本申請提供了一種光學鄰近效應校正方法、系統、終端及介質，所述方法包括獲取光刻掩模版設計圖形的多組初始參數組合，以構成初始種群；其中，所述初始種群中的每一初始個體對應于一組初始參數組合；確定所述光刻掩模版設計圖形的多個優化指標，以基于所述...

本發明提供一種半導體液體攪拌裝置包括驅動單元、旋轉軸、旋轉葉片及輔助攪拌單元，其中，旋轉軸與驅動單元聯動設置，旋轉葉片與旋轉軸聯動設置，管道包括設置于旋轉軸中的第一管道及設置于旋轉葉片中的第二管道，且第一管道與第二管道相連通；噴口設置于...

一種液體輸送管路、濕法處理設備及管路清洗方法，液體輸送管路包括：藥液供應管路，所述藥液供應管路一端為藥液輸入口，另一端為第一出液口；供水旁路管路，與所述藥液供應管路連通，所述供水旁路管路用于向所述藥液供應管路提供流向所述第一出液口的純水...

本申請提供一種輔助遮光模塊及其調節方法、介質、程序和終端，在光刻機的物鏡下方、晶圓上方設置一遮光板，遮光板帶有能夠透光的矩形窗，令矩形窗的長寬比例和當前曝光區域的長寬比例一致，且矩形窗的對角線交點和當前曝光區域的對角線交點處于同一垂直光...

本申請提供一種動態可調的輔助遮光模塊及其調節方法、介質、程序和終端，該遮光模塊疊放于所述掩膜版的上方且二者相互貼合，遮光板由第一擋板、第二擋板的內側邊圍合成窗內透光、窗外遮光的矩形窗結構，將所述矩形窗結構與掩膜版上的曝光區域對齊后，能夠...

本技術實施例提供一種過濾裝置及過濾設備，其中，過濾裝置包括：具有外殼的過濾組件，所述外殼的表面設置有進液口、出液口，以及與所述進液口連通，且位于所述外殼內的傳輸通道；與所述過濾組件連接，存儲研磨液的儲液部；懸設于所述儲液部內，且與所述傳...

本技術提供一種離子注入機，包括：殼體，所述殼體具有加工腔室，以及設置于所述加工腔室底部，承載殘留物的屏蔽板；穿設于所述殼體，且與所述加工腔室連通，提供供保護氣體通過的供氣通道；設置于所述加工腔室內，且與所述供氣通道的出氣端口連通，對所述...

本公開實施例提供了一種磁控濺射鍍膜設備，磁控濺射鍍膜設備包括：驅動件、磁控件以及傳動組件，其中，所述傳動組件包括：主動輪，所述主動輪套設于所述驅動件的驅動軸外，并與所述驅動軸保持相對靜止；從動輪，所述從動輪套設于所述磁控件的轉軸外，并與...

本發明提供一種基于掩模誤差模型優化的光學臨近效應修正方法、系統及終端，通過獲取特定光刻工藝下的大量掩模制造數據，構建涵蓋多個工藝條件的數據樣本集。基于此樣本集，構建物理光學子模型和機器學習子模型，形成掩模誤差模型，用于輸出最終掩模關鍵尺...

本公開提供一種濕化學刻蝕設備，與供液裝置耦接，包括第一管路、第二管路、第一閥門、第二閥門和第三閥門，第一管路，耦接于所述供液裝置與濕化學刻蝕設備的循環區域之間；第一閥門，設置于所述第一管路內，被配置為控制液體流向所述第二管路和/或所述第...

本公開實施例提供一種用于冷庫的消防設備及冷庫系統，其中，消防設備包括：穿設于所述冷庫，提供傳輸路徑的通道，所述通道具有位于所述冷庫內的第二端和所述冷庫外的第一端；與所述通道的第一端連通，提供氣體的供氣裝置，且所述氣體具有預設差動比壓力；...

一種爐管設備及獲取晶圓厚度的檢測方法，設備包括：底座；晶舟，承載于所述底座的上方，且所述晶舟用于承載晶圓；量測感應件，附著于所述晶舟的表面，且所述量測感應件適于發出不同波長的光來獲取晶圓的厚度。通過在爐管設備的晶舟上設置量測感應件，能夠...

本申請實施例提供了一種光刻機鏡頭的供氣系統及半導體制造設備，所述光刻機鏡頭的供氣系統包括：多個空氣凈化設備，包括至少一個第一空氣凈化設備和至少一個第二空氣凈化設備；設置于第一空氣凈化設備的第一化學過濾設備和第二化學過濾設備，第一化學過濾...

本發明實施例提供了一種測試圖形的選取方法、模型生成方法及裝置，包括：獲取測試版圖；測試版圖包括：至少一個候選測試圖形；每個候選測試圖形基于標簽和預設檢測框篩選后得到；標簽用于標記預期對芯片進行測試的圖形，預設檢測框用于提供檢測空間，以對...

本公開實施例提供一種晶圓刻蝕設備及刻蝕系統，其中，所述晶圓刻蝕設備包括：具有腔室的殼體，所述殼體上設置有與所述腔室連通的觀察孔；設置于所述腔室內，承載晶圓的承載臺；設置于所述觀察孔的第一位置處，且與所述觀察孔的內壁密封配合的可視件；設置...

一種半導體結構及其形成方法，半導體結構包括：基底；漂移區，位于基底中，漂移區中具有第一型摻雜離子，漂移區包括多個摻雜離子濃度不同的子漂移區，靠近基底頂面一側的任一子漂移區位于相鄰的另一子漂移區中，且沿基底底面指向基底頂面的方向，各個子漂...

本公開提供一種材料去除率預測模型的建模方法、相關設備及存儲介質，該模型適用于化學機械拋光工藝的材料去除率預測，該方法包括：基于第一半導體器件加工產線的第一產線數據及其對應的材料去除率，建立第一樣本集；將第一樣本集中的至少部分樣本輸入待訓...

本申請實施例提供一種晶圓傳遞單元及晶圓處理設備。本申請實施例提供的晶圓傳遞單元包括：底板；晶圓存儲部，固定在所述底板的頂面上；晶圓承載部，用于承載晶圓，所述晶圓承載部位于所述晶圓存儲部上方，與所述晶圓存儲部之間形成存儲腔；晶圓檢測部，位...

一種晶圓夾緊裝置及半導體設備，在晶圓夾緊裝置工作時，在垂直于晶圓表面的方向上，吸盤為晶圓提供吸力，用于承載晶圓；在平行于晶圓表面的方向上，驅動機構對夾緊元件施加力，夾緊元件在晶圓的徑向方向上移動，使得夾緊元件的豎向表面與晶圓側壁抵接。因...

一種工藝材料的選擇方法及系統、設備、存儲介質和計算機程序產品，方法包括：獲取目標工藝的工藝環境信息；獲取目標工藝的材料選擇范圍；將工藝環境信息與材料選擇范圍進行材料工藝匹配，在材料選擇范圍中獲取與工藝環境信息相匹配的初始材料；根據初始材...