本發(fā)明涉及一種結(jié)構(gòu)(1)，該結(jié)構(gòu)包括由布置在基礎(chǔ)基板(2a)的表面上的電荷俘獲層(2b)制成的支承體(2)，并且包括由鋰基材料制成并轉(zhuǎn)移到支承體(2)上的薄膜(4)。結(jié)構(gòu)(1)包括布置在支承體(2)與薄膜(4)之間并與支承體(2)和薄膜...

本發(fā)明涉及一種用于制造結(jié)構(gòu)(1)的方法，該結(jié)構(gòu)包括借助于介電層(3)接合到支撐體(2)上的薄層(4)，該支撐體包括布置在基礎(chǔ)襯底(2a)的表面上的電荷俘獲層(2b)。該方法包括對該支撐體的主面的暴露表面和/或?qū)w襯底的主面的暴露表面施...

在具有非平坦表面的支撐件上制造膜的方法。本發(fā)明涉及一種在具有非平坦表面的支撐件(20)上制造膜(12)的方法，其特征在于，該方法包括：?供應(yīng)具有非平坦表面的供體襯底(10)，?在供體襯底(10)中形成脆化區(qū)(11)以界定待轉(zhuǎn)移的所述膜(...

本發(fā)明涉及一種彈性波器件的制造方法，該彈性波器件被配置為在小于1GHz的頻率下工作并且形成在POI襯底上，形成該P(yáng)OI襯底包括以下步驟：?a)在LiTaO<subgt;3</subgt;襯底(210)中注入物質(zhì)以形成有用層(...

本發(fā)明涉及一種彈性表面波器件(100)，該彈性表面波器件包括壓電層(120)、嵌入該壓電層中的電極(150A、150B)以及承載該壓電層和該電極的襯底(130)，該襯底滿足以下兩個(gè)條件：該壓電層中具有電極的彈性模式的衰減小于0.1dB/...

一種表面波器件(200)，該表面波器件包括基板(210)；該基板的頂面上方的壓電層(240)；與該壓電層接觸的一對電極(250A、250B)，這兩個(gè)電極包括指狀物(252A、252B)，這些指狀物在相同方向上延伸以便形成這兩個(gè)電極的指狀...

本發(fā)明涉及一種用于在多個(gè)施主晶片(3)中形成薄弱面的注入輪(1)，該輪(1)包括主盤(1a)和多個(gè)晶片支撐件(2)，該多個(gè)晶片支撐件布置在主盤(1a)的一個(gè)面上，每個(gè)晶片支撐件(2)具有主體表面，該施主晶片(3)的所謂“背”面被放置在該...

本發(fā)明涉及一種用于將薄膜轉(zhuǎn)移到支撐襯底上的方法，該方法包括以下步驟：?提供粘結(jié)結(jié)構(gòu)，該粘結(jié)結(jié)構(gòu)包括供體襯底和支撐襯底，該供體襯底和該支撐襯底通過遵循沿著主平面延伸的粘結(jié)界面以它們的相應(yīng)正面直接粘結(jié)來組裝，該供體襯底包括內(nèi)埋易碎平面，該內(nèi)...

本發(fā)明涉及制造包括位于接收襯底(3)上的至少兩個(gè)芯片(p11、p12、p13、p14)的結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：?通過將至少一個(gè)施主襯底(2)的至少一個(gè)片塊(P1、P2、P3)設(shè)置在支撐襯底(1)上來形成偽施主襯底(10)；?經(jīng)由片塊...

本發(fā)明涉及一種絕緣體上壓電(POI)襯底(100)，包括支撐襯底(102)，特別地硅基襯底；壓電層(108)，特別地鉭酸鋰(LTO)或鈮酸鋰(LNO)層；夾在壓電層(108)和支撐襯底(102)之間的介電層(106)，特別地氧化硅層；以...

本發(fā)明涉及用于功率或射頻電子器件的基板，所述基板包括：·由多晶碳化硅制成的支撐基板(30)，所述支撐基板(30)具有正面(10)和背面(20)，所述支撐基板(30)是自支撐的，以及·在所述支撐基板(30)的正面(10)上延伸的單晶碳化硅...

本發(fā)明涉及一種用于制造微電子組件的復(fù)合結(jié)構(gòu)，其包括設(shè)置在多晶碳化硅支撐襯底上的單晶薄膜，所述支撐襯底具有優(yōu)選的晶體取向，其中：?C<subgt;422</subgt;織構(gòu)系數(shù)小于30％；以及?C<subgt;220&l...

本發(fā)明涉及一種絕緣體上壓電(POI)基板(100)，該P(yáng)OI基板包括：具有第一聲阻抗的支承基板(102)；壓電層(104)，具體是由鉭酸鋰、鈮酸鋰、氮化鋁、鋯鈦酸鉛、硅酸鎵鑭或鉭酸鎵鑭形成；具有第二聲阻抗并且被夾設(shè)在壓電層(104)與支...

本發(fā)明涉及一種用于將薄膜轉(zhuǎn)移到支撐襯底上的方法，該方法包括：提供粘結(jié)組件，該粘結(jié)組件包括在供體襯底和該支撐襯底的相應(yīng)正面處直接粘結(jié)而組裝的該供體襯底和該支撐襯底，接著是粘結(jié)界面，該粘結(jié)組件具有在此粘結(jié)界面內(nèi)的局部未粘結(jié)區(qū)域，該供體襯底還...

本發(fā)明涉及一種用于制造雙絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括以下步驟：?提供第一供體襯底和處理襯底(1)，?在第一供體襯底中形成弱化區(qū)，以界定待轉(zhuǎn)移的第一半導(dǎo)體層(2b)，?將第一供體襯底接合到處理襯底(1)，第一電絕緣層(2a)位于...

本發(fā)明涉及一種用于制造雙絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，該結(jié)構(gòu)從結(jié)構(gòu)的背面到正面包括：處理襯底、第一電絕緣層(1b)、第一單晶半導(dǎo)體層(2)、第二電絕緣層(2b)和第二單晶半導(dǎo)體層(3)，該方法的特征在于它包括：?在處理襯底的正面和背面上形成...

本發(fā)明涉及一種將薄層轉(zhuǎn)移到支撐襯底上的方法，該方法包括以下步驟：?提供粘結(jié)結(jié)構(gòu)，該粘結(jié)結(jié)構(gòu)包括通過沿著粘結(jié)界面在其相應(yīng)正面處直接粘結(jié)而組裝的供體襯底和該支撐襯底，該供體襯底包括內(nèi)埋易碎平面，?對該粘結(jié)結(jié)構(gòu)施加斷裂熱處理以引起沿著該內(nèi)埋易...

本發(fā)明涉及一種在基板上制造包括至少兩個(gè)拼塊的結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括以下步驟：?在支承基板(1、3、S)上放置至少兩個(gè)拼塊((P1、P2)，(P’1、P’2))，所述拼塊是按照與目標(biāo)分布和/或幾何相比不正確的分布和/或幾何布置在所述支承...

本發(fā)明涉及一種制造用于將壓電層轉(zhuǎn)移至支承基板的供體基板的方法，該方法包括以下步驟：提供處理基板，特別是硅基基板；提供壓電基板；在處理基板或壓電基板上淀積聚合物層；在壓電基板的自由表面上形成中間層；按照使得形成在壓電基板上的中間層被夾在聚...

本發(fā)明涉及一種對基板進(jìn)行處理的方法，所述方法包括：對第一基板進(jìn)行處理的步驟，該步驟包括在執(zhí)行熱處理的設(shè)備中執(zhí)行的至少一個(gè)步驟，第一基板是由半導(dǎo)體材料或壓電材料制成的基板；通過對去污基板特別是硅基板進(jìn)行熱處理來對執(zhí)行熱處理的設(shè)備進(jìn)行去污的...