本發明涉及一種用于穩定半導體材料(特別是單晶半導體材料)表面以防止形成臺階和/或珠狀物的方法，所述方法包括在大于或等于80kPa(800毫巴)的壓力下在所述表面上以氣相形成玻璃質碳層(30)。

本公開涉及一種用于制造用于檢測可見光和短波紅外線的圖像傳感器的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：a.提供包括第一半導體材料的載體襯底(1、1')；b.在載體襯底(1、1′)中形成空腔(5)，以在所述空腔(5)之間的第一半導體材料中限...

本發明涉及一種用于制造復合結構的方法，該方法包括以下步驟：(a)形成包括中間襯底(2)和第一材料的多個區塊(P1、P2、P3)的臨時襯底(20)；(b)經由區塊將臨時襯底結合到由不同于第一材料的第二材料制成的受體襯底(3)；以及(c)去...

一種用于微電子應用的結構體(Struct)，其沿著延伸平面延伸，包括砷化硼Bas的結晶層(BAs<subgt;lay</subgt;)，其具有分別沿著彼此垂直并且在所述延伸平面中的兩個方向的兩個維度，每個維度至少為2cm。

本發明涉及一種用于表面聲波器件的混合結構及相關的制造方法，所述混合結構(10)包括：壓電材料的有用層(1)，該有用層(1)被連結至具有比有用層(1)低的熱膨脹系數的支撐基板(2)；以及中間層(3)，該中間層(3)被布置在有用層(1)與支...

本發明涉及一種用于制備由含鋰鐵電材料制成的單疇薄膜(4)的方法，該方法包括提供具有自由表面(9)的第一層(8)。根據本發明，制備方法包括將第一層(8)的自由側(9)暴露于包含至少0.02％的二氧化碳的處理氣氛以形成富鋰鈍化層的表面處理和...

本發明涉及制造所謂的偽施主襯底(1、2)的兩個襯底的方法，每個偽施主襯底在載體襯底上包括至少兩個片塊，該方法包括以下連續步驟：?將至少兩個片塊(P1、P2)放置在第一載體襯底(3)上，每個片塊具有大于或等于300μm的初始厚度，以便形成...

本發明涉及一種制造用于電子功率或射頻器件的基底(15)的方法，所述方法包括以下步驟：形成支撐基底(10)，形成支撐基底(10)包括：在包括氬氣和在氫氣中流化的淀積前驅體的混合物的氣氛中通過化學氣相沉積(CVD)淀積至少一個多晶碳化硅層(...

本發明的一個方面涉及一種用于生產半導體堆疊(10)的方法，該方法包括從稱為支承層的第一硅層(11)的以下步驟：?形成在支承層(11)之上延伸的碳化硅層(12)；以及?對該層進行退火直至形成腔體(13)，每個腔體(13)從碳化硅層(12)...

提供了一種半導體結構(1)，所述半導體結構(1)包括：襯底(6)；俘獲層(3)，所述俘獲層(3)位于所述襯底(6)上并且具有小于10<supgt;18</supgt;at/cm<supgt;3</supgt;的氫...

本發明涉及一種絕緣體上壓電(POI)基板(130)，其包括承載基板(100)、位于承載基板(100)的自由表面(104)上的捕獲層(102)、壓電層(114)并且特別是鉭酸鋰(LTO)或鈮酸鋰(LNO)壓電層(114)、夾在壓電層(11...

本發明涉及一種絕緣體上壓電(POI)基板(130)，該POI基板包括承載基板(100)，該承載基板包括位于承載基板(100)的自由表面(104)上的捕獲層(102)；壓電層(106)；中間結構(110)，該中間結構夾在壓電層(106)與...

本發明涉及一種絕緣體上壓電(POI)襯底(130)，該絕緣體上壓電襯底包括承載襯底(100)，該承載襯底包括位于承載襯底(100)的自由表面(104)上的捕獲層(102)；壓電層(106)；中間結構(110)，該中間結構夾在壓電層(10...

本發明涉及一種在基板(11)上制造壓電層(10)的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：?通過第一外延在供體基板(100)上形成第一壓電材料的假晶籽晶層(102)；?經由適合于允許籽晶層的松弛的至少一個電絕緣層和/或至少一個導電層(10...

本發明涉及一種在多個硅襯底上形成相應的碳化硅層(20)的方法，所述方法依次包括：?將多個垂直堆疊的硅基礎襯底(10)放置在爐中，在兩個相鄰基礎襯底(10)之間設置有垂直間隙；?向爐中引入含碳氣體流；?將溫度升高到形成碳化硅層(20)的溫...

本發明涉及一種用于制造用于將壓電膜轉移到最終支撐襯底上的供體襯底的方法，該方法包括以下步驟：a)提供塊狀處理襯底(102)，特別是基于硅的塊狀處理襯底；c)在該塊狀處理襯底(102)上方提供壓電材料(114,142)，其特征在于，該方法...

本發明涉及一種將多晶碳化硅板的正面拋光的方法，所述多晶碳化硅板包括在研磨作用下至少部分加工損傷的表面區域，所述方法包括：?旋轉驅動的砂輪和多晶碳化硅板相對運動，所述相對運動在旋轉砂輪與所述板的正面接觸的情況下進行，直至從所述多晶碳化硅板...

本發明涉及一種制備由含鋰鐵電材料制成的單疇薄層(4)的方法。所述方法包括提供由含鋰鐵電材料制成的第一單疇層(8)，所述層結合到載體(2)，第一層(8)具有富鋰表面厚度(11)。制備方法包括對第一層(8)的自由側(9)進行濕法清潔的第一步...

本發明涉及單晶層、特別是壓電層的制造方法。所述方法包括以下連續步驟：提供包含具有A’B’O<subgt;3</subgt;組成的壓電材料的供體襯底(100)；在壓電材料A’B’O<subgt;3</subgt;上...

本發明涉及一種用于制造壓電或半導體結構的方法，其包括以下連續步驟：(a)提供供體襯底(11)，其包括壓電或半導體層(5)，(b)提供受體襯底(12)，(c)處理該供體襯底(11)的自由表面(7)和/或該受體襯底(12)的自由表面(9)，...