本申請?zhí)峁┮环N阻尼單元、阻尼模塊、結(jié)構(gòu)振動控制裝置及設(shè)備，涉及結(jié)構(gòu)振動抑制技術(shù)領(lǐng)域，用于提升阻尼單元對于振動的抑制效果。該阻尼單元包括第一質(zhì)量塊、第二質(zhì)量塊、第一阻尼件以及第二阻尼件；第一阻尼件設(shè)置在第一質(zhì)量塊和第二質(zhì)量塊之間，第一阻尼...

本發(fā)明提供一種溫度計、晶圓溫度測量裝置、方法和半導(dǎo)體設(shè)備，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。溫度計中包括正交偏振元件、第一探測器、第二探測器和處理器。第一探測器用于采集經(jīng)過晶圓后的第一光束的第一信號強度；第二探測器用于采集到達第二探測器的第二光束的第...

本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子設(shè)備，可以降低柵極和漏極發(fā)生短路的風(fēng)險，簡化半導(dǎo)體器件制作工藝中刻蝕和光刻的難度。半導(dǎo)體器件的制備方法包括：提供基體，基體包括間隔設(shè)置的第一柵極和第二柵極，以及位于第一柵極和第二柵極之間的柵間介...

本申請實施例公開了一種載臺調(diào)平裝置、載臺的調(diào)平方法和晶圓載臺裝置，載臺調(diào)平裝置包括控制器、電機承載座和電機，電機中的第一電機、第二電機和第三電機的一側(cè)用于安裝載臺，第一電機、第二電機和第三電機的另一側(cè)固定在電機承載座上方，且三個電機不共...

本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制備方法和電子設(shè)備，用于使半導(dǎo)體器件中晶體管的布局更加緊湊，節(jié)省單元面積的占用，提高半導(dǎo)體器件的集成密度。半導(dǎo)體器件包括讀取晶體管和寫入晶體管。沿讀取溝道層的厚度方向上，讀取柵極和讀取源漏極分別位于...

本申請公開一種光致污染防護系統(tǒng)，包括密封罩、供氣組件、分流組件，每個密封罩密封包圍一個或多個元器件，一個密封罩內(nèi)的元器件處于同一潔凈等級；密封罩設(shè)有進氣通道，密封罩之間設(shè)有連接通道供光線經(jīng)過以及氣體通過；供氣組件提供潔凈氣體；分流組件用...

本申請?zhí)峁┮环N氣體采樣系統(tǒng)及方法，該氣體采樣系統(tǒng)包括氣體流量補償模塊、采樣分析裝置、第一管路、第二管路、第三管路和三通節(jié)點，其中，氣體流量補償模塊通過第一管路連接三通節(jié)點的第一端口，三通節(jié)點的第二端口通過第二管路連接被測氣體管路，采樣分...

本申請?zhí)峁┮环N激光光源的功率調(diào)節(jié)方法、功率調(diào)節(jié)裝置及激光維持等離子體LSP光源，該方法包括：獲取LSP光源的第一功率信號，第一功率信號用于表征LSP光源的輸出功率隨時間的變化情況；對第一功率信號進行處理，得到第一抖動信號，第一抖動信號表...

本申請?zhí)峁┮环N檢測設(shè)備、半導(dǎo)體系統(tǒng)及半導(dǎo)體設(shè)備的檢測方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于解決半導(dǎo)體設(shè)備處理后的晶圓的合格率較低的問題。檢測設(shè)備用于檢測半導(dǎo)體設(shè)備的反應(yīng)腔的內(nèi)部狀態(tài)。檢測設(shè)備包括驅(qū)動結(jié)構(gòu)和控制器。驅(qū)動結(jié)構(gòu)與一根或者多根探針的固定...

本申請?zhí)峁┮环N控制變量優(yōu)化方法、控制變量優(yōu)化裝置及存儲介質(zhì)，涉及制造控制領(lǐng)域，該方法包括：獲取被控對象的當(dāng)前狀態(tài)參數(shù)，當(dāng)前狀態(tài)參數(shù)用于表征被控對象的當(dāng)前狀態(tài)；基于第一變量矩陣確定控制輸入序列；第一變量矩陣是第二變量矩陣經(jīng)降維得到的，第二...

本申請?zhí)峁┮环N射頻裝置、反射系數(shù)的確定方法以及通信設(shè)備，涉及射頻技術(shù)領(lǐng)域，用能夠在不不影響等離子體狀態(tài)的情況下確定反射系數(shù)，提升射頻裝置的反射系數(shù)確定方法的抗干擾特性。該方法應(yīng)用于射頻裝置，包括：發(fā)射通道根據(jù)第一信號和探測序列輸出發(fā)射信...

本申請涉及存儲設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種4F2存儲單元、存儲器及4F2存儲單元的制備方法，該4F2存儲單元，包括：襯底；在所述襯底一側(cè)表面沿厚度方向外延生長的半導(dǎo)體材料柱；覆蓋所述半導(dǎo)體材料柱表面的中間介質(zhì)層；覆蓋所述中間介質(zhì)層遠離所述襯...

本申請?zhí)峁┝艘环N工藝配方的控制參數(shù)的補償方法、裝置、系統(tǒng)、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，能夠精準(zhǔn)地對半導(dǎo)體材料進行快速熱處理。該方法包括：執(zhí)行工藝配方執(zhí)行步驟：基于工藝配方的控制參數(shù)對目標(biāo)產(chǎn)品進行加工，并獲取目標(biāo)產(chǎn)品在加工過程...

本申請公開一種勻流裝置，涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，應(yīng)用于量測腔室，包括第一導(dǎo)流部和第二導(dǎo)流部，第一導(dǎo)流部具有承接氣流的第一導(dǎo)流面；第二導(dǎo)流部連接于第一導(dǎo)流面的下邊緣區(qū)域，第二導(dǎo)流部具有第二導(dǎo)流面，通過第一導(dǎo)流部中的第一導(dǎo)流面與第二導(dǎo)流部中...

本申請?zhí)峁┝艘环N樣品測試方法、裝置、系統(tǒng)、存儲介質(zhì)及計算機程序產(chǎn)品，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，能夠提高能譜采集的效率。該方法包括：根據(jù)待測樣品對應(yīng)的采集參數(shù)對待測樣品進行能譜采集，獲取第一能譜數(shù)據(jù)；在第一能譜數(shù)據(jù)超過數(shù)據(jù)采集范圍的情況下，對采...

本申請?zhí)峁┝朔N用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的噴淋頭和半導(dǎo)體工藝裝備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，旨在改善工藝氣體在腔室內(nèi)壁沉積的問題。用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的噴淋頭包括：噴淋頭本體，噴淋頭本體上設(shè)置有至少一個第一進氣口和多個第一出氣口，第一出氣口用于輸送吹掃...

本申請?zhí)峁┝艘环N管路連接組件、流體傳輸裝置及液冷系統(tǒng)，包括第一接頭、接頭固定件和緊定件，接頭固定件套設(shè)于第一接頭外，接頭固定件上設(shè)有第一通孔，緊定件貫穿第一通孔并抵接于第一接頭，在本申請實施例中，由于緊定件通過接頭固定件內(nèi)的第一通孔抵接...

本申請實施例提供一種版叉結(jié)構(gòu)、掩模版?zhèn)鬏斞b置及半導(dǎo)體設(shè)備，該版叉結(jié)構(gòu)包括：版叉主體以及多個夾爪；版叉主體包括多個橫梁，多個夾爪設(shè)置于多個橫梁上；多個夾爪用于共同取放和承載掩模版容器；版叉主體內(nèi)設(shè)置有移位驅(qū)動器，每個橫梁內(nèi)設(shè)置有定位導(dǎo)軌和...

本申請實施例提供一種版叉結(jié)構(gòu)、掩模版?zhèn)鬏斞b置及半導(dǎo)體設(shè)備。該版叉結(jié)構(gòu)包括：版叉主體，版叉主體形成容納掩模版的空間；兩個夾爪組，兩個夾爪組均與版叉主體轉(zhuǎn)動連接；位置調(diào)節(jié)機構(gòu)，位置調(diào)節(jié)機構(gòu)設(shè)置于版叉主體，用于驅(qū)動兩個夾爪組相對于版叉主體旋轉(zhuǎn)...

本申請?zhí)峁┝艘环N搖擺裝置、多軸運動機構(gòu)及電子裝備。搖擺裝置包括支撐組件，支撐組件包括間隔設(shè)置的第一支撐件和第二支撐件；搖擺組件，可活動地連接第一支撐件和第二支撐件；驅(qū)動組件，設(shè)置于第一支撐件和第二支撐件的至少一個處；驅(qū)動組件連接搖擺組件...