本揭示案的實施例提供了用于形成光學裝置結構的方法。一種示例性方法通常包括：在基板上設置第一材料裝置層；圖案化該第一材料裝置層的一部分以在該第一材料裝置層中形成第一多個裝置結構；在該第一裝置材料層的未圖案化部分上設置第二材料裝置層；在該第...

本文描述的實施方式涉及改善的波導及其形成方法，所述波導利用材料層來改善波導的一或更多個表面區域的光學性質。在一個實施方式中，提供了一種波導。所述波導包括基板；安置在所述基板中或所述基板上的光柵，所述光柵包括由多個溝槽限定的多個結構；安置...

本文的實施方式總體涉及用于太陽能電池應用的基板或晶片的檢驗系統。所述檢驗系統被配置為分析基板或晶片的缺口、開裂和其他缺陷。所述系統包括輸送機設備，并且所述輸送機設備包括一個或多個輸送機元件。所述輸送機元件被配置為運輸寬度在約175mm至...

本技術一般針對垂直動態隨機存取存儲器（DRAM）單元和陣列，以及形成這種單元和陣列的方法，它們包含兩個相鄰溝道之間的共享字線。單元包括沿第一水平方向布置的位線、第一溝道、第二溝道以及在第一溝道和第二溝道之間沿第二水平方向布置的共享字線。...

本文提供的實施例總體包括用于控制等離子體引發和維持的設備、等離子體處理系統和方法。一些實施例是針對用于在等離子體處理系統中處理基板的設備。所述設備總體包括：脈沖電壓（PV）信號發生器，所述PV信號發生器被配置成向等離子體負載提供偏壓信號...

本文描述的具體實施例涉及處理用于形成MIM電容器的高k材料的系統和方法。提供了各種高密度等離子體氮化工藝或高密度等離子體氧化工藝和高密度等離子體氮化工藝的組合。

示例性半導體處理方法可包括將一種或多種沉積前驅物提供到半導體處理腔室的處理區。所述沉積前驅物可為或包括含鎢前驅物。基板可安置在所述半導體處理腔室的所述處理區內。所述方法可包括在所述處理區中形成所述一種或多種沉積前驅物的等離子體。所述等離...

范例半導體處理方法可包括：將含硼及鹵素前驅物及含氧前驅物提供至半導體制程腔室的處理區域。基板可容置于處理區域中。含金屬硬屏蔽材料層可設置于基板上。含硅材料層可設置于含金屬硬屏蔽材料層上。所述方法可包括：形成含硼及鹵素前驅物及含氧前驅物的...

公開了回收和再使用半導體制造化學品的化學前體回收系統和方法。所述回收系統包括與多個冷阱流體連通的冷阱入口管線和冷阱出口管線。所述多個冷阱配置為冷凝所述化學前體并且基于半導體制造處理條件來布置。

提供了用于控制使用射頻(RF)源功率組件所形成等離子體的均勻性的設備及方法，所述射頻源功率組件包括耦接至多電極源組件內安置的兩個或多個電極的一或多個諧振調諧電路。通過消除多個RF產生器及單獨為所述多個電極供電的匹配器達成改進的等離子體均...

提供了一種基板清潔裝置，所述基板清潔裝置包括：軸，所述軸具有外部主體和內部容積，所述軸具有在第一方向上的長度；以及墊載體組件，所述墊載體組件包括：殼體，所述殼體在相對于所述軸的所述外部主體的固定位置連接至所述外部主體，所述殼體具有內部容...

一種監測處理腔室中的基于等離子體的制程的方法包括：在基于等離子體的制程期間量測與處理腔室相關聯的第一位置處的第一溫度；以及基于第一溫度來決定表示與基于等離子體的制程相關聯的第一自由基物質通量的值。方法包括經訓練的機器學習模型以決定表示自...

靜電夾盤(ESC)包括具有第一表面的陶瓷主體，其中在所述第一表面上界定的兩個或多個區域在所述第一表面上相對于彼此同心地布置。每個區域包括在所述第一表面上布置并且界定所述區域的外邊緣的保持環、及在所述第一表面上并且在所述區域內布置的結構，...

一種方法包括將平面化層形成到在電子元件的基礎結構的上部晶體管元件區域下方且在所述基礎結構的下部晶體管元件區域上方的位置。所述基礎結構包括多個特征。所述方法進一步包括：沿著所述基礎結構和所述平面化層形成間隔物材料；修改沿著所述基礎結構的底...

半導體處理的例示性方法可包括將蝕刻劑前驅物提供到半導體處理腔室的處理區域。結構可設置在處理區域內。結構可包括第一含硅材料。結構可包括第二含硅材料、含氧材料、或兩者。方法可包括使結構與蝕刻劑前驅物接觸。與蝕刻劑前驅物的接觸可從結構蝕刻第二...

一種形成互補式場效晶體管(CFET)的半導體結構包括第一共同金屬柵極；第二共同金屬柵極；底部場效晶體管(FET)模塊，所述底部FET模塊包括一對底部共同源極/漏極(S/D)觸點，所述對底部共同源極/漏極(S/D)觸點通過第一底部S/D外...

提供了具有改進的穩定性及字線電阻率的垂直單元動態隨機存取內存(DRAM)數組及形成數組的方法。此等數組包括在第一水平方向上布置的復數個位線及在第二水平方向上布置的復數個字線。此等數組包括在與此第一方向及此第二水平方向大致上正交的垂直方向...

一種方法包括以下步驟：由處理設備，經由圖形用戶界面（GUI），接收用于以第一腔室數據模式檢視與第一工藝腔室相關聯的數據的第一用戶輸入。該第一腔室數據模式的數據包括在該第一工藝腔室中執行的工藝操作的數據。該方法進一步包括以下步驟：回應于接...

描述了沉積納米晶體鉆石膜的方法。此方法可用于集成電路的制造。方法包括用等離子體處理基板以形成經處理基板表面，用富碳等離子體孵育所述經處理基板以使鉆石顆粒在此經處理基板表面上成核，隨后用等離子體處理此基板以形成納米晶體鉆石膜。在此納米晶體...

一種內存裝置，所述內存裝置包括至少一個具有雙柵極結構的晶體管，所述雙柵極結構包括第一柵極金屬及第二柵極金屬，其中所述第一柵極金屬具有小于4.55?eV的功函數，且所述第二柵極金屬具有大于4.55?eV的功函數。亦提供了一種形成所述內存裝...