一種存儲器器件包括溝道層。存儲器器件包括柵極結(jié)構(gòu)，位于溝道層第一側(cè)上，其中，柵極結(jié)構(gòu)具有面向溝道層的頂面。存儲器器件包括漏極結(jié)構(gòu)，位于溝道層的與第一側(cè)相對的第二側(cè)上，其中，漏極結(jié)構(gòu)具有面向溝道層的第一底面。存儲器器件包括源極結(jié)構(gòu)，位于溝...

半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體光學(xué)傳感器結(jié)構(gòu)可以包括光子吸收區(qū)域和位于光子吸收區(qū)域上方的抗反射結(jié)構(gòu)(例如，抗反射膜、光柵結(jié)構(gòu))。可以針對半導(dǎo)體光學(xué)傳感器結(jié)構(gòu)調(diào)整抗反射結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)入射光的最小反射。具體地，可以調(diào)整諸如抗反射結(jié)構(gòu)的膜厚度、折射率、光柵高...

存儲器件包括溝道層。該存儲器件包括位于溝道層的第一側(cè)上的柵極結(jié)構(gòu)，其中柵極結(jié)構(gòu)具有面向溝道層的頂表面。該存儲器件包括位于溝道層的與第一側(cè)相對的第二側(cè)上的漏極結(jié)構(gòu)，其中漏極結(jié)構(gòu)具有與溝道層接觸的第一底表面。第一底表面在第一橫向方向上與柵極...

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種集成電路(IC)器件包括隔離結(jié)構(gòu)，該隔離結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體襯底正面沿第一方向在兩個位置之間延伸；晶體管，包括在兩個位置之間延伸的柵極和MD段，并且柵極和MD段是沿第二方向位于兩個位置之間和隔離結(jié)構(gòu)之間的全部柵極和MD段...

描述了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法。該方法包括：在襯底之上形成鰭結(jié)構(gòu)，以及在鰭結(jié)構(gòu)的一部分上沉積一個或多個間隔件。一個或多個間隔件被沉積在鰭結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。該方法還包括：去除一個或多個間隔件的第一部分以露出鰭結(jié)構(gòu)并使鰭結(jié)構(gòu)凹陷。第一副產(chǎn)物層...

本公開涉及混合超聲換能器系統(tǒng)。本公開涉及一種集成芯片結(jié)構(gòu)。該集成芯片結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在襯底上的電介質(zhì)堆疊。集成芯片結(jié)構(gòu)還包括一個或多個壓電式微機(jī)械超聲換能器（PMUT）和一個或多個電容式微機(jī)械超聲換能器（CMUT）。一個或多個PMUT包括設(shè)...

提供一種封裝結(jié)構(gòu)。該封裝結(jié)構(gòu)包括：中介層至少包括第一管芯夾置在第一重布線路層(RDL)結(jié)構(gòu)與第二RDL結(jié)構(gòu)之間。第一管芯包括：元件層，配置在襯底上；電感器元件，配置在元件層上；內(nèi)部RDL結(jié)構(gòu)，配置在電感器元件上；多個導(dǎo)電連接件，配置在內(nèi)...

本技術(shù)涉及光子互連晶片及電子/光子封裝。光子互連晶片可包含基板、介電波導(dǎo)、第一光子耦合器以及第二光子耦合器，介電波導(dǎo)包含核心部分及包覆部分并形成于基板之上，第一光子耦合器形成于介電波導(dǎo)的第一端，第二光子耦合器形成于介電波導(dǎo)的第二端。介電...

提供導(dǎo)電通孔及具有導(dǎo)電通孔的半導(dǎo)體裝置。導(dǎo)電通孔包含：第一端及第二端；第一部分，與第一端相鄰；第二部分，與第二端相鄰；及中間部分，位于第一部分與第二部分之間，其中導(dǎo)電通孔由金屬顆粒組成，第一部分中的金屬顆粒具有第一顆粒大小；第二部分中的...

本申請的實(shí)施例公開了存儲器電路、集成芯片及其操作方法。存儲器電路，包括第一位線、第二位線、第一字線、第二字線、第一存儲器單元、第二存儲器單元、第一感測放大器、第一位線晶體管和第二位線晶體管。第一存儲器單元耦合到第一位線和第一字線。第二存...

本申請的實(shí)施例公開了集成電路器件及其單元區(qū)和形成方法。單元區(qū)包括：第一有源區(qū)(AR)；第一MD結(jié)構(gòu)與貝塔軌道對齊；并且在第一金屬化層中具有與阿爾法軌道對齊的段。對于一個或多個第一或第二位置，第一AR的相應(yīng)區(qū)域可配置為源極區(qū)或漏極區(qū)。對于...

本技術(shù)提供一種集成電路裝置。集成電路裝置包括上方層以及下方層。上方層包括像素單元。每個像素單元包括在光偵測器以及傳輸晶體管，以傳輸在光偵測器處收集的電氣電荷。上方層更包括在上方層的下表面處的第一導(dǎo)電墊。每個第一導(dǎo)電墊承載由像素單元的一個...

一種集成電路及操作集成電路的方法，集成電路包括第一多工器、第二多工輸入、第一時控比較器及第二時控比較器。第一輸入節(jié)點(diǎn)連接至第一多工器的第一多工輸入、第二多工器的第一多工輸入、第一時控比較器的第一比較輸入及第二時控比較器的第一比較輸入。第...

本技術(shù)提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括襯底、在所述襯底上方的器件層、在所述器件層上方的互連線結(jié)構(gòu)、以及延伸穿過所述襯底、所述器件層以及所述互連線結(jié)構(gòu)的第一多個穿孔以及第二多個穿孔。所述器件層包括第一以及第二器件區(qū)。從俯視圖來看，所述第一器件區(qū)...

本公開涉及集成電路器件設(shè)計(jì)方法和系統(tǒng)。一種設(shè)計(jì)集成電路（IC）器件的方法，包括：指定與IC制造工藝相對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)集；使用處理器以通過將設(shè)計(jì)規(guī)則指令應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)集來生成設(shè)計(jì)規(guī)則；生成設(shè)計(jì)規(guī)則手冊（DRM），該DRM是包括設(shè)計(jì)規(guī)則的電子文件；使...

一種用于數(shù)值型數(shù)據(jù)量化及反量化的處理裝置及量化方法。在一或多個態(tài)樣中，一種用于數(shù)值型數(shù)據(jù)量化的處理裝置包括處理電路，其用以自一組數(shù)字的一組數(shù)位表示的一組指數(shù)確定一最大指數(shù)，基于該最大指數(shù)獲得一組縮放后指數(shù)，且執(zhí)行以下操作中的一者：(i)...

提供一種半導(dǎo)體裝置以及其制造方法。制造方法包含以下步驟：將一半導(dǎo)體層圖案化為一通道層，其中該半導(dǎo)體層位于一基板上的一介電層上方；移除該通道層下方的該介電層的一第一部分以轉(zhuǎn)動通道層，使得該通道層的一第一端高于該通道層的一第二端；及在該通道...

方法包括在第一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域上方分別形成第一柵極電介質(zhì)和第二柵極電介質(zhì)，在第一柵極電介質(zhì)和第二柵極介電質(zhì)上方分別形成包括第一部分和第二部分的第一功函層，圖案化第一功函數(shù)以去除第一功函層的第二部分，以及在第一柵極電介質(zhì)和第二柵...

本申請的實(shí)施例公開了半導(dǎo)體器件、級聯(lián)放大器及其形成方法。半導(dǎo)體器件包括：具有第一導(dǎo)電類型的襯底、形成在襯底內(nèi)并具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)、以及基于阱區(qū)形成的第一晶體管。第一晶體管包括柵極接觸件、具有第一導(dǎo)電類型的漏極接觸...

本技術(shù)提供一種模擬單元結(jié)構(gòu)及模擬電路裝置。模擬電路裝置包括包含多個軌道的底部金屬布線層以及包含n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)有源區(qū)和p型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)有源區(qū)、多個多晶硅層和多個金屬擴(kuò)散層的模擬單元。在模擬裝置中，NMOS...