所描述的實施例提供具有相位匹配區域的波導組合器。波導包括一個或多個光柵。包括光柵結構的一個或多個光柵設置在波導基板上方。相位匹配區域設置在一個或多個光柵與波導區域之間的波導基板上方。相位匹配區域包括波導層，該波導層具有從波導層的第一端到...

一種用于形成氧化物層的方法包括在形成于基板上的溝槽的側壁上形成保護性層間氧化物，通過利用含氮工藝氣體的等離子體增強原子層沉積(PEALD)工藝在所述保護性層間氧化物上形成氮化硅層，所述氮化硅層具有從遠離所述保護性層間氧化物的高濃度到靠近...

半導體處理的示例性方法可包括將含硅前驅物、含氮前驅物和雙原子氫流入半導體處理腔室的處理區域。基板可以被容納在半導體處理腔室的處理區域內。方法還可以包括形成含硅前驅物、含氮前驅物和雙原子氫的等離子體。等離子體可以在15?MHz以上的頻率下...

本公開內容提供了用于在TFT顯示應用、半導體、或存儲器應用中在含金屬層上執行退火處理的方法。在一個實例中，一種在基板上形成含金屬層的方法包括以下步驟：在處理腔室中的基板上供應含氧氣體混合物，所述基板包括設置在光學透明基板上的含金屬層；將...

用于形成波導的方法和設備。一個示例波導通常包括基板、設置于基板的第一表面上方的第一裝置層、設置于基板的第二表面上方的第二裝置層、設置于第一裝置層上方的第一光柵、和設置于第二裝置層上方的第二光柵，所述第一光柵包括在第一方向上布置的多個第一...

本公開內容提供了一種方法，包括在波導上方沉積鏡，所述波導具有輸入耦合器和輸出耦合器。封裝層沉積在鏡上方。抗蝕劑形成在所述輸入耦合器上方，從而暴露所述封裝層的在非輸入耦合器區域上方的殘余封裝部分。去除所述封裝層的所述殘余封裝部分，從而暴露...

此處所述的實施例涉及具有多通道分離器線軸的氣體管線系統。在這些實施例中，氣體管線系統將包括配置成供應第一氣體的第一氣體管線。第一氣體管線通過在其中流動第一氣體的多個第二氣體管線耦合至多通道分離器線軸。多個第二氣體管線中的各個氣體管線將具...

一種清潔用于電子制造系統的腔室的方法包括使包含氧氣和載氣的氣體混合物流入遠程等離子體產生器中。方法進一步包括通過遠程等離子體產生器由氣體混合物產生等離子體并且通過使等離子體流入腔室的內部體積中來執行腔室的遠程等離子體清潔，其中等離子體從...

一種半導體裝置及其制造方法。提供了一種基板。在基板的頂部上形成至少一個硅層。在至少一個硅層的頂部上形成至少一個硅鍺層。至少一個硅鍺層包括至少一種n型摻雜劑。形成具有至少一個硅層及至少一個硅鍺層的半導體裝置。

示例性半導體處理腔室可包括腔室主體，所述腔室主體具有側壁及基底。所述腔室可包括在所述腔室主體頂上擱置的泵送襯墊。所述泵送襯墊可至少部分界定環形泵送氣室及至少一個排放孔，所述排放孔將所述泵送氣室與所述腔室主體的內部流體耦接。所述腔室可包括...

本文提供了用于使基板對準的基板支撐件的實施例。在一些實施例中，一種用于使基板對準的基板支撐件包括：底板；旋轉組件，所述旋轉組件包括定子和轉子，所述定子耦接到所述底板，所述轉子經由設置在所述定子與所述轉子之間的軸承可旋轉地耦接到所述定子；...

本公開內容的實施例提供用于蝕刻氧化物材料的多種方法。本公開內容的一些實施例提供優先于其他材料而選擇性蝕刻氧化物材料的方法。在一些實施例中，本公開內容的方法是通過原子層蝕刻（ALE）執行。在一些實施例中，本公開內容的方法是在包括鎳腔室材料...

范例處理方法可包括提供用于半導體處理的組件至處理腔室的處理區。此方法可包括提供一或多種沉積前體至所述處理區。此一或多種沉積前體可包括含金屬前體與含氟前體。此方法可包括在所述處理區中用于半導體處理的所述組件上沉積材料層。此材料層包括含金屬...

半導體處理的示例性方法可包括將沉積前驅物提供到半導體處理腔室的處理區。沉積前驅物可包括含硅前驅物和含金屬前驅物。含硅前驅物和含金屬前驅物在到達處理區之前可被流體地隔離。基板可被容納在處理區內。這些方法可包括產生沉積前驅物的等離子體流出物...

半導體處理的示例性方法可包括將沉積前驅物提供到半導體處理腔室的處理區域。所述沉積前驅物可包括含硅和鹵素前驅物和含金屬前驅物。基板可被容納在所述處理區域內。所述方法可包括產生所述沉積前驅物的等離子體流出物。所述方法可包括在所述基板上形成含...

本文提供了具有冷卻板的處理腔室的實施例。在一些實施例中，一種處理腔室包括：腔室主體，所述腔室主體在其中限定內部容積，所述腔室主體具有觀察端口側、泵側和閘門側，所述觀察端口側具有被配置為觀察端口的開口，所述泵側具有泵端口，所述閘門側與所述...

本文公開的示例涉及用于檢查燈尺寸的方法和設備。方法包括確定燈的實際測量結果。燈被配置為在基板處理設備中加熱基板。產生具有寬度和高度的窗口。窗口基于燈的目標測量結果。方法進一步包括：基于實際測量結果的圖像與窗口之間的差產生偏差。將偏差與第...

一些實施方式是針對調諧電路。所述調諧電路通常包括：耦合在所述調諧電路的第一端子與第二端子之間的第一阻抗，其中所述第一端子耦合到產生器，且所述第二端子耦合到負載；耦合在所述調諧電路的所述第一阻抗與參考電勢節點之間的第二阻抗；以及耦合到所述...

茲提供邏輯元件及制造邏輯元件的方法。所述半導體邏輯元件包括：位于基板上之n?通道環繞式柵極(n?GAA)場效晶體管，其與位于基板上之p?通道環繞式柵極(p?GAA)場效晶體管整合，p?通道環繞式柵極(p?GAA)場效晶體管鄰近n?通道環...

本揭示案系關于用于半導體制造的加熱器及相關腔室套件和處理腔室。在一或多個實施例中，一種適用于半導體制造的腔室套件包括加熱器和內襯。加熱器包括弧形加熱器主體，該弧形加熱器主體包括一或多個第一部分、一或多個第二部分以及一或多個連接器部分。加...