本申請公開了半導體器件及其形成方法。形成半導體器件的納米結構晶體管的源極/漏極區域，使得空腔從源極/漏極區域的頂部延伸到源極/漏極區域中。在一些實現方式中，該空腔完全地延伸穿過源極/漏極區域的深度。該空腔由源極/漏極區域的一個或多個外延...

本申請的實施例公開了用于集成電路設計的方法、系統以及計算機程序產品。方法至少部分地由至少一個處理器執行，并且包括生成與IC器件的IC原理圖相對應的集成電路(IC)布局。IC器件包括沿IC器件的厚度方向布置在多個水平的半導體器件。對于半導...

一種半導體裝置及其制造方法。制造半導體裝置的方法包括形成交替層堆疊包括沿著垂直于交替層堆疊的界面的第一方向堆疊的第一半導體層與第二半導體層。對交替層堆疊進行圖案化以形成鰭片結構，鰭片結構具有沿著第一方向的高度、沿著垂直于第一方向的第二方...

本申請的實施例公開了存儲器器件、半導體器件及其制造方法。存儲器器件包括具有第一側和第二側的襯底；形成在第一側上的第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管，第一至第四晶體管均形成有p型導電性；形成在第一側上并在第一至第四晶體管上方的...

提出了8T?CFET?SRAM來實施并行加權求和操作，以加速推理過程。電路包括：存儲器陣列，包括存儲器單元，存儲器單元的每個包括多個晶體管，并且耦合至第一字線和第二字線，并且配置為接收第一數據元素，存儲第二數據元素，并且提供第一數據元素...

提供的實施例是半導體器件，包括第一器件。第一器件包括：第一突起，突出在襯底上方；第一納米結構，包括第一半導體材料并且設置在第一突起上方；第一外延延伸區域，設置在第一納米結構的第一側壁上；第一柵極結構，包括位于第一納米結構和第一突起之間的...

本申請的實施例公開了半導體器件及形成存儲器器件的方法。半導體器件包括具有第一側和第二側的襯底；第一晶體管和第二晶體管，形成在第一側上的第一層級中；第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管，形成在第一側上的第二層級中；形成在第二側上...

本公開的實施例提供了半導體器件結構及其形成方法。該結構包括設置在第一區域中的第一半導體層、設置在第一區域中的第一半導體層上方的第二半導體層、設置在第一區域中的第一半導體層和第二半導體層之間的第一柵電極層、與第一區域中的第一柵電極層相鄰設...

一種半導體結構，包含第一晶體管，第一晶體管包含第一通道層及第一柵極結構；半導體結構還包含第二晶體管，第二晶體管包含第二通道層及第二柵極結構；半導體結構還包含接合結構，垂直位于第一晶體管與第二晶體管之間，接合結構包含第一介電接合層，附接至...

本公開的實施例提供了半導體器件結構及其形成方法。結構包括設置在第一區域中的第一半導體層以及圍繞第一區域中的第一半導體層的第二半導體層。第一半導體層和第二半導體層包括不同的材料。結構還包括圍繞第二半導體層的部分的第一柵電極層、電連接至第二...

一種納米結構裝置包括第一納米結構堆疊、第二納米結構堆疊、第一柵極結構以及第二柵極結構。第一納米結構堆疊在第一區域中。第二納米結構堆疊在第二區域中。第一柵極結構環繞第一納米結構堆疊。第一柵極結構包括第一柵極介電質以及第一柵極金屬。第一柵極...

通過在RRAM單元上方形成層間電介質期間引入非氧化物電介質層，來保護底部電極免受氧誘導的損傷，來解決使電阻式隨機存取存儲器(RRAM)單元的操作速度獨立于底部電極厚度的問題。非氧化物電介質層可以用作位于圍繞頂部電極的第一間隔件上方的第二...

一種半導體裝置結構，包括第一介電組件、多個諧振器腔壁金屬組件、第二介電組件、以及平的覆蓋金屬層。多個諧振器腔壁金屬組件設置在該第一介電組件中，所述多個諧振器腔壁金屬組件中的各者與延伸至該第一介電組件內的不同的多個諧振器腔中的一者相關聯，...

一種半導體裝置結構。所述半導體裝置結構包括外延結構以及電性連接到外延結構的半導體納米結構。所述半導體裝置結構還包括延伸跨越半導體納米結構的金屬柵極堆疊，且金屬柵極堆疊具有柵極介電層以及柵極電極。所述半導體裝置結構還包括在金屬柵極堆疊以及...

一種垂直相變化記憶體裝置，包含：裝置層；以及位于裝置層上的互連結構，互連結構包含相變化隨機存取記憶體(PCRAM)裝置。相變化隨機存取記憶體裝置包含：位于裝置層上的電極層；位于電極層上的氧化物半導體層；環繞氧化物半導體層的柵極結構；位于...

根據本公開的半導體封裝結構包括：襯底；中介層，通過多個第一類型焊料部件接合至襯底；以及集成電路(IC)管芯，通過多個第二類型焊料部件接合至中介層。中介層包括再分布結構和在再分布結構周圍延伸的密封環結構。多個第二類型焊料部件中的至少一個電...

本公開涉及制造納米壓印光刻復制品及其模具以及半導體器件的方法。制造納米壓印光刻復制品的方法包括在襯底之上沉積第一抗蝕劑層，并選擇性地將第一抗蝕劑層曝光于第一光化輻射。對選擇性曝光的第一抗蝕劑層進行顯影，以在第一抗蝕劑層中形成圖案。第一抗...

本公開涉及半導體裝置及其通信方法。于一或多個實施例中，半導體裝置包含處理電路及N個信號路徑，相應于N個通信通道。處理電路被配置為取得通道缺陷信息，通道缺陷信息指出N個通信通道中的L個有缺陷的通道或N?L個有功能的通道；采用相應于具有M個...

器件包括：襯底；半導體溝道，位于襯底上方；以及柵極結構，位于半導體溝道上方并且橫向圍繞半導體溝道。柵極結構包括：第一介電層，位于半導體溝道上方；第一功函金屬層，位于第一介電層上方；第一保護層，位于第一功函金屬層上方；第二保護層，位于第一...

本公開實施例的一面向關于一種半導體裝置及其形成方法。此半導體裝置包含在基底上方且沿著第一方向縱向延伸的主動區；在基底上方且圍繞主動區的隔離結構；在主動區上方且沿著垂直于第一方向的第二方向縱向延伸的第一柵極結構和第二柵極結構；在主動區上方...