久久久精品国产麻豆一区二区无限,中国普通话特级毛片,色午夜TV,很很干狠狠操,国产精品亚洲欧美卡通动漫,亚洲国产欧美久久香综合,国产精品店无码一区二区三区,韩国无码一区二区三区精品
        浙江創芯集成電路有限公司專利技術

        浙江創芯集成電路有限公司共有484項專利

        • 本公開實施例提供了一種晶圓刻蝕裝置,其中,晶圓刻蝕裝置包括:腔體,所述腔體具有腔室以及維護端口,所述維護端口與所述腔室連通,用于為維護工具進出所述腔室提供通道;基座,所述基座位于所述腔室內,用于承載晶圓;封蓋,所述封蓋位于所述維護端口處...
        • 本公開實施例提供了一種顯微鏡組件,其中,顯微鏡組件包括:物鏡轉換臺;連接件,固設于所述物鏡轉換臺外側;撥動件,位于所述連接件外側,且與所述連接件連接,適于驅動所述物鏡轉換臺轉動。通過在物鏡轉換臺上加裝連接件,以及所述連接件上連接撥動件,...
        • 本申請提供了一種等離子刻蝕設備,包括:刻蝕腔;進氣裝置,所述進氣裝置與所述刻蝕腔連通;加熱裝置,所述加熱裝置與所述進氣裝置連通,以及與所述刻蝕腔連通;其中,所述進氣裝置向所述加熱裝置輸送待加熱的氣體,以使所述加熱裝置加熱所述待加熱的氣體...
        • 本申請實施例提供一種半導體加熱脫氣裝置,所述加熱脫氣裝置包括:用于對晶圓加熱脫氣的腔室;加熱單元,固設于所述腔室內,用于在對所述晶圓脫氣時提供熱量;載臺,位于所述腔室內,用于承載一片或多片晶圓;旋轉部件,與所述腔室轉動連接,且與所述載臺...
        • 本發明提供一種多深度硅波導的制備方法,包括步驟:提供一設有自下而上依次堆疊有下包層和硅層的半導體襯底,硅層包括第一預設凹槽區和第二預設凹槽區,形成硬掩膜層于硅層上,基于第一光罩圖形化硬掩膜層形成第一開口和第二開口,形成第一光刻膠層于硬掩...
        • 本申請實施例提供一種半導體結構及其形成方法,所述半導體結構,包括:基底;漂移區,位于所述基底上;溝道層,位于所述漂移區內;阱區,位于所述基底上,且與所述漂移區的第一側相鄰;第一柵極結構,位于所述基底上,且橫跨所述阱區和溝道層;源極摻雜層...
        • 一種晶圓的干燥裝置,包括:載臺,用于承載所述晶圓;第一干燥單元,用于對所述晶圓噴灑干燥液;第二干燥單元,用于去除所述干燥液以干燥晶圓,所述第二干燥單元包含一個或多個氣體噴嘴,至少一個氣體噴嘴的延伸方向與所述晶圓表面的夾角呈(0,90°)...
        • 本公開實施例提供了一種濕法清洗設備,包括:濕法清洗腔室;可旋轉的伯努利臺盤,位于所述濕法清洗腔室內,用于放置晶圓;所述晶圓吸附于所述伯努利臺盤上,且正面朝向所述伯努利臺盤;回收杯組件,圍繞所述伯努利臺盤設置,以收集所述晶圓旋轉時甩出的液...
        • 一種裝載裝置及半導體設備,裝載裝置用于裝載晶圓卡匣,裝載裝置包括:承載模組,包括承載臺、以及設置于所述承載臺兩側且并列排布的限位護欄,所述承載臺用于承載所述晶圓卡匣;鎖定模組,用于鎖固所述晶圓卡匣的頂部,所述鎖定模組包括鎖定部件,所述鎖...
        • 本申請實施例提供了一種離子注入機及半導體制造設備,所述離子注入機的機臺劃分為第一功能區域和第二功能區域,第一功能區域和第二功能區域豎直分層布局,并且第一功能區域位于下層,第二功能區域位于上層;第二功能區域的潔凈度高于第一功能區域;所述第...
        • 本技術提供一種真空設備及傳送裝置,其中,真空設備與吸附組件連接,包括:提供第一傳輸路徑的第一管道,所述第一管道具有第一端和第二端,所述第一管道的第一端與所述吸附組件連接;提供第二傳輸路徑的第二管道,所述第二管道具有第一端和第二端,所述第...
        • 一種晶圓對準裝置及半導體設備,晶圓對準裝置包括:卡盤;吹氣模組,至少包括位于卡盤的側部的吹氣口,且在卡盤承載晶圓的狀態下,吹氣口位于晶圓的背面,吹氣模組用于向晶圓背面提供吹掃氣體;晶圓固定模組,包括設置于卡盤上且用于承載晶圓的支架,支架...
        • 本公開實施例涉及一種聚焦環定位裝置,其中,所述定位裝置包括:旋轉平臺;角度檢測傳感器,用于校準所述旋轉平臺的角度;伸縮機構,連接在所述旋轉平臺上,沿所述旋轉平臺的圓形旋轉軌跡的徑向延伸設置;圓心定位機構,連接在所述伸縮機構上;校正抓手,...
        • 本公開實施例提供了一種取樣裝置,其中,取樣裝置可以包括:第一殼體、第一管路、第二管路、第三管路以及控制開關,第一殼體具有容置腔,容置腔用于容置取樣瓶,第一管路的輸入端口用于接入取樣介質,第二管路的輸出端口位于容置腔內,用于向容置腔內輸入...
        • 本公開實施例提供了一種溫控器,其中,所述溫控器包括:殼體,所述殼體的側壁具有開口,所述開口具有相對的內側壁;管道,穿設所述開口;液體導流結構,設置于所述開口處的管道上方和/或下方,且與所述殼體的側壁連接;其中,所述液體導流結構包括:導流...
        • 本申請實施例提供了一種光罩的預對準檢測系統及半導體制造設備,所述光罩包括多個預對準標識,所述預對準檢測系統包括:移栽機,所述移栽機包括夾持機構以及移栽機光源,所述移栽機光源包括多個光源發射器;光罩存儲盒,所述光罩存儲盒包括:多個光罩固定...
        • 本公開實施例提供了一種濕法刻蝕設備,包括:刻蝕腔室;可旋轉的晶圓載臺,位于所述刻蝕腔室內,用于放置晶圓;回收杯組件,圍繞所述晶圓載臺設置,以收集所述晶圓旋轉時甩出的液體;其中,所述回收杯組件包含多層杯體,相鄰的杯體之間具有導流通道;每層...
        • 本公開實施例提供了一種晶圓移動系統及晶圓加工設備,其中,晶圓移動系統包括機臺、機械臂、發射裝置、接收裝置、信號處理單元和控制單元;機械臂安裝在機臺上,發射裝置與接收裝置中的至少一個安裝于機械臂上,接收裝置與發射裝置相適配;發射裝置朝向晶...
        • 本公開提供一種晶圓承載裝置,晶圓承載裝置包括:卡盤、測試器、傳輸件以及溫度監控器,其中,所述卡盤具有:第一端面,用于承載晶圓;測溫孔,貫穿所述卡盤,所述測溫孔在所述第一端面處的端口設置有定位槽,所述定位槽與所述測溫孔同軸設置;所述測試器...
        • 一種半導體結構及其形成方法,結構包括:襯底;漂移區,位于襯底中,且漂移區中摻雜有第一型離子;體區,位于襯底中且與漂移區相鄰接,且體區中摻雜有第二型離子,第一型離子與第二型離子的離子類型不同;溝道柵極部,位于部分體區的頂部以及延伸覆蓋部分...