本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N柔性鉸鏈、調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)、承載裝置及半導(dǎo)體設(shè)備。柔性鉸鏈包括沿第一方向?qū)盈B設(shè)置的殼體與結(jié)構(gòu)件，殼體用于收容致動(dòng)器。殼體包括懸臂組件。懸臂組件用于在受到沿第一方向的作用力下彈性變形，從而在第一方向產(chǎn)生平動(dòng)自由度。結(jié)構(gòu)件設(shè)有貫穿結(jié)...

本申請(qǐng)?zhí)峁╇娺B接結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體設(shè)備，涉及半導(dǎo)體檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，用于解決如何提高電路板與密封腔室之間的密封性能的問(wèn)題。具體的，該電連接結(jié)構(gòu)用于密封腔室；電連接結(jié)構(gòu)包括密封蓋板和電連接板，密封蓋板用于覆蓋密封腔室的開口，密封蓋板設(shè)有安裝通孔；電...

本申請(qǐng)公開了一種X射線衍射裝置和控制方法，涉及衍射技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)準(zhǔn)直透鏡、平面分光晶體和聚焦透鏡實(shí)現(xiàn)了照射在待測(cè)樣品上的光斑為單色聚焦光斑；由于未使用雙曲彎晶，因此，可在大功率大光斑X射線源下得到單色化微小聚焦光斑，提高了照射到待測(cè)樣品...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，解決刻蝕性能較差的問(wèn)題。該半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備包括第一電極、第二電極、背板，以及等離子體調(diào)節(jié)裝置，第一電極和第二電極沿第一方向相對(duì)設(shè)置，第二電極背離第一電極的一側(cè)設(shè)置有背板，第一電極上承...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種導(dǎo)流組件及半導(dǎo)體設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，解決生產(chǎn)效率較低的技術(shù)問(wèn)題。該導(dǎo)流組件包括第一環(huán)狀主體、第二環(huán)狀主體、多個(gè)擋板，以及與多個(gè)擋板傳動(dòng)連接的至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)件；第二環(huán)狀主體設(shè)置在第一環(huán)狀主體外，且與第一環(huán)狀主體間隔...

本申請(qǐng)公開了一種微區(qū)X射線衍射系統(tǒng)、方法及電子設(shè)備，涉及衍射技術(shù)領(lǐng)域。包括：X射線源、探測(cè)器和彎曲晶體。彎曲晶體的衍射面與羅蘭圓相切，彎曲晶體用于接收衍射光束。滿足布拉格衍射條件的衍射光束經(jīng)過(guò)彎曲晶體后被探測(cè)器收集；探測(cè)器根據(jù)衍射信息確...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子設(shè)備，方法包括：刻蝕部分柵極，以在柵極的上方形成凹槽；采用氣相沉積工藝在凹槽的底部沉積第一金屬層以及在凹槽的側(cè)壁沉積第二金屬層，其中，第一金屬層的厚度大于第二金屬層的厚度，第一...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N通道時(shí)延校正方法、射頻裝置以及通信設(shè)備，涉及射頻技術(shù)領(lǐng)域，用于提升射頻裝置的通道時(shí)延校正的準(zhǔn)確度。該通道時(shí)延校正方法，應(yīng)用于射頻裝置，射頻裝置包括控制電路、發(fā)射通道和反饋通道，控制電路與發(fā)射通道和反饋通道連接，發(fā)射通道和反...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種真空泵隔振裝置及真空設(shè)備，真空泵隔振裝置包括基座、抱緊件、阻尼器、緩沖體和真空泵，基座包括基座本體，基座本體包括真空腔室。緩沖體連接于真空泵的外周緣，沿真空泵隔振裝置的高度方向，阻尼器連接于基座本體和真空泵之間，真空...

本申請(qǐng)?zhí)峁╇娮邮繙y(cè)設(shè)備和吊裝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，用于解決如何提高電子束量測(cè)設(shè)備中位移臺(tái)的維修效率的問(wèn)題。具體的，該電子束量測(cè)設(shè)備包括真空腔體、位移臺(tái)、端蓋和移動(dòng)組件，真空腔體形成有容納腔和與容納腔連通的開口；位移臺(tái)設(shè)于容納腔...

本申請(qǐng)涉及場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種環(huán)柵納米片場(chǎng)效應(yīng)晶體管，電子器件及其制備方法，包括：襯底；位于襯底一側(cè)表面的溝道；溝道包括平行于水平方向的第一子溝道和平行于豎直方向的第二子溝道，在豎直方向第二子溝道至少與兩個(gè)第一子溝道相接觸；...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子設(shè)備，包括準(zhǔn)備半導(dǎo)體器件的前驅(qū)結(jié)構(gòu)；前驅(qū)結(jié)構(gòu)包括襯底、柵極、源漏外延和層間介質(zhì)層，柵極包括柵極金屬和柵極側(cè)壁；刻蝕層間介質(zhì)層，使柵極凸出于層間介質(zhì)層；在柵極的上表面制作第一介質(zhì)...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝擞糜诘入x子體反應(yīng)腔室的電加熱器、等離子體反應(yīng)腔室。該用于等離子體反應(yīng)腔室的電加熱器，其包括電熱絲、薄膜層和壓覆部。電熱絲嵌入于薄膜層中，薄膜層用于放置于等離子體反應(yīng)腔室的介質(zhì)窗的頂面；壓覆部被配置成至少能將薄膜層的邊緣壓抵于...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N射頻功率合成器、射頻電源和電子設(shè)備，射頻功率合成器包括：多個(gè)輸入通道、一個(gè)輸出通道、多個(gè)第一阻抗匹配電路和一個(gè)第二阻抗匹配電路；每個(gè)輸入通道的輸出端連接輸出通道；各個(gè)第一阻抗匹配電路的一部分集成于對(duì)應(yīng)的輸入通道，其另一部分...

本申請(qǐng)公開了一種螺旋掃描的光強(qiáng)調(diào)控方法、裝置、晶圓檢測(cè)系統(tǒng)和介質(zhì)，涉及晶圓檢測(cè)領(lǐng)域。在變速掃描的過(guò)程中，通過(guò)改變光強(qiáng)調(diào)控模塊的透過(guò)率改變照明光源入射至晶圓的光強(qiáng)，從而改變了掃描相機(jī)接收到的晶圓發(fā)出的散射光信號(hào)，且加速掃描過(guò)程中，目標(biāo)光強(qiáng)...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N利用環(huán)形光束的激光維持等離子體光源，其包括第一整形部、第二整形部、反射鏡、二向色鏡、反射器和氣體腔室，在氣體腔室中能夠形成等離子體。第一整形部包括錐形光學(xué)元件，泵浦激光經(jīng)過(guò)第一整形部能夠形成環(huán)形光束。第二整形部包括一個(gè)或...

本申請(qǐng)公開了一種窄線寬的穩(wěn)頻激光器，涉及光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。該激光器中，泵浦光源發(fā)出的光為高重頻的脈沖光，種子光源發(fā)出的光為窄線寬連續(xù)光，泵浦光和種子光在非線性光學(xué)介質(zhì)中進(jìn)行光學(xué)參量放大，放大過(guò)程中保持了種子光的窄線寬的特性以及泵浦光的高重頻...

本申請(qǐng)公開了一種數(shù)據(jù)分類方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及數(shù)據(jù)分類技術(shù)領(lǐng)域，包括：確定待分類圖片數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的復(fù)雜度；待分類圖片數(shù)據(jù)為晶圓生產(chǎn)過(guò)程中具備缺陷的目標(biāo)對(duì)象的圖片數(shù)據(jù)；基于與復(fù)雜度相適應(yīng)的模型結(jié)構(gòu)信息，對(duì)預(yù)先訓(xùn)練好的初始分...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N可升降磁懸浮裝置及熱處理設(shè)備，磁懸浮裝置包括腔室、磁懸浮定子、磁懸浮轉(zhuǎn)子、升降裝置和多個(gè)傳感器，腔室用于容納磁懸浮轉(zhuǎn)子，磁懸浮定子環(huán)繞于腔室外周。其中，至少一個(gè)傳感器與磁懸浮定子相對(duì)固定，至少一個(gè)傳感器用于檢測(cè)磁懸浮轉(zhuǎn)子的...

本申請(qǐng)公開了一種定位裝置、掃描設(shè)備及掃描探針設(shè)備，涉及高精度定位設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，為了解決現(xiàn)有的壓電納米定位裝置不能同時(shí)具備大行程和高帶寬的問(wèn)題，該定位裝置包括基座，基座連接有嵌套設(shè)置的第一動(dòng)平臺(tái)和第二動(dòng)平臺(tái)，第一動(dòng)平臺(tái)位于第二動(dòng)平臺(tái)的內(nèi)部...