本發明涉及半導體的濕法清洗領域，具體涉及一種用于濕法清洗機的凈化裝置及凈化方法。所提供的用于濕法清洗機的凈化裝置，包括：清洗槽，用于裝載清洗液；吸雜組件，設于所述清洗槽內，所述吸雜組件包括承載件和多晶硅片，所述多晶硅片設置在承載件上，所...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種氧化鋁硬掩模層的刻蝕方法及半導體工藝設備。氧化鋁硬掩模層的刻蝕方法，包括：向工藝腔室內通入工藝氣體并激發形成等離子體，以對工藝腔室內的氧化鋁硬掩模層進行刻蝕；其中，工藝氣體包括BCl3。半導體...

本發明提供了一種刻蝕參數監控方法及刻蝕參數監控設備，該刻蝕參數監控方法包括：檢測待刻蝕開口區的開口尺寸，判斷待刻蝕開口區的開口尺寸是否小于等于預設尺寸閾值；若是，基于待刻蝕開口區的開口尺寸在晶圓上刻蝕參數監控設備的激光檢測范圍內的空閑位...

本發明提供了氧化鋁膜層的制備方法及半導體工藝設備；其中，在氧化鋁膜層的制備方法中，獲取基底和工藝配方；其中，工藝配方包括至少一個工藝循環，在工藝循環中，首先通入三甲基鋁，然后進行第一吹掃，接著通入水蒸氣，最后進行第二吹掃；三甲基鋁的脈沖...

本申請提供了一種半導體器件和半導體工藝方法，涉及半導體工藝技術領域，以解決環柵場效應晶體管的內側墻難以兼顧較低的寄生電容和對源漏層生長適當的選擇性的問題。半導體器件，包括環柵器件，環柵器件包括內墻空腔，內墻空腔中至少設置有硅氧碳氮層和氮...

本發明提供了膜層制備方法及半導體工藝設備；其中，在膜層制備方法中，獲取基底，并采用原子層沉積技術在基底上進行薄膜沉積；在沉積過程中，按照循環次數生成多個沉積層，并通過多個沉積層形成膜層；其中，在每個沉積層生成后，均執行顆粒清掃步驟，該顆...

本發明提供了一種光電共封裝結構及其制備方法，涉及光電集成技術領域，為解決因光引擎與電芯片熱膨脹系數不同，導致二者鍵合后形成的光電封裝結構存在較大的界面應力的問題而設計。該光電共封裝結構包括鍵合連接的光芯片和電芯片，電芯片朝向光芯片的一面...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種溝槽結構的工藝方法及半導體工藝設備。溝槽結構的工藝方法包括：提供步，提供溝槽結構，溝槽結構的表面具有刻蝕損傷層；氧化步，將工藝溫度設置為20~40?℃，通入H2O2，開啟紫外光源，并將紫外光源...

本發明涉及半導體加工技術領域，具體涉及一種工藝腔室清潔方法及半導體工藝設備。所提供的工藝腔室清潔方法，包括：向工藝腔室內通入第一清潔氣體，將第一清潔氣體轉化為第一清潔等離子體，用以去除工藝腔室內的殘留的氫；向工藝腔室內通入第二清潔氣體，...

本發明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種進氣組件、工藝腔室及半導體工藝設備。所提供的進氣組件，包括第一進氣勻流件和第二進氣勻流件，第一進氣勻流件設有用于通入第一等離子體的第一流體通道和用于通入反應氣體的第二流體通道；第二進氣勻流件間隔...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種聚焦環組件及半導體工藝設備。聚焦環組件包括聚焦環；聚焦環用于置于工藝腔室內，且環繞晶圓承載臺設置；聚焦環的內壁由下而上朝內傾斜。本發明提供的聚焦環組件及半導體工藝設備，可大大減少被聚焦環的內壁...

本發明提供了一種刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體技術領域，為解決采用相關技術提供的刻蝕工藝刻蝕得到的深槽結構，其側壁粗糙度較大的問題而設計。該刻蝕方法包括提供襯底；于襯底進行光刻步和第一刻蝕步，以在襯底形成第一溝槽；常溫氧化形成覆蓋...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種氮化硅薄膜、半導體器件的制造方法及半導體工藝設備。氮化硅薄膜的制造方法包括：沉積步，向工藝腔室內通入硅源氣體和氮源氣體，以通過化學氣相沉積方法在基體表面沉積氮化硅薄膜；其中，硅源氣體與氮源氣體...

本發明涉及半導體加工技術領域，具體涉及一種刻蝕方法及半導體工藝設備。所提供的刻蝕方法，包括：提供襯底，所述襯底包括硅襯底和形成于硅襯底中的金屬柱，向工藝腔室內通入刻蝕氣體，使刻蝕氣體電離形成等離子體，以刻蝕硅襯底表面，使金屬柱的上表面高...

本發明提供了一種多晶硅刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體制造技術領域，為解決采用干法刻蝕去除多晶硅后存在表面粗糙度大的問題而設計。該多晶硅刻蝕方法包括：提供半導體器件，半導體器件包括襯底、形成于襯底上表面的柵極氧化層以及形成于柵極氧化...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種鰭片與柵極之間殘余非晶硅的表征方法及裝置。鰭片與柵極之間殘余非晶硅的表征方法包括：拍攝待測樣品的俯視圖，并選取測試區域和參考區域；其中，測試區域包含鰭片與柵極的夾角，參考區域的殘余非晶硅含量為...

本發明提供了一種用于斜晶格試樣的透射電鏡樣品制備方法，涉及樣品制備技術領域，為解決透射電鏡拍攝過程中，難以對斜晶格試樣采正帶軸的問題而設計。該制備方法包括：獲取斜晶格試樣的樣品薄片；其中，斜晶格試樣的刻蝕方向與硅基底的晶體取向之間的夾角...

本發明涉及半導體加工技術領域，具體涉及一種工藝腔室保護層的制備方法及半導體工藝設備。所提供的工藝腔室保護層的制備方法，包括：共沉積步，將前驅體和反應氣體供應到工藝腔室內，通過等離子體增強化學氣相沉積技術，在工藝腔室內壁和/或工藝腔室內部...

本發明提供一種提升曝光關鍵尺寸窗口的工藝方法，涉及半導體技術領域。該工藝方法包括：提供層疊結構，所述層疊結構包括自下而上依次層疊設置的待刻蝕膜層、傳遞膜層和圖形化的光刻膠層，所述傳遞膜層包括自下而上依次層疊設置的圖形轉移層和旋涂層；刻蝕...

本發明提供一種改善淺溝槽隔離側壁缺陷的工藝方法，涉及半導體技術領域。該工藝方法包括：提供層疊結構，層疊結構包括自下而上依次層疊設置的硅襯底、墊氧化層和硬掩膜層；第一刻蝕步：以圖形化的硬掩膜層為掩膜，刻蝕墊氧化層使其圖案化，以及刻蝕硅襯底...