本申請提供了一種流量監測裝置，涉及流量監測技術領域，該流量監測裝置包括：霍爾水流傳感器、電路板、顯示屏；其中，電路板的模擬引腳連接霍爾水流傳感器的模擬引腳；霍爾水流傳感器設置在待監測水管的預設位置處；電路板的數字引腳連接顯示屏的輸入引腳...

本申請提供一種電壓基準源電路及基準芯片，電路包括啟動偏置模塊、基準模塊、穩壓模塊、電壓調節模塊及電壓保護模塊；啟動偏置模塊的輸入端接入電源電壓，第一輸出端連接基準模塊的第一供電端及穩壓模塊的一端，第二輸出端連接電壓調節模塊及電壓保護模塊...

本申請提供一種穩壓電路、集成芯片以及電子設備，屬于集成電路技術領域。其中，電流鏡模組的第一端用于接入電源電壓，電流鏡模組的第二端與分壓模塊的第二端連接，電流鏡模組的第三端與電位調節模塊的第一端連接，電流鏡模組的第四端與電位調節模塊的第二...

本申請提供一種電壓調節電路，包括：第一電流復制單元、第二電流復制單元、第三電流復制單元和輸出單元；第一電流復制單元的電源端連接預設電源，第一輸出端連接第二電流復制單元的輸入端，第二輸出端連接第三電流復制單元的輸入端，第三輸出端連接上閾值...

本發明公開了一種倒扣封裝芯片及其制備方法，屬于半導體材料技術領域。該芯片的制備包括：對外延片進行初始氧化、減薄處理、去應力腐蝕、雙面光刻、正面腐蝕、正面貼膜、背面腐蝕、撕膜、去膠、磷預擴散、磷再擴散、P+環光刻腐蝕、硼注入、第一次退火、...

本發明提供了一種斯密特整形電路及系統，涉及半導體技術領域，包括電連接的改進斯密特電路和可斷電設計線路；改進斯密特電路包括兩組正反饋線路，用于對輸入信號的上升過程、下降過程進行對沖處理，以斬斷輸入信號內的不規則雜波并輸出標準方波；可斷電設...

本發明提供了一種運算放大器和電子設備，包括：基準電流源、偏置電路、差分對輸入級、放大級和輸出級；基準電流源在正電源和負電源之間的電壓大于指定的電壓值后開始工作，基準電流源用于為運算放大器提供參考電壓；參考電壓輸入至偏置電路，偏置電路用于...

本發明提供了一種數字邏輯電路輸入輸出裝置及其系統，涉及半導體技術領域，包括：輸入級采用背靠背MOS管結構；輸入級用于在接收到全電壓范圍的工作電壓時提供抗靜電功能，并將工作電壓傳輸至數字邏輯電路；輸出級采用單信號控制線路結構，單信號控制線...

本發明提供了一種總線緩沖驅動電路及集成電路芯片，涉及半導體技術領域，包括：總線信號抗干擾處理線路、熱拔插及可懸空處理線路和緩沖驅動電路；在接收到上位電路發送的總線信號的情況下，基于總線信號的電平變化情況控制抗干擾處理線路內每個開關管的導...

本申請提供一種電平移位電路，該電路包括：電壓轉換模塊、第一噪聲消除模塊、第二噪聲消除模塊及輸出模塊；電壓轉換模塊的第一輸入端接入第一脈沖信號，第二輸入端接入第二脈沖信號，第一輸出端與第一噪聲消除模塊的第一輸入端及第二噪聲消除模塊的第一輸...

本申請提供一種運算放大電路，涉及半導體技術領域。包括：電壓輸入模塊、電壓放大模塊、電壓輸出模塊和電流調節模塊；電壓輸入模塊的正輸入端用于接收正相輸入電壓，電壓輸入模塊的反輸入端用于接收反相輸入電壓，電壓輸入模塊的第一輸出端連接電壓放大模...

本申請提供一種壓控振蕩器和鎖相環電路，涉及集成電路技術領域。該壓控振蕩器包括壓控電路、電流復制電路、振蕩電路；壓控電路包括：比較單元、開關單元以及電壓采集單元；比較單元的第一輸入端用于接收輸入控制電壓，比較單元的第二輸入端通過電壓采集單...

本申請提供一種模擬開關芯片，包括：邏輯電平轉換模塊、通道傳輸門控制模塊以及通道開關模塊；通道開關模塊中包括：多個傳輸門、P+有源區以及第一N+環，P+有源區環繞在通道開關模塊的所有傳輸門的N場效應管之外，第一N+環環繞在P+有源區之外；...

本申請提供一種硅片定位裝置和接觸式曝光機，涉及光刻技術領域。硅片定位裝置包括承片臺和多個定位銷組件，多個定位銷組件均安裝于承片臺上，多個定位銷組件在預設路徑上間隔排布，多個定位銷組件中位于最邊側的兩個定位銷組件之間形成待定位的供硅片本體...

本發明提供一種晶圓加工優化方法、裝置及半導體器件，屬于半導體器件制造技術領域，本發明的晶圓加工優化方法，通過合理調整目標離子的能量和轉速，根據光刻膠的種類和厚度進行匹配，避免離子過度轟擊導致光刻膠破裂或脫落，這使得光刻膠在離子注入過程中...

本發明提供了一種管殼夾具及焊接方法，涉及芯片封裝的技術領域，管殼夾具，包括固定臺，固定臺的左右兩側分別設置有第一夾緊組件和第二夾緊組件，第一夾緊組件和第二夾緊組件用于分別壓緊在固定臺上的管殼；第一夾緊組件和第二夾緊組件均包括：第一杠桿、...

本發明提供一種ER193型雙差分比較器電路的制造方法及裝置，屬于半導體制造技術領域，本發明實施例的ER193型雙差分比較器電路的制造方法，通過調整晶圓的隔離光刻位置，確保在上隔離光刻過程中以校正外延層漂移，即使外延層發生漂移，光刻圖案依...

本發明公開了一種提高多晶硅膜層質量的方法，涉及多晶硅制備技術領域。該方法包括：向爐管的爐口和爐尾同時通入氮氣；將晶片裝載于石英舟內并送入爐管，對爐管進行升溫并抽極限真空，吹掃爐管，然后抽極限真空，隨后保壓；利用氮氣吹掃硅烷管道內殘留硅烷...

本發明提供一種芯片設計中高速緩存的數據處理方法及裝置，屬于高速緩存技術領域，本發明的芯片設計中高速緩存的數據處理方法，通過在高速緩存區的各級緩存中分別設置多個分布式存儲區域，每個處理器核心有獨立的分布式存儲區域，有助于減少核心間的緩存沖...

本申請提供一種監控電路，該監控電路包括：過壓比較模塊、欠壓比較模塊、閾值調節模塊、過壓開關模塊、欠壓開關模塊、過壓延時模塊、欠壓延時模塊和門級輸出模塊；閾值調節模塊接收調節電壓，以及接收基準電壓，閾值調節模塊分別連接過壓比較模塊和欠壓比...