本發明公開了一種主頻補償的高精度鎖相電機轉速控制系統，包括霍爾傳感器、轉速補償模塊、時鐘補償模塊和轉速控制模塊；霍爾傳感器用于檢測電機轉子的位置并轉換為對應的矩形波作為霍爾信號；轉速補償模塊用于根據霍爾信號、控制系統的實時主頻和外部輸入...

本發明屬于集成電路技術領域，具體涉及一種基于shell腳本的三模冗余實現方法；包括：S1：構建時鐘和復位的三模冗余并用DC工具綜合，輸出腳本所需文件；S2：使用shell腳本對腳本所需文件進行處理，得到三種文件；S3：創建三模冗余模塊；...

本發明屬于集成電路領域，涉及分布式放大器，特別涉及一種基于GaN工藝的分布式放大器，包括N級行波管網絡、柵極供電偏置網絡，其中：N級行波管網絡，包括級聯的N個行波管網絡，第N級行波管網絡輸出射頻信號；柵極供電偏置網絡，用于為N級行波管網...

本發明公開了一種原始記錄信息管理系統及管理方法，所述系統包括：工步調用關系配置子系統，用于獲取標準工步創建指令，基于標準工步創建指令創建標準工步并配置可以調用標準工步的關聯工步；參數配置子系統，用于獲取參數配置指令，基于參數配置指令配置...

本發明涉及一種采用混合失配校準的雙路徑電荷泵鎖相環，包括：雙路徑鎖相環電路，其中，所述雙路徑鎖相環電路中比例路徑和積分路徑對應的電荷泵為混合失配校準電荷泵，所述混合失配校準電荷泵用于根據UP上拉控制信號和DN下拉控制信號在外部粗校準信號...

本發明涉及電源領域，特別涉及一種帶狀態反饋的低延遲大電流固態繼電器，包括耦合電感的原邊分別與無光耦PWM控制器、外部輸入電壓連接；數字隔離器接收來自外部控制器的驅動輸入信號并將狀態輸出信號發送給外部控制器；耦合電感的副邊一端與內部接地端...

本發明公開了一種集成電路芯片輻射效應評估試驗的X射線總劑量確定方法，包括：根據待試驗集成電路芯片中與輻射的敏感區相關的各板層結構仿真建模得到真實結構模型，并仿真X射線的輻照環境并統計集成電路芯片的真實結構模型中敏感區的吸收劑量；采用平衡...

本發明公開了一種寬頻域TIADC時間失配后臺校準方法，包括：以TIADC的第1個通道延遲一個時鐘周期后的輸出數據作為第（2m+1）個通道的輸出數據；將第1個通道和第（2m+1）個通道作為初始的參考通道；將每相鄰兩個參考通道的輸出數據作為...

本發明公開了一種低電流失配電荷泵，包括：核心電路、偏置電路和反饋環路；所述核心電路用于對電荷泵輸出節點進行充放電；所述偏置電路的輸出端連接所述核心電路的充電端，其第一輸入端連接所述電荷泵輸出節點，用于確定所述核心電路的基準電流并控制所述...

本申請實施例提供一種用于傳感探測領域的可編程增益儀表放大器。應用于集成電路技術領域，包括：低通濾波模塊、斬波放大模塊、第一可編程增益網絡、第二可編程增益網絡和緩沖放大模塊；低通濾波模塊用于接收輸入的差分信號，并對差分信號進行濾波，輸出濾...

本發明涉及模擬開關技術領域，特別涉及一種用于高精度開關電容應用的新型模擬開關，包括：主路徑電路、輔助路徑電路、保持電容；所述輔助路徑與主路徑并聯，并聯的輸入端作為用于高精度開關電容應用的新型模擬開關的輸入端，并聯的輸出端通過保持電容接地...

本發明公開了一種采用輻照提升橫向晶體管器件耐壓的方法，包括：提供一硅片作為襯底；在襯底上形成埋層、基極深阱區；在埋層的兩側分別形成PN結隔離結構，并形成與埋層一端連接的基極深結阱區；在發射區與兩側的集電區之間形成隔離溝槽；在隔離溝槽中填...

本發明公開了一種金屬陶瓷封裝器件?X?射線檢查用定位夾具，包括定位板以及設于定位板上的若干磁吸塊，還包括設于定位板上的定位組件，定位組件具有若干間隔布置的定位槽，各定位槽的槽壁呈與金屬陶瓷封裝器件側邊輪廓適配的圍擋結構；磁吸塊一一對應分...

本發明屬于集成電路領域，特別涉及一種適用于高速微弱電流檢測的JFET輸入運算放大器，包括第一偏置電路、第二偏置電路分別為差分輸入級電路、中間放大級電路提供兩個直流偏置，第三偏置電路為互補推挽輸出級電路提供兩個電流源，將差分輸入級電路增益...

本發明公開了一種基于光電耦合器的矩陣指令控制電路，該電路包括信號處理電路A，用于實現對脈沖指令信號的抗干擾處理，所述脈沖指令信號包括開指令信號和關指令信號；信號轉換電路B，用于分別對抗干擾處理處理后的開指令信號和關指令信號進行光電隔離；...

本發明涉及集成電路中的抗輻照加固技術領域，具體涉及一種抗總劑量輻照的帶隙電壓基準源電路，包括：啟動電路，用于在電路上電初期，幫助電路脫離異常簡并點并快速進入正常工作狀態；偏置電路與啟動電路相連，用于為基準核電路提供偏置信號；基準核電路與...

本發明涉及半導體器件及其制造方法領域，特別涉及一種高可靠性多層柵極碳化硅VDMOS及其制備方法，所述高可靠性多層柵極碳化硅VDMOS包括：承載P+防護結構的VDMOS與P+防護結構；承載P+防護結構的VDMOS采用多層柵極，P+防護結構...

本發明公開了一種選擇性生長鍺硅異質結晶體管內基區的方法，包括：在硅襯底上依次淀積形成第一介質層、外基區多晶硅層、第二介質層和第三介質層，并刻蝕形成內基區窗口；在內基區窗口的內側壁上形成第四介質層；對所述內基區窗口底部的第一介質層進行部分...

本發明公開了一種選擇性生長異質結晶體管摻碳鍺硅內基區的方法，包括：在硅襯底上依次淀積形成第一介質層、外基區層和第二介質層；向下刻蝕第二介質層和外基區多晶硅層形成內基區窗口；在內基區窗口的內側壁上形成第三介質層；對內基區窗口底部的第一介質...

本發明公開了一種低壓共源共柵NMOS電流鏡電路，包括基本電流鏡電路、偏置電路和運算放大器反饋網絡；所述基本電流鏡電路用于采用NMOS管對形成電流鏡，對接收的基準電流IIN進行鏡像后生成對應的輸出電流IOUT；所述偏置電路用于為基本電流鏡...