本申請提供一種接觸式曝光機的硅片定位系統及其硅片定位方法，涉及半導體技術領域。接觸式曝光機的硅片定位系統包括定位輔助子系統、硅片轉運子系統和協同控制子系統；定位輔助子系統包括設置于接觸式曝光機承片臺上的定位輔助組件，用于在與硅片接觸的過...

本發明提供了一種D型觸發器電路，包括依次連接的輸入緩沖級、中間級線路和輸出緩沖級；輸入緩沖級接收第一信號并將第一信號進行抗靜電放電處理及電平轉換得到第二信號；基于第二信號確定是否添加第三信號；若添加第三信號，對第三信號進行抗靜電放電處理...

本申請公開了一種D觸發器的仿真優化方法以及D觸發器，涉及電路仿真設計領域。該方案包括對不具有熱插拔功能的D觸發器的初始三態輸出電路替換為改進三態輸出電路，得到具有熱插拔功能的D觸發器的改進電路網表；基于改進電路網表進行仿真驗證，得到D觸...

本申請提供了一種16位透明鎖存器，16位透明鎖存器包括：輸入緩存級電路和輸出驅動級電路，以實現完整的16位操作功能；在其版圖設計中，采用SOI工藝、三阱工藝和保護環工藝；SOI工藝采用襯底懸浮CMOS?SOI工藝，使PMOS晶體管和NM...

本申請提供了一種16位D觸發器，涉及半導體技術領域；該16位D觸發器包括：依次連接的控制時鐘輸入模塊、數據輸入觸發器模塊和三態輸出模塊；在16位D觸發器的版圖設計中，采用保護環工藝，在MOS管外加N+或P+隔離保護環；保護層加工工藝采用...

本申請提供一種半導體磷擴散工藝的控制方法與裝置，方法包括：基于當前批次待加工硅片對應的需求指標，確定當前批次待加工硅片對應的磷擴散工藝子任務匹配的工藝參數初始值組合；所述工藝參數包括三氯氧磷濃度、工藝溫度和工藝時長；基于預先確定的擴散爐...

本申請提供了一種雙J?K正沿觸發器及半導體器件，雙J?K正沿觸發器包括：觸發器本體、抗閂鎖結構和ESD保護電路；在雙J?K正沿觸發器的版圖中，PMOS和NMOS之間間距大于指定距離閾值，在PMOS和NMOS之間設置抗閂鎖結構；ESD保護...

本申請公開了一種面向寄存器芯片的自檢測方法和裝置，涉及芯片設計和測試領域，通過在片上存儲單元預先保存第一數量的基準測試子序列，通過索引地址生成單元組在每個周期生成第三數量的索引地址，通過多路輸出單元組根據第三數量的索引地址從第一數量的基...

本申請提供的晶圓級肖特基二極管包括：襯底、外延層、穿透區、負極、正極和焊盤。一方面，該晶圓級肖特基二極管可以將正極和負極設置在芯片的同一個平面上，并通過正面焊盤金屬蒸鍍的方式形成焊盤，其封裝工藝簡單，封裝形式有較好的電性能：電容小、壓降...

本發明提供了一種管殼夾具及焊接設備，涉及集成電路制造的技術領域，管殼夾具包括：夾持模塊，所述夾持模塊包括驅動機構和多個夾持部，多個所述夾持部沿周向排列，相鄰兩個夾持部用于夾持管殼；所述驅動機構用于驅動多個所述夾持部沿輻射狀朝內側匯聚或者...

本發明公開了一種銀金屬蒸發真空鍍膜的方法，涉及真空鍍膜技術領域。通過在蒸發設備自帶的坩堝中放置鉬坩堝，以鉬坩堝作為銀金屬材料蒸發鍍膜的容器，銀的熔點遠小于鉬的熔點，熔源過程不會導致鉬坩堝被熔化或變形；增加鉬坩堝后熱量不容易散發，降低了熔...

本發明提供了一種芯片制備方法，涉及半導體加工的技術領域，背面電極的蒸鍍是在整個晶圓未被切斷以前完成，因此，晶圓能夠通過晶圓夾具被放置在蒸鍍腔的行星架上，進行正常的熱蒸發鍍膜或者電子束蒸發鍍膜，而無需利用黏附膠，也就不會導致UV膜在蒸鍍背...

本發明提供了一種取芯片的裝置及方法，涉及激光器制備的技術領域，取芯片的裝置包括：基座、頂針和驅動機構，所述基座的上表面設置有吸氣孔和容納孔，所述頂針位于容納孔內，且所述頂針的長度方向、容納孔的深度方向均與基座的上表面垂直；所述頂針與驅動...

本發明提供了一種晶圓切割方法，涉及半導體激光器的技術領域，晶圓切割方法，包括：步驟S10.提供一晶圓，所述晶圓的正面制備有一功率器件陣列，所述功率器件陣列通過劃片槽分隔；步驟S20.對所述晶圓的背面進行減??；步驟S30.在所述晶圓的背面...

本發明提供了一種共晶焊夾具及焊接方法，涉及芯片加工的技術領域，共晶焊夾具包括：底座、裝配板和蓋板，所述蓋板上設置有貫穿上下面的加工孔，所述裝配板和蓋板自下而上設置，所述裝配板的數量為多個，多個所述裝配板沿垂直于底座的方向依次設置，每個所...

本申請提供了一種三3輸入與門及其半導體結構，三3輸入與門的半導體結構包括：在襯底和阱的基礎上制作的多個NMOS管和多個PMOS管；由多個NMOS管和多個PMOS管組成三個獨立的3輸入與門；每個NMOS管周圍設置有一P+保護環，在P+保護...

本發明提供了一種鎳金屬源塊結構，涉及電子束蒸發鍍膜的技術領域，鎳金屬源塊結構包括：一主體，主體包括倒梯形的縱向截面，主體包括對應倒梯形頂部的濺射蒸發面及對應倒梯形底部的加熱面；一第一熱傳導結構，設置于濺射蒸發面與加熱面之間，用于降低熱量...

本發明公開了一種D觸發器的制備方法及D觸發器，涉及電子器件技術領域。通過優化埋層注入、改進埋層退火工藝和隔離擴散工藝，能夠更準確的控制結深與橫向擴散，通過工藝改進改善薄氧化層的質量，增加多晶硅、氮化硅工藝做為保護層與平坦化層提高抗輻射能...

本發明提供了一種夾取集成電路管殼的鑷子，涉及半導體激光器制備的技術領域，夾取集成電路管殼的鑷子包括：兩個連接端彼此連接的鑷子臂，所述鑷子臂的夾持端具有呈平面的夾持端面；所述鑷子臂上滑動連接有延伸結構，所述延伸結構的底面與鑷子臂的夾持端面...

本發明提供了一種窄體管殼夾具、焊接設備及焊接方法，涉及焊接設備的技術領域，窄體管殼夾具包括：底座，底座上具有凹槽，凹槽的底部中間位置設置有凸臺，凸臺能夠伸入到窄體管殼的管腿的兩排金屬腳之間的縫隙內，且管腿的背面與凹槽的底面接觸時，凸臺的...