本公開(kāi)的方法使得能夠形成高導(dǎo)電性觸點(diǎn)，所述高導(dǎo)電性觸點(diǎn)促進(jìn)提高器件速度和降低半導(dǎo)體器件的操作電壓，所述半導(dǎo)體器件諸如但不限于半導(dǎo)體上金屬（MOS）晶體管和類(lèi)似物。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述方法通過(guò)形成金屬?絕緣體?半導(dǎo)體（MIS）接觸結(jié)構(gòu)或...

一種方法包括：使用第一經(jīng)訓(xùn)練的機(jī)器學(xué)習(xí)模型來(lái)處理根據(jù)制造處理所處理的基板的測(cè)量數(shù)據(jù)，以預(yù)測(cè)所述基板的臨界尺寸（CD）分布曲線(xiàn)。所述方法進(jìn)一步包括：基于所述基板的所述預(yù)測(cè)CD分布曲線(xiàn)來(lái)產(chǎn)生CD分布曲線(xiàn)預(yù)測(cè)圖像。所述方法進(jìn)一步包括：使用第二...

典型的旋轉(zhuǎn)圓錐反應(yīng)器系統(tǒng)可包括雙圓錐腔室。該系統(tǒng)可能包括與雙圓錐腔室流體連接的真空源。該系統(tǒng)可能包括旋轉(zhuǎn)組件，用于圍繞中央軸旋轉(zhuǎn)雙圓錐腔室。該系統(tǒng)可能包括氣體注入器，該氣體注入器穿過(guò)旋轉(zhuǎn)組件并與雙圓錐腔室流體連接。氣體注入器的軸可能與中...

于此的實(shí)施例一般涉及半導(dǎo)體制造，且更特別是用于基板處理腔室的氣體擴(kuò)散器。在一實(shí)施例中，氣體擴(kuò)散器包括：至少一個(gè)氣體擴(kuò)散器單元，包括：緊固孔口，穿過(guò)擴(kuò)散板主體的頂表面；第一氣體入口，設(shè)置成距緊固孔口一入口距離；第二氣體入口，設(shè)置成距緊固孔...

本揭示案的實(shí)施例提供了制造滿(mǎn)足PMOS晶體管的壓應(yīng)力要求和NMOS晶體管的拉應(yīng)力要求的電子元件的方法。每個(gè)P金屬堆疊和P金屬堆疊：在位于半導(dǎo)體基板上源極和漏極之間的溝道的頂表面上形成，以及包括納米片溝道層和每個(gè)納米片溝道層之間的溝槽，并...

本文的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體基板清潔腔室。清潔腔室包括部分限定清潔體積的側(cè)壁、在側(cè)壁內(nèi)設(shè)置的基座、及在基座上方設(shè)置的清潔臂。清潔臂包括在清潔臂的噴嘴端上設(shè)置的噴嘴組件。噴嘴組件包括外殼、及在外殼內(nèi)設(shè)置并且具有氣體端口的主體，該氣體端口穿...

本公開(kāi)的實(shí)施例涉及一種實(shí)施提升閥以改變噴嘴橫截面的面板。在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種面板。面板包括主體、主體中的多個(gè)孔、以及多個(gè)提升閥組件。提升閥組件包括提升閥，所述提升閥被配置為在孔的第一部分中行進(jìn)并且在孔的第二部分中產(chǎn)生可變通路。提升...

形成元件的方法包含在基板上形成介電層，此介電層包含限定包括側(cè)壁及底部的間隙的至少一個(gè)特征。此等方法包括在此間隙的此底部上選擇性地沉積自組裝單層(SAM)。此SAM具有通式I至XIX，其中R、R’、R1、R2、R3、R4，及R5是獨(dú)立地選...

描述了一種用于處理基本上豎直地取向的基板的真空沉積系統(tǒng)（100）。真空沉積系統(tǒng)（100）包括：多個(gè)沉積腔室（150），沿主要運(yùn)輸方向（T）成排地布置，并且容納用于在所述基板上沉積包含至少一種有機(jī)材料的層堆疊的多個(gè)真空沉積源（155），其...

本文公開(kāi)了用于將基板夾持在單極靜電吸盤(pán)上來(lái)沉積光刻膠膜的設(shè)備。在一個(gè)示例中，一種升降桿組件包括：第一金屬?gòu)椈桑坏谝唤饘?，所述第一金屬在所述第一金屬?gòu)椈缮戏讲Ⅰ罱拥剿龅谝唤饘購(gòu)椈?；第二金屬?gòu)椈?，所述第二金屬?gòu)椈稍谒龅谝唤饘偕戏讲Ⅰ罱拥?..

提供了在目標(biāo)區(qū)域中具有改進(jìn)摻雜的半導(dǎo)體處理方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。方法包括提供設(shè)置在半導(dǎo)體處理腔室內(nèi)的基板，其中在此基板上形成一或多個(gè)未摻雜目標(biāo)區(qū)域。方法包括使此一或多個(gè)未摻雜目標(biāo)區(qū)域經(jīng)受預(yù)清潔操作，移除存在于此一或多個(gè)未摻雜目標(biāo)區(qū)域上的任何...

一種方法包括由處理裝置接收來(lái)自處理腔室的一或更多個(gè)馬達(dá)的位置誤差數(shù)據(jù)。該方法進(jìn)一步包括執(zhí)行位置誤差數(shù)據(jù)的預(yù)處理。該方法進(jìn)一步包括將位置誤差數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換到頻域。該方法進(jìn)一步包括基于頻域位置誤差數(shù)據(jù)來(lái)確定與處理腔室相關(guān)的振動(dòng)故障已經(jīng)發(fā)生。該方法...

本文的實(shí)施方式描述了一種制造互連結(jié)構(gòu)的方法。所述方法包括在含鎢表面上沉積選擇性鎢層，所述含鎢表面在特征內(nèi)設(shè)置，其中所述特征包括包含介電材料的一或多個(gè)表面，并且所述沉積所述選擇性鎢層導(dǎo)致在所述介電材料上形成殘留物。所述方法亦包括通過(guò)將所述...

一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。提供基板。在基板頂部上形成一組或多組層。在至少一組層頂部上形成補(bǔ)償層。在補(bǔ)償層頂部上形成至少一個(gè)硅層。蝕刻一組或多組層中的一個(gè)或多個(gè)層的至少一部分。形成半導(dǎo)體器件。

本文提供了制造存儲(chǔ)器元件的方法。該方法包括：在基板上形成第一外延層；以及在第一外延層上形成存儲(chǔ)器陣列，該存儲(chǔ)器陣列包括第一外延層上的氧化物材料和金屬材料的交替層的存儲(chǔ)器堆疊，從第一外延層延伸穿過(guò)存儲(chǔ)器堆疊的至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元，以及與至少...

一種表征熱處理腔室的方法可包括使用來(lái)自現(xiàn)有熱處理腔室中的溫度變化率數(shù)據(jù)來(lái)訓(xùn)練模型。監(jiān)督學(xué)習(xí)過(guò)程可基于基板上的沉積輪廓來(lái)標(biāo)記這些變化率數(shù)據(jù)。經(jīng)訓(xùn)練模型可用于表征另一腔室，以確定預(yù)測(cè)性能是否與用于訓(xùn)練該模型的腔室匹配。使用載氣的惰性工藝可用...

提供一種基板支撐組件，所述基板支撐組件包括：基座組件，所述基座組件包括：內(nèi)部部分，所述內(nèi)部部分具有內(nèi)部主體、經(jīng)安置而圍繞所述內(nèi)部主體的外部輪緣，及多個(gè)凹陷部分，每個(gè)凹陷部分相對(duì)于所述內(nèi)部主體的下表面凹陷；以及經(jīng)定位而圍繞所述內(nèi)部部分的外...

示例基板處理系統(tǒng)面板可包括板，板以第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面為特征。第二表面可限定延伸穿過(guò)板的厚度的一部分的多個(gè)凹部。板可限定穿過(guò)板的厚度的多個(gè)孔。每個(gè)孔可延伸穿過(guò)多個(gè)凹部中的一個(gè)凹部的底表面。每個(gè)凹部可具有比延伸穿過(guò)凹部的底表...

一種用于半導(dǎo)體裝置的在該結(jié)構(gòu)的頂表面上具有高介電常數(shù)介電膜的結(jié)構(gòu)可以用于形成由具有減少的介電表面區(qū)域及減少的金屬柱的節(jié)距的混合接合結(jié)構(gòu)所組成的半導(dǎo)體裝置。舉例而言，介電膜的介電常數(shù)可以是約或大于7或8?？梢詫⒔Y(jié)構(gòu)的介電膜與類(lèi)似結(jié)構(gòu)的介電...

描述了一種外延生長(zhǎng)處理腔室，該處理腔室具有部件，該部件具有宏單元支撐結(jié)構(gòu)，該宏單元支撐結(jié)構(gòu)配置有限定流體連通孔隙的互連實(shí)體支撐件。還描述了一種經(jīng)配置用于在外延生長(zhǎng)處理腔室中使用的部件，該部件具有宏單元支撐結(jié)構(gòu)，該宏單元支撐結(jié)構(gòu)配置有限定...