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        深圳市新凱來工業機器有限公司專利技術

        深圳市新凱來工業機器有限公司共有220項專利

        • 本公開的實施例提供了一種組合分離臺及組合分離設備,涉及半導體技術領域,用于提高掩膜板的鍍層的厚度的均一性。該組合分離臺包括固定板、多個第一支撐結構、多個第二支撐結構。第一支撐結構包括第一支撐件和第一調節件。多個第一支撐件配置為支撐托盤;...
        • 本申請涉及光電技術熱管理領域,尤其涉及一種控溫裝置、檢測設備及檢測系統,控溫裝置,包括導熱結構,與溫控對象通過非連接方式進行導熱;制冷結構,制冷結構的冷端與導熱結構焊接連接;散熱部件,與制冷結構的熱端連接。通過導熱結構與溫控對象的非連接...
        • 本申請公開了一種光衰減組件、光學模組、光學裝置及相關設備,該光衰減組件包括沿光路依次設置的半波片、第一偏振分束鏡、第二偏振分束鏡;半波片用于將第一線偏振光轉化為第二線偏振光,其中,第二線偏振光可被分解為兩個偏振方向相互垂直的第三線偏振光...
        • 本申請公開了激光維持等離子體光源及其溫度調節方法、氣流調節裝置,涉及等離子體光源技術領域,激光維持等離子體光源包括泡殼和氣流調節裝置,氣流調節裝置包括吹氣孔、沿氣流流動方向依次設置的閥門和導流組件,包括:獲取泡殼表面的各個區域的溫度分布...
        • 本申請提供一種發射X射線的裝置、光電子器件和陽極靶材的加工方法,發射X射線的裝置包括陽極靶材、電子槍和調光組件;電子槍用于發出電子束,以形成X射線束;調光組件用于接收并處理X射線束,并將處理的X射線束傳輸至樣品上,以在樣品上形成光斑;陽...
        • 本發明公開了一種信號處理電路、光學系統及半導體設備,涉及電路領域,信號處理電路包括信號調制器、光電探測器、鎖相放大器和低通濾波器,信號調制器對光信號進行調制,并通過光電探測器將其轉換為電信號輸出至鎖相放大器的信號輸入端;同時信號調制器輸...
        • 本申請涉及晶圓量測技術領域,尤其涉及到一種晶圓支撐組件及量測設備。該晶圓支撐組件包括:第一支撐件、第二支撐件和連接件,第一支撐件上設有多個沿第一圓周的周向間隔布置的第一支撐部,第一支撐部用于設置第一晶圓;第二支撐件上設有多個沿第二圓周的...
        • 本申請提供一種濾波器、卡盤、花灑及半導體設備。濾波器的電感器包括磁芯和繞組;所述磁芯包括卷繞區域;所述繞組包括至少兩根繞線,至少兩根所述繞線聚攏在一起,并共同繞設于所述卷繞區域,至少一根所述繞線用于傳輸第一電流信號,至少一根所述繞線用于...
        • 本申請公開了一種光轉折棱鏡、光學模組、光學裝置及半導體設備,光轉折棱鏡包括沿光路方向依次設置的第一入射面、第一反射面、第二反射面和第一出射面;第一入射面用于接收第一光束,第一反射面用于將經由第一入射面進入的第一光束反射至第二反射面,第二...
        • 本申請公開一種氣體質量流量控制器過濾結構,涉及半導體生產制造技術領域,氣路結構件內部設置的氣流通道用于引導氣體流動,氣流通道的進入端設置第一階梯槽,第一階梯槽的直徑大于氣流通道的直徑,在第一階梯槽與氣流通道的交界處形成第一臺階面,過濾網...
        • 本申請提供了一種圖像配準參數的獲取方法和裝置,該方法包括:獲取多個分辨率層級下的層級參考圖像和層級測試圖像;獲取第一分辨率層級下計算得到的圖像變換參數、第一模糊核參數和第二模糊核參數;獲取第二層級參考圖像基于圖像變換參數和第一模糊核參數...
        • 本申請提供了一種激光維持等離子體光源的產生方法及其裝置和半導體設備,產生方法包括如下步驟:向激光照射的放電腔室內注入第一氣體,以產生等離子體;在確定等離子體被點燃并在確定等離子體進入維持階段后,向放電腔室內注入第二氣體,以產生滿足預設條...
        • 本申請提供一種用于密封的閥門機構、半導體設備及半導體系統,涉及閥門領域,具體為,包括:閥板,位于所述腔體內部,用于打開或密封所述第一開口;閥桿,所述閥桿的至少部分穿過所述第二開口,且所述閥桿位于所述腔體內的部分與所述閥板連接;密封組件,...
        • 本申請涉及溫度測試技術領域,特別涉及一種測溫組件以及半導體設備,測溫組件包括基座、移動座以及溫度探頭;移動座設有一個或多個導向孔;溫度探頭包括彼此固定連接的固定部和測溫部,固定部與移動座連接;一個或多個導向件設于基座和移動座之間,其中,...
        • 申請涉及設備存儲技術領域,尤其涉及抽拉裝置、光機系統和半導體設備。抽拉裝置包括:固定模組,固定模組設有阻擋組件;抽拉模組,抽拉模組滑動設置于固定模組,抽拉模組設有至少一個限位件和至少一個功能連接件,至少一個限位件與至少一個功能連接件對應...
        • 本申請涉及半導體領域,公開了一種堆疊結構的空腔的制備方法和半導體設備,方法包括:準備待刻蝕堆疊結構,待刻蝕堆疊結構包括交替層疊的第一半導體層和第二半導體層,第一半導體層包括硅,第二半導體層包括鍺化硅;刻蝕部分第二半導體層以形成待修飾空腔...
        • 本申請公開了一種晶圓掃描對準的控制方法、裝置、系統和設備,上述方法包括:通過并行的多個通道從圖像獲取設備接收晶圓圖像數據,晶圓圖像數據中包括圖像獲取設備對至少二個芯片進行掃描得到的圖像數據;對從多個通道接收到的晶圓圖像數據進行整合對齊以...
        • 本申請公開一種輻射保護電路及半導體設備,涉及半導體加工技術領域,針對傳統通過PLC檢測傳感器狀態以控制是否執行保護動作存在延遲,進而影響輻射保護的實時性的問題。提供一種輻射保護電路,通過硬觸發電路實現在狀態傳感模塊檢測到半導體設備外存在...
        • 本申請提供一種加熱盤及其制造方法、溫控裝置、半導體制造設備,涉及半導體處理技術領域。加熱盤包括加熱主體,加熱主體包括基體、加熱層、封裝層及若干焊球;基體包括相背的第一面和第二面,加熱層通過半導體制造工藝形成于基體的第二面,封裝層形成于加...
        • 本申請公開一種電子束鏡的維護設備,涉及電子束量測技術領域,用于解決相關技術中的電子束鏡的維護成本較高的技術問題。該維護設備包括支撐件、承載臂和吊裝組件,承載臂可轉動連接于支撐件,且承載臂能夠相對于支撐件在第一位置和第二位置之間轉動,由第...
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