本公開的實施例提供用于形成子電路（例如子像素電路）的方法。一個示例的子電路大致上包括：設置在基板上方的背板層；設置在所述背板層上方的像素界定層（PDL），所述PDL暴露設置在所述背板層與所述基板上方的陽極；以及設置在所述PDL上方的多個...

一種金屬間隙填充的方法，包括通過等離子體增強原子層沉積，在存在于場上和/或特征開口中的介電層上沉積金屬層，所述方法使用金屬鹵化物前驅物和含有氫及惰性氣體的等離子體；并在場上和開口中直接在金屬層上方沉積金屬間隙填充材料，其中金屬間隙填充材...

描述了一種用于藉由至少一個電子束柱測試封裝基板的方法。方法包括將封裝基板放置在真空腔室中的臺上；藉由至少一個電子束柱測試真空腔室中的封裝基板上的一或多個線路網；以及在測試一或多個線路網的同時使一或多個線路網放電。

所公開的是用于形成3D?NAND設備的字線觸點的方法。方法可以包括：提供交替的第一層和第二層的薄膜疊層；在所述薄膜疊層上形成第一平板印刷掩模；以及執行交替的平板印刷和蝕刻過程的第一系列，以在所述薄膜疊層中形成觸點開口對陣列，其中在每個蝕...

描述了半導體制造處理腔室，其具有在支撐環及噴頭之間的RF隔離器、和/或在噴頭及氣體漏斗之間的RF墊圈。帽插件具有圍繞帽插件的帽外殼，所述帽插件在氣體漏斗上，且RF饋送件與噴頭接觸。可包括基板支撐件且基板支撐件可具有引導穿過基板支撐件的R...

本案揭露了用于快速且有效地檢測晶片中的缺陷的系統和技術，包括具有耦接到晶片載器和裝載閘腔室的工廠接口（FI）的系統。FI包括機器人，機器人從晶片載體取得晶片并將第一晶片移送至對準器裝置。對準器裝置向晶片施加旋轉運動并使用晶片的旋轉運動來...

本公開的實施例提供了一種射頻（RF）回程裝置。一個示例的RF回程裝置通常包括用于連接至腔室主體的支架、連接至支架的蓋、以及連接至蓋并配置為接觸基板支撐的接觸板。使用本文描述的RF回程裝置通常能夠減少RF回程裝置及其各種元件所暴露的溫度，...

一種用于半導體裝置的在頂表面上具有高介電常數介電膜的結構可以用于形成由具有減少的介電表面區域及減少的金屬柱的節距的混合接合結構所組成的裝置。介電膜的介電常數可以是約或大于8。可以將結構的介電膜與類似結構的介電膜混合接合來形成裝置。用于形...

本公開內容涉及用于半導體制造的氣流基板支撐件、處理腔室以及相關方法和設備。在一個或多個實施例中，一種適用于半導體制造的基板支撐件包括：第一外表面；壁架，設置在第一外表面內部并相對于第一外表面凹陷；及凹穴，界定凹穴表面，所述凹穴表面設置在...

本揭露涉及制備涂覆顆粒的方法，該涂覆顆粒包括藥物核心和通過蒸氣相沉積（超循環）施加的無機氧化物涂層。相較于未涂覆的藥物顆粒，這些涂覆顆粒具有修改的藥物釋放曲線。

本技術一般涉及垂直單元陣列晶體管（VCAT）和形成這種VCAT的方法。VCAT包括在第一水平方向上布置的一條或多條位線、在第二水平方向上布置的一條或多條字線、以及一個或多個溝道，所述一個或多個溝道在與第一方向和第二水平方向大體上正交的垂...

一種方法包括獲得串聯太陽能電池裝置的基礎結構，以及使用低損壞濺射沉積(LDSD)工藝在基礎結構上形成透明導電氧化物(TCO)層。LDSD工藝包括旋轉面向濺射沉積工藝。

一種形成全環繞柵極場效應晶體管(GAA?FET)的一部分的方法包括在基板的被淺溝槽隔離(STI)隔離的部分中形成的凹槽中形成預留位置，每個預留位置經由帽層與延伸區域介接，所述凹槽延伸到在基板上形成的層間電介質(ILD)中；相對于基板、帽...

一種用于使含硼硬掩模圖案化的方法包括使在含硼硬掩模上形成的氧化物硬掩模圖案化；及使用此圖案化氧化物硬掩模使此含硼硬掩模圖案化，其中此氧化物硬掩模包含氧化硅(SiO2)，此含硼硬掩模摻雜有一或多種金屬元素，且此含硼硬掩模的此圖案化包含使用...

本文提供利用檢測的混合黏接的方法及設備。在一些實施例中，一種利用檢測的混合黏接的方法包括：經由第一清潔腔室清潔基板，及經由第二清潔腔室清潔具有多個小芯片的帶框；經由第一計量系統在第一計量腔室中檢測基板的黏接前缺陷，及在第二計量腔室中檢測...

示例性處理方法可包括向處理腔室的處理區域提供粉末。所述方法可包括向所述處理區域提供一或更多種沉積前體。所述方法可包括產生所述一或更多種沉積前體的等離子體流出物。所述方法可包括在所述處理區域中的所述粉末上沉積材料層。所述材料層可包括耐腐蝕...

本公開內容提供了波導及其形成方法。所述波導包括多個光柵。該多個光柵包括設置在波導基板上方的光柵結構。所述光柵結構包括光柵深度。波導層設置在該波導基板上方，位于該多個光柵中的每個光柵與該波導基板的邊緣之間。該波導層具有蝕刻深度。該蝕刻深度...

用于接合前檢查的光學檢查系統包括：平臺，具有其上放置待檢查樣品的表面，所述樣品的表面具有帶有可能包括缺陷的二維（2D）周期性圖案的至少部分；包括光學元件的光學頭；暗視場照射器，被配置為以第一角度照射樣品的表面，其中第一角度是傾斜角；明視...

本文提供的公開內容的實施方式包括波導組合器。更具體地，本文描述的實施方式提供了具有波導層及涂層的波導組合器，所述涂層具有在所述涂層上方設置的漸縮部分。波導包括一或多個光柵，所述一或多個光柵包括在波導基板上方設置的多個光柵結構，其中光柵結...

本文描述了制造電子器件的方法。本公開的實施例有利地提供了制造滿足減小的厚度、減少的泄漏、更低的熱預算和Vt要求（包括多Vt）并具有改善的器件效能和可靠性的電子器件（例如，互補場效應晶體管(CFET)）的方法。所述方法的一些實施例包括常規...