本技術的實施例包括掃描電子顯微鏡(SEM)，其具有被配置為生成電子束的電子槍，該電子束沿著穿過SEM的鏡筒的軸線被引導向樣品臺。在一些實施例中，SEM包括沿軸安裝的第一反向散射電子(BSE)偵測器。在一些例子中，SEM還包括偏離軸線安裝...

本申請的實施例公開了集成電路器件、其制造方法及生成集成電路布局圖的方法。IC器件包括位于襯底中的靜態隨機存取存儲器(SRAM)器件，該SRAM器件包括第一互補場效應晶體管(CFET)、第二CFET、第三CFET和第四CFET，其中第一互...

本技術提供一種光偵測元件、異質接面元件和半導體元件。光偵測元件包括包含半導體材料的半導體基板。吸收區位于半導體基板內。吸收區包括與半導體材料不同的外延材料。倍增區位于半導體基板內且與吸收區分離。通道區位于倍增區和吸收區之間，其中通道區和...

一種半導體裝置，包括存儲器單元、邏輯單元、過渡區以及互連結構，存儲器單元連接至信號線、用于接收電源供應電壓的第一電壓線以及用于接收電性接地電壓的第二電壓線，邏輯單元被配置以提供邏輯功能至存儲器單元，過渡區由存儲器單元的第一邊界延伸至邏輯...

本技術提供一種半導體裝置，具有隔離結構，半導體裝置包括：基板；第一納米結構通道區，設置在基板上；第一柵極結構，圍繞第一納米結構通道區；第二納米結構通道區，設置在基板上；第二柵極結構，圍繞第二納米結構通道區；隔離結構，設置在第一納米結構通...

本申請的實施例公開了集成電路器件及其形成方法。集成電路器件包括沿第一方向延伸的一對堆疊的有源區結構。集成電路還包括第一開關柵極導體、第一CFET柵極導體、第二CFET柵極導體和第二開關柵極導體，它們與一對堆疊有源區結構相交，并與沿第二方...

本申請的實施例提供了半導體器件。半導體器件使用互補場效應晶體管。半導體器件包括第一互補場效應晶體管(CFET)對。第一CFET對包括第一n型晶體管，具有與差分對的第一輸入端耦合的第一柵電極。第一CFET對包括第一p型晶體管，具有與差分對...

提供了半導體封裝件及其制造方法。半導體封裝件可以包含封裝襯底和位于封裝襯底上方的第一封裝組件。第一封裝組件可以包含第一半導體管芯和位于第一半導體管芯上方的散熱襯底。散熱襯底可以包括基部部分和位于基部部分的第一表面上的第一涂覆部分。第一涂...

互補場效應晶體管(CFET)形成為具有產生不同閾值電壓的功函金屬層的不同組合。方法包括在襯底的第一區域上方形成第一納米結構；在襯底的第二區域上方形成第二納米結構；在襯底的第三區域上方形成第三納米結構；在第一納米結構上沉積第一柵電極層；在...

本公開提供了半導體器件及其形成方法。形成用于半導體器件的納米結構晶體管的源極/漏極區域，使得源極/漏極區域包括金屬芯。與源極/漏極區域完全用外延生長的半導體材料填充的情況相比，金屬芯為要耦合到源極/漏極區域的前側源極/漏極接觸件和后側源...

本揭露提供一種集成電路封裝及其形成方法。集成電路封裝可包含集成電路晶粒以及在集成電路晶粒的側壁上的介電材料。集成電路晶粒可包含基材、在基材中的保護結構、在基材上的互連結構以及在互連結構中與保護結構接觸的密封環結構。保護結構與基材可包含相...

本申請的實施例公開了集成電路器件、其制造方法及生成其布局圖的方法。集成電路器件包括配置為SRAM的CFET，第一CFET包括沿第一方向定位于第一高度處的第一下拉和上拉晶體管，第二和第三CFET包括定位于第一高度處的傳輸門晶體管，并在垂直...

本發明提供一種裝置包括封裝襯底第一側上的中介層元件上芯片，以及封裝襯底的第一側上的第一環狀結構。第一環狀結構延伸圍繞中介層元件上芯片的周邊。封蓋可能配置在第一環狀結構上。裝置還包括封裝襯底的第二側上的連接器的陣列，其中封裝襯底第二側相對...

本申請的實施例公開了存儲器器件及其形成方法。存儲器器件包括第一、第二、第三和第四晶體管以及第一和第二導體。第一晶體管耦合到第一節點并包括第一柵極。第二晶體管耦合到第一節點并包括第二柵極。第三晶體管耦合到第二節點，并且包括在第一方向上與第...

本公開涉及半導體器件及其形成方法。形成納米結構晶體管的源極/漏極接觸件，使得使用多步驟蝕刻工藝使源極/漏極接觸件在納米結構晶體管的下面的源極/漏極區域內凹陷。使源極/漏極接觸件在源極/漏極區域內凹陷為源極/漏極接觸件與源極/漏極區域接觸...

本公開涉及半導體器件及其形成方法。通過在納米結構溝道周圍沉積共形犧牲間隔件層，然后蝕刻犧牲間隔件層以使得犧牲間隔件層僅作為犧牲間隔件保留在垂直相鄰的納米結構溝道之間，來在垂直相鄰的納米結構溝道之間形成犧牲間隔件。可流動沉積技術可用于在具...

本技術的實施例提供一種包括延伸到襯底的前側表面中的隔離結構的集成芯片。隔離結構側向地包圍襯底的第一裝置區。隔離結構包括在第一方向上伸長且至少部分地定義出第一裝置區的一對隔離邊緣。一對源極/漏極區設置在第一裝置區內且在第一方向上彼此側向地...

本技術提供封裝結構，封裝結構包括第一晶粒與第二晶粒，埋置于第一絕緣材料中；第一重布線結構，位于第一晶粒與第二晶粒上；第二成型材料，位于第一晶粒與第二晶粒的部分上，其中第二成型材料位于第一重布線結構的第一部分與第二部分之間；第一通孔，延伸...

半導體光子裝置的波導結構（例如，介電邊緣耦合器波導、金屬邊緣耦合器波導）通過使用高溫處理技術來形成并進行處理，以在形成該半導體光子裝置的多個半導體光子組件之前實現波導結構的低氫濃度。所述多個半導體光子組件容易受到高溫處理而損壞，例如金屬...

提供了半導體器件及其形成方法。示例性方法包括：形成第一鰭和第二鰭，第一鰭和第二鰭的每個包括與多個犧牲層交錯的多個溝道層；在第一鰭和第二鰭上方分別形成第一柵極堆疊件和第二柵極堆疊件，第一柵極堆疊件和第二柵極堆疊件具有不同的柵極長度；形成與...