本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別涉及一種低溫漂頻率線性可調(diào)的振蕩器電路，包括：線性可編程的低溫漂電流生成器與環(huán)形振蕩器；線性可編程的低溫漂電流生成器生成低溫漂電流，環(huán)形振蕩器根據(jù)低溫漂電流產(chǎn)生方波；本申請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)的低溫漂頻率線性可調(diào)的振蕩器電路...

本發(fā)明涉及車輛控制技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高度集成的嵌入式電機(jī)控制MCU芯片及其控制系統(tǒng)，所述嵌入式電機(jī)控制MCU芯片，包括：換相邏輯控制器、FOC引擎、微步控制器、PWM同步管理器、故障仲裁單元；本申請(qǐng)通過獨(dú)立供電域、時(shí)鐘同步采樣以及換...

本發(fā)明公開了一種基于VIBE算法的X射線芯片空洞檢測方法及系統(tǒng)，該方法包括：根據(jù)空洞分析算法構(gòu)建背景模型；采集待測芯片的序列圖像，利用序列圖像的前預(yù)設(shè)幀數(shù)初始化背景模型；根據(jù)圖像背景復(fù)雜度確定自適應(yīng)分割閾值，根據(jù)自適應(yīng)分割閾值進(jìn)行前景檢...

本發(fā)明公開了一種可自適應(yīng)預(yù)充電的系統(tǒng)電源及其運(yùn)行方法，該系統(tǒng)電源包括：預(yù)充電電路，和輸入電源連接，其包括預(yù)充電使能控制電路、RC延時(shí)電路和MOS管，預(yù)充電使能控制電路根據(jù)MOS管開斷控制信號(hào)控制MOS管的導(dǎo)通和斷開，RC延時(shí)電路用于延長...

本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別涉及一種降噪濾波和軟啟動(dòng)復(fù)用電路，該電路包括降噪電容控制器和軟啟動(dòng)復(fù)用模塊，其中軟啟動(dòng)復(fù)用模塊在使能正常的情況下，根據(jù)基準(zhǔn)電壓模塊提供的兩個(gè)基準(zhǔn)電壓利用電流源為外部電容充電；當(dāng)充電達(dá)到軟啟動(dòng)復(fù)用模塊內(nèi)部比較器...

本發(fā)明公開了一種用于低噪聲器件隔離的溝槽結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述制造方法包括以下步驟：提供一襯底并在所述襯底上形成第一淺溝槽和第二淺溝槽；在所述第一淺溝槽和第二淺溝槽中淀積形成第二氧化層；在所述第一淺溝槽的中部刻蝕形成穿過第二氧化層并伸入...

本發(fā)明公開了一種用于待校準(zhǔn)電流源補(bǔ)償?shù)碾娏麋R電路，包括補(bǔ)償電流源、電流鏡和電壓單元，補(bǔ)償電流源用于提供補(bǔ)償電流至電流鏡的輸入端；電流鏡用于根據(jù)補(bǔ)償電流在其輸出端輸出相應(yīng)的鏡像電流，通過所述鏡像電流對(duì)待校正電流源Iu進(jìn)行補(bǔ)償；電壓單元用于...

本發(fā)明屬于檢測輔助設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種超聲掃描儀載物臺(tái)。該載物臺(tái)包括第一載具、可調(diào)支撐組件、第二載具以及水平儀，各部件協(xié)同實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定承載、精準(zhǔn)水平調(diào)節(jié)與靈活適配功能。可調(diào)支撐組件含支撐腿、可調(diào)支撐腳及穩(wěn)定件，既能微調(diào)第一載具水平度，...

本發(fā)明公開了一種陶瓷封裝器件X射線圖像預(yù)處理方法及系統(tǒng)，所述方法包括以下步驟：獲取陶瓷封裝器件的X射線圖像；采用自適應(yīng)雙閾值分割法對(duì)所述X射線圖像進(jìn)行分割，初步得到陶瓷封裝器件區(qū)域的圖像，記為第一圖像；進(jìn)行連通域標(biāo)記并通過對(duì)各連通域面積...

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體封裝測試優(yōu)化方法及系統(tǒng)，該方法包括以下步驟：S1：基于傳感器實(shí)時(shí)獲取當(dāng)前封裝測試設(shè)備的運(yùn)行參數(shù)；S2：對(duì)獲取的運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行預(yù)處理后分析，確定不同指標(biāo)的權(quán)重值，并根據(jù)指標(biāo)的權(quán)重值，計(jì)算當(dāng)前封裝測試設(shè)備的狀態(tài)偏好值；S...

本發(fā)明公開了一種雙極結(jié)型晶體管工藝中集成PJFET器件和NJFET器件的方法及結(jié)構(gòu)，方法包括：提供襯底，在襯底上形成雙極結(jié)型晶體管、PJFET器件和NJFET器件的埋層結(jié)構(gòu)、隔離結(jié)構(gòu)以及外延層；在外延層中進(jìn)行穿透摻雜和阱區(qū)摻雜；在外延層...

本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種運(yùn)算放大器中的抗工藝波動(dòng)的簡易過溫保護(hù)電路，包括針對(duì)具有輸出能力的運(yùn)算放大器，利用基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓與過溫保護(hù)電路輸出電平進(jìn)行比較，從而獲得控制關(guān)斷信號(hào)，對(duì)電路實(shí)施過熱關(guān)斷功能，基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)...

本發(fā)明提供一種用于DCDC電流限的電流比較電路，該電路包括：6個(gè)NMOS開關(guān)M1、M2、M9~M12，4個(gè)PMOS管M5~M8，1個(gè)電壓源PVIN，3個(gè)偏置電壓源VDC1~VDC3，2個(gè)電阻R1~R2以及兩個(gè)比較器AMP1~AMP2；各...

本發(fā)明公開了一種基于玻璃基板三維集成的低成本沖擊片組件制備方法，該方法包括以下步驟：提供第一基板，利用玻璃通孔工藝在所述第一基板上形成通孔陣列，并對(duì)所述通孔進(jìn)行金屬化處理，形成導(dǎo)電通孔；在第一基板頂面進(jìn)行金屬沉積，形成金屬疊層，并對(duì)所述...

本發(fā)明公開了一種在雙極結(jié)型晶體管工藝中集成雙柵JFET器件的方法及結(jié)構(gòu)，所述方法包括：提供襯底，并在襯底上形成雙極結(jié)型晶體管和JFET器件的埋層結(jié)構(gòu)、外延層及隔離結(jié)構(gòu)；在外延層中進(jìn)行穿透摻雜和阱區(qū)摻雜；在外延層上方形成集電極結(jié)晶區(qū)、基極...

本發(fā)明公開了一種低阻抗電鍍微凸點(diǎn)的制作方法及微凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，所述方法包括以下步驟：提供正面帶有焊盤的晶圓；在所述晶圓上形成露出焊盤的介質(zhì)層；在所述介質(zhì)層上形成種子層結(jié)構(gòu)；在所述種子層結(jié)構(gòu)上對(duì)應(yīng)焊盤正上方的區(qū)域形成凸點(diǎn)下金屬結(jié)構(gòu)并在所述下金屬...

本發(fā)明公開了一種電子器件可焊性試驗(yàn)用夾具，用于與可焊性試驗(yàn)設(shè)備可拆卸連接，可焊性試驗(yàn)設(shè)備包括一工作臺(tái)面，工作臺(tái)面具有一能夠升降移動(dòng)的焊料槽，電子器件可焊性試驗(yàn)用夾具包括與工作臺(tái)面可拆卸連接的底座、與底座滑動(dòng)連接并能沿底座往復(fù)移動(dòng)的支架以...

本發(fā)明公開了一種用于芯片靜電防護(hù)的鉗位電路，包括：第一MOS管，其漏極與IO端口相連，源極與ESD采樣線相連，所述ESD采樣線與電源相連；以及RC觸發(fā)式電源鉗位單元，包括RC網(wǎng)絡(luò)及電源鉗位模塊，所述RC網(wǎng)絡(luò)的中間節(jié)點(diǎn)與第一MOS管的柵極...

本發(fā)明公開了一種曲率校正帶隙基準(zhǔn)裝置，包括：帶隙基準(zhǔn)核心單元，用于根據(jù)偏置電壓產(chǎn)生基準(zhǔn)電流，并通過基準(zhǔn)電流產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓；曲率補(bǔ)償單元，用于基于所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生正溫電流和零溫電流，并根據(jù)正溫電流和零溫電流確定補(bǔ)償電流的大小，從所述帶隙基準(zhǔn)...

本發(fā)明公開了一種寬電源電壓范圍抗輻射預(yù)穩(wěn)壓電路，包括：偏置電路，包括第一電流鏡和發(fā)射結(jié)基準(zhǔn)電流源，第一電流鏡的輸入端與電源VCC電連接，其輸出端接入所述電壓參考源的輸入端，用于輸出穩(wěn)定的偏置電流；發(fā)射結(jié)基準(zhǔn)電流源用于產(chǎn)生參考電流；電壓參...