本文所述的實(shí)施例系關(guān)于具有分離輸入耦合器的波導(dǎo)組合器。在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種裝置。該裝置包括第一濾色片以從光的第一部分過(guò)濾出第一色光。該第一濾色片與第一輸入耦合器對(duì)準(zhǔn)。第一波導(dǎo)層設(shè)置在該第一濾色片的下方，該第一輸入耦合器設(shè)置在該第一...

一種方法包括：接收基板的光譜數(shù)據(jù)以及與基板的光譜數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的計(jì)量數(shù)據(jù)。方法進(jìn)一步包括：確定多個(gè)特征模型中的每一者的多個(gè)特征模型配置，多個(gè)特征模型配置中的每一者包括一或更多個(gè)特征模型條件。方法進(jìn)一步包括：確定多個(gè)特征模型組合，其中多個(gè)特征模...

一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的歐姆觸點(diǎn)的方法利用物理氣相沉積膜。在一些實(shí)施方式中，此方法可包含在基板上的III?V族半導(dǎo)體材料中形成至少一個(gè)凹部，在此半導(dǎo)體材料上形成掩模，其中至少此凹部未經(jīng)遮蔽，使用物理氣相沉積(PVD)工藝在此凹部中沉積金...

本文公開了用于形成浮體效應(yīng)減弱的3D動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存元件的方法。在一個(gè)示例中，一種方法可以包括形成在第一方向上堆疊的多個(gè)層，所述多個(gè)層包括在第一氧化層上形成的柵極層，以及在一組柵極氧化層之間的源極/漏極(S/D)層。所述組柵極氧化層可以...

本文所披露的實(shí)施方式包括金屬氧化物光刻膠的后顯影處理的方法。在實(shí)施方式中，一種方法包括在基板之上沉積金屬氧化物光刻膠，通過(guò)極紫外線(EUV)曝光來(lái)暴露金屬氧化物光刻膠以形成已暴露區(qū)域及未暴露區(qū)域，使已暴露的金屬氧化物光刻膠顯影，及對(duì)經(jīng)顯...

公開了包括增材制造工藝的基板支撐件和相關(guān)部件。一個(gè)基板支撐組件包括靜電卡盤；以及冷卻基座，具有第一表面，第一表面用金屬粘合材料粘合到此靜電卡盤的第一表面，冷卻基座包括：陶瓷主體，具有與靜電卡盤基本上相同的熱膨脹系數(shù)；一個(gè)或多個(gè)冷卻通道，...

本公開內(nèi)容的實(shí)施方式包括薄化元件結(jié)構(gòu)及形成薄化元件結(jié)構(gòu)的方法。本文提供的發(fā)明的實(shí)施方式包括使用形成在基底基板上的工程設(shè)計(jì)外延(Epi)層。工程設(shè)計(jì)外延層包括兩個(gè)或更多個(gè)外延層，其各自包括容許兩個(gè)或更多個(gè)外延層的至少一層從其他層被選擇性移...

本公開的實(shí)施例包括一種在半導(dǎo)體基板上形成環(huán)繞式柵極(GAA)接觸結(jié)構(gòu)的方法。方法將包括：從在包括多個(gè)特征的基板的表面中形成的特征的表面移除材料，多個(gè)特征各自包括多個(gè)源極/漏極接觸表面；在多個(gè)源極/漏極接觸表面中的每一者的表面上方選擇性地...

本文提供了三維(3D)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其形成方法。在一些實(shí)施方式中，3D存儲(chǔ)器制造結(jié)構(gòu)包括：基底硅(Si)層；硅鍺(SiGe)層，其設(shè)置在基底Si層上方；以及經(jīng)摻雜的硅(Si)層，其設(shè)置在SiGe層的至少一側(cè)上，其中經(jīng)摻雜的Si層含有摻雜劑...

示例性半導(dǎo)體處理方法可包括使蝕刻劑前驅(qū)物流入半導(dǎo)體處理腔室的處理區(qū)域?；蹇杀蝗菁{在處理區(qū)域內(nèi)。基板可界定含金屬硬掩模材料的暴露區(qū)域和由小于或約4.0的介電常數(shù)表征的材料的暴露區(qū)域。方法可包括使基板接觸蝕刻劑前驅(qū)物。方法可包括移除含金屬...

在一個(gè)實(shí)施例中，一種在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)系統(tǒng)中處理基板的方法包括以下步驟：確定基板相對(duì)于第一承載頭的定向。方法進(jìn)一步包括以下步驟：開始對(duì)與拋光墊接合的基板的表面的拋光處理。方法進(jìn)一步包括以下步驟：在拋光處理期間，使用耦接到拋光墊的至...

一種形成多芯片模塊的方法，包括在介質(zhì)中模制一組芯片，以相對(duì)于每一其他芯片固定每一芯片，基于設(shè)置在所模制的一組芯片內(nèi)的每一芯片上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，映射所模制的一組芯片內(nèi)的芯片的位置和定向，形成互連基板，包括在基底基板上方形成第一互連層，圖案化第...

在此提供用于輸送具有期望的乙硼烷濃度的處理氣體至處理腔室的處理容積的系統(tǒng)與方法。在一實(shí)施例中，系統(tǒng)包括硼烷濃度傳感器。硼烷濃度傳感器包括主體與多個(gè)窗口。在此，多個(gè)窗口的各窗口安置在主體的相對(duì)端且主體與多個(gè)窗口共同地界定單元容積。硼烷濃度...

本文公開了用于控制用于半導(dǎo)體處理的處理腔室中的溫度的設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施方式中，擋板組件經(jīng)配置以引導(dǎo)空氣流從所述處理腔室的蓋的中心至所述蓋的外邊緣。所述擋板組件具有擋板中心，所述擋板中心具有側(cè)表面及底部表面，其中所述底部表面為環(huán)形，具有中心...

敘述用于形成低κ介電材料的半導(dǎo)體處理方法。所述方法可包括提供沉積前體至半導(dǎo)體處理腔室的處理區(qū)。所述沉積前體可包括含硅碳與氫前體?；蹇砂仓迷谒鎏幚韰^(qū)內(nèi)。所述方法可包括形成所述沉積前體的等離子體流出物。所述方法可包括在所述基板上沉積含硅...

一種用于接合前檢查系統(tǒng)的光學(xué)檢查系統(tǒng)，包括其上放置待檢查的樣品的平臺(tái)、傳感器、光學(xué)組件以及控制器，每個(gè)光學(xué)組件包括具有將樣品視場(chǎng)（FOV）引導(dǎo)到樣品的一部分的光學(xué)元件的光學(xué)頭、被配置為以第一傾斜角照射樣品的第一光源、被配置為以第二傾斜角...

基板處理系統(tǒng)包括兩個(gè)或更多個(gè)工藝工具，這些工藝工具包括多個(gè)處理腔室，以執(zhí)行對(duì)應(yīng)的基板處理程序，并且還包括基板運(yùn)輸裝置，用于在兩個(gè)或更多個(gè)工藝工具之間運(yùn)輸基板。該系統(tǒng)進(jìn)一步包括控制系統(tǒng)，以使一個(gè)或多個(gè)第一層在一個(gè)或多個(gè)第一處理腔室中沉積在...

本公開的實(shí)施方式涉及用于基板處理腔室中的包含具有變化尺寸的路徑的排氣框架，及相關(guān)設(shè)備及方法。在一或多個(gè)實(shí)施方式中，處理腔室包括腔室主體、及窗口。所述處理腔室包括一或多個(gè)熱源、基板支撐件、襯墊、及預(yù)熱環(huán)。所述處理腔室包括一或多個(gè)氣體入口、...

本技術(shù)包括垂直單元陣列晶體管（VCAT），其包括在第一水平方向上布置的位線和在第二水平方向上布置的字線。陣列包括溝道，在與第一方向和第二水平方向大體上正交的垂直方向上延伸，使得位線與多個(gè)溝道的源極/漏極區(qū)域相交，字線與多個(gè)溝道的柵極區(qū)域...

本文所提供的本公開的實(shí)施例包括一種用于對(duì)化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)進(jìn)行更高效且有效的工具內(nèi)監(jiān)控的設(shè)備及方法。研磨設(shè)備包括耦接至至少一個(gè)攝影機(jī)的控制器。控制器被配置成自至少一個(gè)攝影機(jī)接收介質(zhì)數(shù)據(jù)串流，將介質(zhì)數(shù)據(jù)串流處理成經(jīng)處理的介質(zhì)數(shù)據(jù)，并基于經(jīng)處...