用以使該第一經(jīng)...

一種記憶體電路及操作具有記憶體陣列的記憶體裝置的方法，記憶體電路包含一記憶體陣列，該記憶體陣列包括多個記憶體單元。該記憶體電路包含耦接至一銷及一控制線的一低通鎖存器(LL)，其中該控制線攜載一時脈信號。該記憶體電路包含耦接至該LL、該控...