本發明提供一種三態輸出D鎖存器。該三態輸出D鎖存器由D鎖存器單元、反相器F2以及用作三態輸出單元的C<supgt;2</supgt;MOS反相器組成。所述D鎖存器將系統時鐘信號脈寬壓縮以后用作自身的觸發時鐘；其輸出信號Q通過...

本發明涉及一種半導體晶圓的刷膠方法，在第一次刷膠處理之前，預先在半導體晶圓的背面形成圖案化的無機介質層，該無機介質層覆蓋半導體晶圓的切割道，進而可以避免在切割道處形成半導體晶圓和第一膠層的接合界面，進而可以有效避免在切割過程中膠層剝離現象

本發明涉及一種半導體晶片的背面刷膠方法，包括以下步驟：在所述半導體晶片的背面沉積一無機介質層；對所述無機介質層進行圖案化處理，在所述無機介質層中形成多個平行排列的凹槽，所述凹槽暴露所述半導體晶片的背面；在所述半導體晶片的背面依次進行第一...

本發明涉及一種半導體晶圓的切割工藝及半導體裸片，在本發明的半導體晶圓的切割工藝中，預先形成一光敏粘結層，所述光敏粘結層在紫外光照射下粘性降低，進而可以剝離，然后再進行刷膠工藝，將半導體裸片接合在承載基座上之后，當檢測到芯片受到損傷時，可...

本發明公開了一種帶隙基準源電路

本發明提供了一種硅晶片夾持器，涉及半導體制備的技術領域，硅晶片夾持器包括：背板，所述背板的正面具有下夾持件，所述背板上滑動連接有與所述下夾持件相對的上夾持件，所述上夾持件能夠朝向或者遠離所述下夾持件運動；所述上夾持件包括底座和弧形彈片，...

本發明提供了一種晶圓夾具，涉及半導體芯片制備的技術領域，晶圓夾具包括：夾座，夾座的正面具有固定夾爪，夾座上滑動連接有與固定夾爪相對的移動夾爪；移動夾爪包括底座和弧形彈片，弧形彈片的兩端分別與底座連接；弧形彈片的弧面朝固定夾爪所在一側彎曲...

本發明提供了一種晶圓固定裝置，涉及半導體制備的技術領域，晶圓固定裝置包括：固定盤，固定盤的正面具有第一夾持部，固定盤上滑動連接有與第一夾持部相對的第二夾持部，第二夾持部能夠朝向或者遠離第一夾持部運動；第二夾持部包括基座和彈性體，彈性體的...

本發明涉及電子器件制造的技術領域，尤其是涉及一種集成電路切割成型設備及切割方法。本發明提供的集成電路切割成型設備，包括：刀座和至少一對刀刃相對的動刀；動刀滑動連接于刀座，且刀刃相對的動刀通過在刀座上相對運動，使相對的刀刃相互靠近進行切割...

本發明提供了一種穩壓器電路的控制方法和穩壓器電路。穩壓器電路包括：穩壓電路、采樣電路和零點補償電路；穩壓電路基于預先設定的基準電壓和分壓后的輸出電壓確定誤差信號，基于誤差信號調整輸出電壓；采樣電路精確采樣流過負載端的電流；零點補償電路接...

本發明公開一種系統級集成電路的直流壓降分析系統及分析方法。本發明所述方法首先將系統級集成電路劃分為多個子系統，在分析第m個子系統時，將除第m個子系統之外的所有子系統視為一個待處理系統；對每個子系統的場進行網格劃分，將子系統的外部電路和其...

本發明提供一種硅圓膜壓阻傳感器及其實現方法。該方法包括在晶向&lt;100&gt;的N型硅圓膜上通過擴散工藝設置結深相同、構成惠斯通平衡電橋的電阻R1、R2、R3、R4，電阻R1、R3串聯作為惠斯通平衡電橋的一臂、電阻R...

本發明公開了一種晶圓級倒扣封裝低電容瞬態電壓抑制二極管的制造方法，包括選用P型襯底電阻率0.001

本申請提供了一種芯片外殼打印用裝置，屬于打印設備技術領域。該芯片外殼打印用裝置，包括工作臺、手動壓印機構和夾持調節機構。所述手動壓印機構包括底座、支撐架、升降板、壓桿、固定帽、儲墨管和連接套管，所述夾持調節機構包括底板、活動座、螺桿和夾...

本實用新型涉及一種真空燒結爐芯片固定裝置。其包括橫梁、豎直設置于所述橫梁兩端的固定桿，所述橫梁底面沿所述橫梁長度方向均勻排布有豎直向下的壓覆桿，所述壓覆桿與所述橫梁可拆卸連接，所述固定桿下端設有夾持固定裝置。本實用新型能夠將芯片封裝殼體...

本實用新型涉及一種電子器件制造設備，具體涉及一種電子器件管腳剪切裝置。其包括工作臺，所述工作臺上設置有往復推動機構、曲桿和剪切機構。本實用新型通過往復推動機構對曲桿往復推動，使曲桿對活動刀刃進行往復推動，從而使得活動刀刃持續執行往復式剪...

本實用新型涉及一種集成電路生產用檢測裝置，具體涉及一種集成電路清洗用離子水電阻率檢測裝置。包括離子水排液管、檢測豎管和液體介質電阻率檢測儀，所述離子水排液管由依次連接的進液橫管、排液豎管、排液橫管組成，所述檢測豎管兩端分別與進液橫管和排...

一種納秒級功率脈沖發生電路，其由三端穩壓器、諧振器、多諧振蕩器、功率三極管、若干電阻和電容電連組成，能提供輸出上升沿小于16ns、功率大于3A的脈沖信號用于大功率三極管時間參數的測試，且該電路結構簡單、成本低廉，適合應用于半導體測試領域。

本實用新型屬于半導體制造技術領域，涉及一種半導體制造用濕法氧化裝置。包括擴散爐和水氣供給管路，所述水氣供給管路包括與氧氣源連接的輸氧管、與氮氣源連接的輸氮管、與去離子水源連接的去離子水輸送管，所述輸氧管和輸氮管上設置有開關閥和流量控制閥...

本發明公開了一種半導體芯片正面焊接金屬結構的方法，屬于半導體集成電路及分立器件加工技術領域，該方法包括的步驟有：a、襯底硅片清洗；b、Ti?W金屬濺射處理；c、蒸發金屬Al，本發明采用兩種清洗液先后處理硅片使其潔凈化，有利于Ti?W金屬...