示例性處理方法可包括向半導體處理腔室的處理區域提供含硅前驅物。基板可被容納在所述處理區域中。所述基板可限定特征。所述方法可包括形成所述含硅前驅物的等離子體流出物。所述方法可包括在所述基板上沉積含硅材料。所述方法可包括向所述處理區域提供含...

本文討論并且提供諸如柔性蓋板透鏡膜的柔性顯示設備。柔性蓋板透鏡膜具有良好的強度、彈性、光學透明度、耐磨性和熱穩定性。蓋板透鏡膜包括：硬涂層，具有從約5μm至40μm的厚度；沖擊吸收層，具有從約20μm至110μm的厚度；和基板層，具有從...

一種基板支撐組件包括：加熱器板，所述加熱器板包括電介質材料；加熱器電極，所述加熱器電極嵌入加熱器板內；一組分布式凈化通道，所述組分布式凈化通道在加熱器板內形成，其中所述組分布式凈化通道提供一組氣體流動路徑，以均衡來自加熱器板內的氣流并在...

所公開的系統及技術涉及制造系統中基于干涉測量的樣品厚度計量。例如，所公開的技術包括將聚焦射束引導至樣品的多個位置并且檢測與離開相應位置且在聚焦射束與所述樣品相互作用之后產生的光相關聯的干涉圖案(IP)。所述技術進一步包括基于與離開第一位...

提供了一種處理腔室，包括：腔室主體，封閉內部容積；第一基板支撐件和第二基板支撐件，各自定位在所述內部容積中，所述第一基板支撐件定位在所述第二基板支撐件上方；阻擋層，定位在所述第一基板支撐件與所述第二基板支撐件之間，所述內部容積包括在所述...

描述了在真空處理系統中支撐基板的基板支撐件。所述基板支撐件包括基板支撐主體，其具有用于支撐基板的前側和與前側相對的后側，前側有至少一個凹槽，有至少一個開口從后側通往凹槽，有至少一個升舉銷，其軸的尺寸小于開口，且其頭部的尺寸小于凹槽，升舉...

本發明涉及用于處理腔室的涂覆材料。本文描述的實施方式涉及控制沉積在大基板上的SiN膜的均勻性的方法。當通過向腔室施加射頻(RF)功率來激勵所述腔室中的前驅物氣體或氣體混合物時，流過等離子體的RF電流在電極間間隙中產生駐波效應(SWE)。...

一種基于小芯片的架構可量化或減少人工智能處理器中的數據路徑的各個級處的位數量。該架構可利用一起量化多個維度之間的協同作用來大幅度減少存儲器使用和數據路徑帶寬。可在訓練程序之后靜態量化內部權重。可在推理操作期間動態量化累加器位和激活位。新...

本技術包括具有改進浮體效應的垂直單元陣列晶體管（VCAAT）。這些陣列包括沿第一水平方向排列的一個或多個位元線和沿第二水平方向排列的一個或多個字線。陣列包括在與第一方向和第二水平方向大致正交的垂直方向上延伸的一個或多個通道，使得位元線與...

本文公開一種用于基板支撐組件中的壓力密封的設備及方法。在一個實例中，一種用于壓力容納的設備包括金屬芯環與外涂層，所述金屬芯環經配置設置在基板基座的殼體內，所述外涂層設置在所述金屬芯的外表面上，所述外涂層可操作以承受約125牛頓/毫米2或...

提供了用于清潔和潤濕半導體基板的方法和系統。方法和系統包括用具有比氧氣更高的在潤濕劑中的溶解度的氣體在容納所述半導體基板的盆狀件中形成氣氛。方法和系統包括在維持所述氣氛的同時用噴灑頭將所述潤濕劑噴灑到所述基板上。方法和系統包括可旋轉地平...

本案公開了一種用于熱調節腔室部件的非暫時性計算機可讀介質。所述非暫時性計算機可讀介質包括當被執行時導致進行多個操作的指令。所述操作包括讀出半導體處理腔室內的腔室部件的第一溫度，將所述第一溫度與所述腔室部件的第一設定點相比較，以及調節供應...

公開了在沉積腔室制造期間的微粒物的實時檢測。公開的實施方式描述了一種系統，該系統包括：沉積腔室；產生入射光束的光源，其中該入射光束用于照射沉積腔室的區域；和相機，收集源自沉積腔室的照射區域的散射光，其中當第一入射光束與沉積腔室的照射區域...

本文披露的實施方式大體涉及形成薄膜晶體管(TFT)的方法。所述方法包括形成一個或多個金屬氧化物層和/或多晶硅層。使用具有電感耦合等離子體(ICP)的高密度等離子體化學氣相沉積(HDP?CVD)工藝將柵極界面(GI)層沉積在一個或多個金屬...

本公開內容的多個實施方式涉及通過減少沉積膜的懸垂部來擴大基板特征結構的開口寬度的方法。本公開內容的一些實施方式利用高能量偏壓脈沖來蝕刻基板特征結構的開口附近的沉積膜。本公開內容的一些實施方式在不損壞下面的基板的情況下蝕刻沉積膜。

提供了用于形成設置在基板上的有機發光二極管(OLED)結構的方法和設備。在一個實施方式中，提供了一種用于形成有機發光二極管(OLED)基板的方法，所述方法包括：在第一方向上在基板上形成第一導電層；在所述第一導電層的一部分上形成介電層，其...

用于調試半導體加工工具的方法和設備包括將移動設施車連接到半導體加工工具；將來自所述移動設施車的設施提供給半導體加工工具；以及使用通過所述連接的移動設施車提供的設施操作所述半導體加工工具。

一種對準組件包括傳感器和蓋，所述蓋包括第一窗口。所述對準組件還包括旋轉接頭，所述旋轉接頭耦接到所述蓋。所述對準組件還包括夾具，所述夾具耦接到所述旋轉接頭并且可繞著所述旋轉接頭相對于所述蓋樞轉。所述夾具包括可延伸臂，所述可延伸臂可從縮回位...

本公開內容涉及一種用于與半導體處理腔室一起使用的輻射反射器組件和一種具有所述輻射反射器組件的基板處理系統。所述輻射反射器組件包括殼體主體，所述殼體主體包括內部圓柱形壁；以及反射器盤，所述反射器盤包括中心孔、底部反射表面和頂表面。所述反射...

一種方法包括透過處理裝置取得指示基板的重迭誤差的第一數據。所述方法進一步包括基于所述第一數據產生指示所述基板的第一應力均勻性的第二數據。所述方法進一步包括基于所述第二數據實行校正動作。