一種降低共晶焊工藝過程中硅芯片與框架孔洞率和金屬結構成本、提高焊接良率和焊接拉力的共晶焊的硅金屬化的金屬件。本發明的共晶焊的硅金屬化的金屬件采用Ti、Ni、SnAg、Au金屬結構，Ti作為粘附層金屬，起到與硅和上層金屬Ni的粘附，Ni為...

一種半導體分立器件晶圓級封裝的磷穿透工藝方法，工藝步驟：采用磷擴散工藝3′(N2)+19′(N2+POCl3)+5′(N2)技術在預留的磷穿透區域進行磷預擴散；采用常規氧化擴散工藝10′(O2)+（20~120）′(O2+H2)+10′...

本發明提供一種新的硅基各向同性濕法刻蝕工藝，通過在其表面先形成二層犧牲層：+負性450CP光刻膠，再通過硅微加工的光刻工藝形成要加工的圖形，再利用各向同性腐蝕，得到深度與寬度之比很小二維加工圖形。本發明在選擇合理配比的腐蝕系統中加入一定...

本實用新型提供一種可編程的數字集成電路交流參數測試系統。該系統包括一個可編程電源、一個示波器、一個被測器件模塊、一個信號源、一個控制計算和一個測試主板，可編程電源與被測器件模塊相連為被測模塊提供測試電源，與控制計算機相連；示波器通過探頭...

本發明提供一種半導體器件氧化物腐蝕用去離子水作為濕化代理物的方法。將去離子水攪拌或振動為不穩定水環境，先將待氧化物腐蝕片放入去離子水中２４～３５秒，將氧化物腐蝕片提出去離子水后抖動２～５下，使氧化物腐蝕片表層附著均勻的一層去離子水后再放...

一種超高速十進制計數器，其二分頻電路由Ｔ′觸發器組成，五分頻電路由觸發器、觸發器組成；所述觸發器Ｔ′、之間是通過直接耦合方式連接的；所述觸發器Ｔ′、的輸入端均采用發射極耦合的“或”和“或非”門邏輯設計，其輸出端均采用互補輸出的三極管發射...

一種激光接收器用脈沖放大處理器，包括信號處理模塊、ＴＴＬ控制信號模塊和電源供電模塊，所述信號處理模塊的信號傳遞：脈沖信號進入一級放大器的同時，啟動ＴＴＬ信號控制模塊和ＡＧＣ自動增益控制線路，將所述脈沖信號的小信號放大，大信號被抑制后，再...

一種激光接收器用脈沖放大處理器，包括信號處理模塊、ＴＴＬ控制信號模塊和電源供電模塊，所述信號處理模塊的信號傳遞：脈沖信號進入一級放大器的同時，啟動ＴＴＬ信號控制模塊和ＡＧＣ自動增益控制線路，將所述脈沖信號的小信號放大，大信號被抑制后，再...

本實用新型公開了一種肖特基二極管，在二極管襯底的正面自下而上依次設置有厚度為５００～７００底層金屬層鈦、厚度為６８００～７２００阻擋金屬層鈦鎢合金、厚度為６８００～７２００粘附金屬層鈦和厚度為１００００金屬電極層銀，本實用新型提供一種金...

一種混合集成電路的生產工藝，所述生產工藝是在現有的工藝流程中加進芯片保護和貼片導電元件粘接兩工序，所述芯片保護工藝：在管芯粘接、壓焊后，將管芯及壓焊絲點粘；所述貼片導電元件粘接工藝：貼片導電元件在粘接時，將貼片的導電元件中間采用紅膠粘接...

一種用多晶硅制作突變結的穩壓二極管，在Ｎ型襯底拋光片上，先制作一個ＰＮ結保護環，在該ＰＮ結保護環內的Ｎ型襯底拋光片上的表面和該ＰＮ結保護環的內半邊處均淀積一層多晶硅，形成一種普通ＰＮ結二極管和一個突變結二極管并聯的結構的穩壓二極管；其制...

本發明提供一種可編程的數字集成電路交流參數測試系統及方法。該系統包括一個可編程電源、一個示波器、一個被測器件模塊、一個信號源、一個控制計算和一個測試主板，測試系統使集成電路的交流測試系統具備通用性，可為不同類型的測試對象提供通用和特定的...

一種半導體硅片磷擴散后涂膠前表面處理工藝，按下述工藝方法處理：ａ、硅片在磷擴散后在１１５～１２５℃溫度下的濃硫酸，對硅片表面進行浸泡脫水處理；用去離子水沖水１０分鐘；在甩干機中旋轉甩干５分鐘；將硅片懸置在異丙醇蒸氣中，用異丙醇蒸氣將硅片...

一種集成電路金屬化Ｍｏ、Ｓｉ－Ａｌ兩層結構的互連工藝，其工藝流程為：將待作金屬的晶圓裝入濺射裝置中；在高真空條件下先濺射厚度為９００～１１００的阻擋金屬鉬Ｍｏ，后濺射厚度為１００００－２００００的金屬鋁Ａｌ，濺射源采用含硅１％～２％的鋁...

本發明公開了一種肖特基二極管金屬結構正反向腐蝕工藝，該工藝金屬腐蝕順序設定為：腐蝕Ａｇ金屬→腐蝕Ｔｉ金屬→腐蝕Ｔｉ－Ｗ金屬→腐蝕Ｔｉ金屬→腐蝕Ｔｉ－Ｗ金屬→腐蝕Ｔｉ金屬→腐蝕Ａｇ金屬，對應不同金屬使用不同的腐蝕液進行腐蝕，具體腐蝕液配比...