本發明提供了一種減小三極管反向放大倍數的泡發射磷擴散工藝方法。本方法在原來泡發射工藝基礎上將擴散溫度提高到了1150±20℃，通源時間減少到2～3分鐘。另外，利用鋁板散熱快的特點，將發射區磷擴散完后的硅片在鋁板上得到了快速降溫。在集成電...

本發明提供了一種晶圓級封裝瞬態電壓抑制二極管的制造方法，通過對襯底外延片硅片一次清洗、對襯底硅片進行初始氧化、對具有氧化層的襯底硅片進行一次光刻、光刻的襯底片進行磷予擴散，通過磷予擴散，將正負極引到芯片正面，產品厚度可以根據背面減薄厚度...

本發明是一種反向電壓40V或60V橋式整流電路的集成制作方法，步驟為：a、襯底硅片清洗b、初始氧c、埋層光d、注入砷e、砷退火f、漂片g、清洗：h、初始氧化i、下隔離光刻j、注入硼，k、下隔離推結m、漂片n、清洗o、外延，P、襯底硅片清...

本實用新型屬于集成電路加工技術領域，涉及一種集成電路焊壓夾具。包括底座、設置于底座上的承載臺、相互對應設置于承載臺上的固定夾片和活動夾片，所述活動夾片能夠朝向固定夾片移動，所述固定夾片和活動夾片上分別設置有V形夾持口，固定夾片的夾持口和...

本實用新型屬于集成電路制造技術領域，涉及一種扁平封裝集成電路焊壓夾具。其包括底座、設置于底座上的承載臺、相互對應設置于承載臺上的固定夾片和活動夾片，所述活動夾片能夠朝向固定夾片移動，所述固定夾片和活動夾片之間形成夾持空間，所述固定夾片底...

本發明涉及一種在半導體硅器件上化學鍍Ni、Au的工藝；其工藝步驟包括配制鍍鎳液、配置鍍金液、氯化金活化液配置、一次鍍鎳、鎳燒結、硝酸處理、二次鍍鎳和鍍金；采用本發明的方法在半導體硅器件上形成的Ni、Au鍍層，其鍍層金屬細膩、均勻，鍍層金...

本實用新型涉及一種鹽霧試驗箱電磁閥清洗裝置。本實用新型包括鹽溶液管路、設置于鹽溶液管路上的電磁閥，所述鹽溶液管路連接于鹽霧試驗箱，還包括蓄水箱和集水箱，所述電磁閥兩端的鹽溶液管路上分別安裝有進水多通管和出水多通管，進水多通管的清洗液進口...

本發明涉及一種瞬態電壓抑制二極管芯片的制造方法。本發明的工藝步驟中，通過化學拋光和熱處理吸雜處理襯底硅片以降低襯底硅片表面缺陷及體內缺陷，通過一次退火處理得到10?50um的近表面清潔區，達到減小漏電流的作用；通過退火處理使得電壓降低一...

本實用新型的目的是針對現有技術存在的問題提供一種四氯化硅精餾尾氣回收系統。本實用新型包括依次連接的緩沖器、第一液封器、冷卻器、積液器和第二液封器，所述積液器的排液口連接有水解裝置。本實用新型能夠高效的對四氯化硅精餾尾氣進行回收，防止四氯...

本實用新型屬于電子元件技術領域，涉及一種肖特基二極管臺面。本實用新型包括襯底硅片，所述襯底硅片勢壘區臺面上設置有溝槽圖形，所述溝槽圖形由均勻排布的矩形單元格構成，單元格中設置有相互平行溝槽線，相鄰單元格中的溝槽線相互垂直。本實用新型通過...

本發明屬于電子元件技術領域，涉及一種100V肖特基二極管臺面制作方法。本發明在于不增加產品尺寸的基礎上，通過對勢壘區臺面腐蝕形成溝槽，達到增加肖特基勢壘金屬面積、降低正向壓降的目的；硅腐蝕液中的HNO3對硅起氧化作用，HF對硅起腐蝕作用...

本發明提供了一種降低二次擊穿比率的40V肖特基二極管的制作工藝，本發明的肖特基二極管主要制作工藝流程：硅片外延參數制定（外延厚度：5.2-5.4um電阻率0.84-0.92Ω.cm，初始氧化5000-7000à，注入劑量2E-3E+15...

發明屬于集成電路技術領域，涉及一種在光刻掩膜版表面制備PECVD沉積氮化硅保護膜的方法。本發明采用PECVD法在光刻掩膜版沉積氮化硅的工藝溫度低，沉積速度快，沉積薄膜均勻，薄膜的缺陷密度較低，可以大大降低掩膜版受損程度，延長使用壽命；而...

本發明提供了一種提高100V肖特基二極管靜電的工藝，采用了4.5E+15-6.5E+15的高劑量離子注入，增大樂PN結的雜質濃度，同時采用高的退火溫度增加了器件結深及均勻性。肖特基二極管為表面淺結器件，摻雜濃度越大，結深越深，器件的耐壓...

本實用新型涉及一種封裝存儲器，具體涉及一種多層陶瓷封裝同步動態隨機存儲器。本實用新型包括陶瓷管殼、封蓋和存儲器芯片，還包括第一層陶瓷基片和第二層陶瓷基片，所述第一層陶瓷基片上設置有與存儲器芯片適配的通槽，所述第二層陶瓷基片上設置有與存儲...

一種倒扣封裝肖特基二極管凸點的制作工藝，按下述工藝步驟制作：a、復合模版的設計及制作；b、凸點漏印；c、凸點燒結及表面清洗。本發明在絲網印刷技術工藝的基礎上，用復合模版漏印技術，用芯片上的凸點代替傳統封裝的引出腳，能夠在間距低至0.1m...

一種半導體集成電路或分立器件倒扣封裝的植球方法，工藝步驟為：1）凸點底部金屬化；2）在芯片上涂一層厚度為50微米的錫助焊劑；3）在芯片上制作出凸點焊球。本發明通過在芯片制造完成后添加較少的工序，制作出體積小、寄生參數小和性能優良的可直接...

一種耐高壓脈寬調制控制器終端制造方法，制造步驟：采用離子注入工藝,在預留的濃硼終止高壓環區域進行硼離子注入,能量E=（50.0～80.0）keV，劑量D=（2.00～8.00）E+15cm-2；采用常規氧化擴散工藝10′(O2)+（30...

一種超小封裝的電源模塊，包括基片，所述基片為銅質，整個表面鍍鎳，所述基片分為Ⅰ區和Ⅱ區,所述Ⅰ區上設有圓孔，所述Ⅰ區基片厚度為1MM±0.1，所述Ⅱ區基片厚度為0.3MM±0.1，所述Ⅰ區和Ⅱ區連接形成0.7MM±0.2的臺階，所述Ⅱ區...

本發明利用電源管理芯片、肖特基二極管芯片、貼片電感、貼片電容直接粘接在基片上，將電源變換電路固化成電源模塊，舍棄當前的陶瓷或鋁基片作為載體，而直接采用銅金屬框架作為線路載體（基片），該基片的結構應具有屏蔽、降噪的特點，既能保證電源輸出具...