本技術屬于LED外延結構技術領域，具體公開了一種可調控波長的LED外延結構，包括圖形化襯底，在圖形化襯底上生長緩沖層，其上生長3D+GR層，GR層上生長N層，所述GR層與N層之間或者緩沖層與3D層之間生長極化改善層，所述極化改善層依次包...

本發明涉及一種紅光高壓LED芯片及其制備方法，紅光高壓LED芯片由若干個規則排布的單元芯粒組成，相鄰單元芯粒之間設置有第一蝕刻溝槽和第二蝕刻溝槽，相鄰單元芯粒之間采用通孔橋接電極實現電連接；通孔橋接電極包括依次連接的P側連接段、橋接段和...

本技術公開一種蒸鍍機，包括外殼、圓形的公轉架、驅動公轉架轉動的公轉電機、多個沿公轉架圓周均布的鍍鍋架，每個鍍鍋架的下端安裝有鍍鍋，還包括一用于調整鍍鍋高度的高度調整機構和用于調整鍍鍋傾角的角度調整機構，還包括設置在高度調整機構上的高度傳...

本技術涉及半導體技術領域，具體公開了一種DBR高附著性及高亮的LED芯片結構，包括芯粒、正極和負極，所述芯粒包括襯底、依次設于襯底表面的N型GaN、MQW量子阱層、設于襯底背面的DBR反射層，所述襯底背面開有若干均勻的孔槽，所述DBR反...

本發明屬于半導體光電子器件制造技術領域，公開了一種ITO薄膜多段退火工藝，包括以下步驟：步驟一：在高真空保護下，將爐內溫度從室溫升溫至第一溫度T1并進行第一保溫；步驟二：將爐內溫度升至更高的第二溫度T2并進行第二保溫，在第二保溫階段無需...

本技術涉及半導體技術領域，具體公開了一種新型ITO膜層結構，包括基片、ITO膜層一、ITO膜層二，所述ITO膜層一沉積在基片上，膜層一結構為IN2O3：SNO2=90:10，所述ITO膜層二沉積在ITO膜層一上，膜層二結構為IN2O3：...

本發明屬于半導體光電子器件制造技術領域，具體涉及一種基于Zn協同摻雜的高效藍綠光LED制備方法，在量子壘中引入一系列創新的、協同的Zn摻雜策略，通過超薄局域摻雜Zn，利用Zn的缺陷鈍化作用提升晶體質量，并以Zn/Si共摻實現“溫和”的載...

本發明屬于半導體光電子器件制造技術領域，具體涉及一種提高LED發光效率的外延結構及其制備方法，外延結從下到上依次包括襯底、緩沖層、UGaN?層、NGaN?層、多量子阱有源層、電子阻擋層，在所述多量子阱有源層M個Loop循環中，選擇最靠近...

本發明公開了一種藍綠光LED外延片的電壓修復方法，針對已生長完畢且被判定為電壓高不合格的外延片，通過一個精準設計的“升溫?保護性退火?補償層再生長”的工藝組合，針對性地補償空穴效率或降低接觸電阻，從而將廢品修復為合格品。本發明無需改動現...

本技術涉及發光二極管技術領域，具體涉及一種可調角度的旋轉ICP刻蝕機械系統，包括載片盤和載臺，所述載片盤與載臺之間通過連接桿連接，所述連接桿底部安裝有旋轉電機和角度調節電機，所述角度調節電機輸出軸通過固定塊與旋轉電機連接，所述旋轉電機輸...

本技術屬于LED芯片技術領域，公開了一種LED芯片濕法腐蝕裝置，包括腐蝕槽、電機、料盒，電機設于腐蝕槽的上方，電機的輸出軸連接料盒，料盒為鏤空狀并懸吊于腐蝕槽內，料盒的內部設有多個自上而下依次間隔分布且便于水平承載LED芯片片源的容置單...

本技術屬于LED芯片技術領域，公開了一種固態LED源瓶，包括瓶體，所述瓶體內部具有用于容置固態MO源的容置空間，瓶體上端連接有進氣接頭和出氣接頭，所述瓶體的內壁上設有隔離層。本技術的瓶體內壁設有隔離層，可有效避免固態MO源與瓶體內壁粘結...

本發明涉及半導體光電技術領域，具體為一種提高載流子復合效率的藍光LED生長方法，包括如下步驟：S1.與常規藍光LED制程相一致，在藍寶石上分別外延Buffer層、3D層、GR層、N?GaN層。S2.在N?GaN層后增加一層N?Al0.2...

本發明涉及半導體發光器件制造技術領域，具體為一種倒裝LED芯片的制作方法，包括以下步驟：步驟一、在圖形化藍寶石襯底上制作外延層，包括N?GaN、量子阱、P?GaN；步驟二、制作MESA蝕刻出N型區域及確定芯片大小和溝道；步驟三、制作IS...

本技術涉及發光二極管技術領域，具體涉及一種新型的LED結構，包括芯粒、正極和負極，所述芯粒包括襯底、依次設于襯底表面的N型GaN、MQW量子阱層、設于襯底背面的反射層，所述反射層為金屬反射層，所述金屬發射層底面和芯粒四個側面均設有保護層...

本技術公開了一種CVD設備沉積載臺結構，包括載片臺、加熱單元，載片臺設于加熱單元的上端，載片臺上設有多個沉積凹槽，每個沉積凹槽的底部開設有頂針孔，頂針孔向下延伸貫穿加熱單元，頂針孔內滑動連接有頂針，頂針下端連接有用于驅動其沿頂針孔進行升...

本發明涉及半導體制造技術領域，具體為一種用于GaN納米孔電化學腐蝕的外延層結構及電化學腐蝕方法，從下至上依次包括：藍寶石襯底；底部uGaN層，未摻雜GaN，厚度1?2μm；電流擴散層，Si摻雜濃度1×1019/cm3，厚度0.1?0.5...

本發明涉及半導體制造技術領域，一種用于Mini/MicroLEDCOW整面芯片結構激光剝離的高良率、無裂紋臨時鍵合方法。該方法采用“雙面丙烯酸UV減粘膠+PET剛性基材”構成的復合膜材。在真空環境下施加高壓完成臨時基板與COW的鍵合，使...

本發明涉及半導體光電器件技術領域，具體為一種單芯RGB白光LED芯片及其制作方法，包括：藍寶石襯底；依次層疊于襯底上的n?GaN層、綠光量子阱層、藍光量子阱層、p?GaN層；覆蓋p?GaN層的ITO透明導電層；設于ITO層上的SiO2鍵...

本發明涉及半導體光電器件技術領域，具體為一種高亮LED芯片及其制作方法，包括從上往上依次設置的藍寶石襯底、分布在藍寶石襯底上兩側的N?GaN區域、位于兩側N?GaN區域之間的N?finger區域、N?finger區域下沉積形成的一層CB...