本申請提供一種加熱裝置的裝配工裝，涉及裝配工裝技術領域，用于解決加熱裝置存在較大的裝配誤差，影響加熱裝置的加熱效果的問題。具體的，該裝配工裝包括基座、第一定位結構和第二定位結構，第一定位結構設于基座，第一定位結構用于固定反射器的第一拆分...

本申請提供了一種電子束成分分析的數據采集系統和數據采集方法，該數據采集系統中包括處理器、模組電源和探測器，模組電源為電子束調控模組供電；處理器分別與模組電源、探測器連接；處理器依次執行多個采樣處理，在每個采樣處理中，處理器向模組電源配置...

本申請實施例提供一種腔體模組及半導體設備。腔體模組包括腔體冷板及轉接部件，轉接部件設于腔體冷板的外表面，轉接部件與腔體冷板相連接以流通液冷工質，轉接部件設有第一轉接端，第一轉接端的端口朝向第一方向設置，第一轉接端用于與半導體設備的收容腔...

本申請提供了一種激光維持等離子體光源，其包括激光器、反射鏡、二向色鏡、反射器和勻光棒。激光器用于發出泵浦激光，泵浦激光經由反射鏡和二向色鏡照射至反射器，反射器用于將泵浦激光匯聚至等離子體，等離子體發出的寬譜光的至少部分能夠經過勻光棒勻化...

本申請公開一種濾波網絡、濾波器和高壓電源，涉及半導體制造技術領域，用于提供濾波功能。針對現有濾波器因無法避免的元件離散誤差而影響靜電引力穩定性的問題，提供了一種濾波網絡，通過將原本獨立設置的三組濾波電路通過特定的連接關系進行耦合。實現了...

本申請提供了一種具有紅外吸收鍍膜的反射器以及激光維持等離子體光源，具有紅外吸收鍍膜的反射器應用于激光維持等離子體光源，所述反射器的內表面形成用于反射光的反射面，所述反射面為曲面。所述反射面具有第一鍍膜區和第二鍍膜區，所述第一鍍膜區設置有...

本申請公開了一種反應腔室及處理設備，反應腔室包括第一腔體、第二腔體、加熱件和熱反射件，第一腔體形成第一腔室，第二腔體形成第二腔室，第二腔體圍設于第一腔體外，熱反射件設置于第一腔體和第二腔體之間，熱反射件用于將加熱件產生的至少部分熱量反射...

本申請公開了一種晶圓缺陷檢測方法、裝置、設備及計算機程序產品，涉及圖像檢測技術領域，包括：對待檢測晶圓圖像進行特征提取，得到所述待檢測晶圓圖像的晶圓缺陷特征；所述晶圓缺陷特征包括缺陷區域的輪廓特征點；對所述晶圓缺陷特征中的所述輪廓特征點...

本申請提供了一種平衡功放合成電路和射頻電源，平衡功放合成電路包括功分器、N個功率放大通道和合成器。功分器用于將輸入信號分成N個第一子信號并輸出至對應的功率放大通道。每個功率放大通道包括依次連接的第一移相器、功率放大器及第二移相器，第一移...

本申請公開了一種X射線源及X射線光電子能譜儀，屬于能譜分析技術領域。本申請采用合金材料作為陽極靶，在電子轟擊下可同時獲得多種元素的特征譜線，從而增加了待測樣品中光電子的出射種類，提高了對復雜材料表面的分析能力；僅需一個電子束裝置，即可實...

本申請涉及X射線技術領域，公開了一種X射線反射靶以及一種X射線源，包括：基體；位于所述基體朝向電子發射源一側表面的靶材；位于所述基體背向所述電子發射源一側表面的熱電制冷器；所述熱電制冷器的冷端與所述基體相連接；與所述熱電制冷器的熱端相連...

本申請提供了一種運動控制裝置、磁控裝置和半導體設備，運動控制裝置包括腔體、升降傳動模塊、支撐座、驅動軸和轉動軸，腔體內部設有腔室，腔室內用于放置待運動部件；升降傳動模塊設于腔體上方，用于與第一動力源相連；支撐座用于與升降傳動模塊相連，還...

本申請公開了一種圖像識別方法、裝置、設備、存儲介質及程序產品，涉及半導體技術領域，包括：確定預先創建的與待識別圖像的圖像類別對應的初始分類樹；對所述初始分類樹進行結構調整，得到目標分類樹；所述目標分類樹中的各葉子節點對應于當前所述待識別...

一種勻氣裝置及氣體處理設備，涉及半導體設備技術領域，勻氣裝置包括殼體和勻氣部；殼體包括第一圍合部和第二圍合部，第一圍合部和第二圍合部圍合并形成腔體，第一圍合部上設有進氣孔，第二圍合部上設有出氣孔；勻氣部位于腔體內并將腔體分隔為兩個子腔體...

本申請提供一種玻片夾持機構，涉及半導體技術領域。玻片夾持機構底座上具有用于放置玻片的安裝區，兩組夾持組件分別位于安裝區的兩側；夾持組件均包括至少一個夾持設備，夾持設備包括夾持件、驅動件、力學傳感器、位置傳感器以及控制系統，控制系統與驅動...

本申請實施例提供一種安裝件及半導體加工設備。涉及半導體加工制造技術領域，用于解決安裝件的拆裝難度較大及操作不便的問題。該安裝件包括安裝件本體和彈性件，安裝件本體包括沿安裝件本體的安裝方向的前端和后端；彈性件包括基部、彈臂部和卡接部，基部...

本申請提供了一種陽極、X射線源及X射線設備。陽極包括基座、金剛石承載件及靶材。基座的制成材材料與金剛石承載件的制成材料均包括金剛石。基座通過金剛石粉末與銅粉末共燒而成。金剛石承載件與基座通過焊接相固定，靶材設于所述金剛石承載件。靶材用于...

一種工藝套件和半導體處理設備，涉及物理氣相沉積技術領域，包括屏蔽件，屏蔽件包括筒狀側壁，筒狀側壁圍合形成第一容納腔，第一容納腔用于容納靶材；筒狀側壁的內壁面包括沿筒狀側壁軸向方向相鄰接的第一內環壁面和第二內環壁面，第一內環壁面用于與靶材...

本申請提供一種搬運機械手，涉及半導體技術領域。搬運機械手包括本體以及手臂；本體具有第一驅動軸、第二驅動軸以及第三驅動軸；手臂包括肩關節、大臂、肘關節、小臂、腕關節以及腕板組件，大臂的前端連接肩關節，大臂的末端連接肘關節，小臂的前端連接肘...

本申請提供一種半導體外延基座和半導體外延設備，涉及半導體技術領域。用于降低邊緣溫度下降現象，從而提高膜厚均勻性以及電阻率均勻性。半導體外延基座包括支撐部以及位于支撐部上的主體部。主體部包括第一主體段以及第二主體段，第二主體段環繞第一主體...