本申請實施例提供了一種晶圓清洗裝置及半導體制造設備，所述晶圓清洗裝置包括：供液端，所述供液端包括供給氧化處理水的第一供液端，以及供給純水的第二供液端；輸液管道，所述輸液管道包括連接第一供液端且用于輸送氧化處理水的第一輸液管道，以及連接第...

一種調節機臺長膜平坦度裝置，包括：反應腔體；噴淋頭，用于向反應腔體內通入工藝氣體；加熱盤，用于承載并加熱放入反應腔體內的晶圓；調節桿，調節桿沿第一方向延伸，調節桿一端與加熱盤固定連接，調節桿的另一端貫穿反應腔體的側壁并延伸至反應腔體的外...

本技術提供一種靶材的定位工具及靶材安裝系統，其中靶材的定位工具，包括工具本體，所述工具本體至少包括第一端部和第二端部，所述第一端部的外壁具有與靶材安裝螺絲相同的螺紋形狀，第二端部能夠與安裝孔緊密配合，以實現定位；通過設計專門的定位工具，...

一種反應腔以及半導體加工設備，其中反應腔包括：基座；邊緣環，邊緣環內具有連接孔，且邊緣環安裝于基座的表面；中環，中環內具有第一連接通孔，且中環安裝于邊緣環與基座之間；保護環，保護環內具有第二連接通孔，且保護環安裝于連接孔的側壁表面；連接...

本發明的一種光電二極管結構及其制備方法、CMOS圖像傳感器，通過在光電二極管結構中構建鈣鈦礦/硅異質結，利用鈣鈦礦在紫外?可見光區的高吸收系數以及硅在近紅外區的光吸收優勢，顯著提升了光譜響應范圍，且當光子照射在硅和鈣鈦礦吸光層上激發產生...

本申請提供一種半導體處理設備，包括：支架；以及多個頂針組件，多個所述頂針組件圍繞所述支架的中心軸間隔分布；其中，所述頂針組件包括：支撐座，與所述支架固定；頂針，位于所述支撐座的上方；壓力傳感器，位于所述頂針和所述支撐座之間且與所述頂針和...

本發明提供一種半導體后段互連結構、半導體結構及其制備方法，在制備后層金屬互連層及相應的金屬互連孔的過程中，通過將介質層分為三層，第一介質層、第二介質層及第三介質層，將第二介質層設置為所需形成的互連凹槽的刻蝕停止層，且設置第二介質層的抗刻...

一種液體過濾裝置，包括：用于容納液體的腔室；過濾單元，固設于所述腔室內，用于對位于所述腔室內的液體進行過濾；震動單元，與所述腔室耦接，用于帶動所述腔室震動，以使混合在所述液體中的氣泡逃逸出所述液體。采用上述技術方案，有利于提高液體過濾效果。

本發明提供一種半導體金屬互連結構、半導體結構及其制備方法，將鈷金屬、釕金屬及鉬金屬應用至半導體結構后段工藝的金屬互連結構中，通過在金屬互連層中將線寬不大于（即小于等于）17nm的金屬互連線的主體導電層設置為鈷金屬互連層或釕金屬互連層或鉬...

一種滲漏監測過濾裝置，包括：殼體；端蓋，所述端蓋固設于所述殼體的第一端外，所述端蓋用于封堵所述殼體的第一端端口；監測件，所述監測件位于所述殼體的第一端外側壁，用于監測位于所述殼體的第一端外側壁處的泄露介質。采用本申請的滲漏監測過濾裝置，...

本公開實施例提供了一種掃描電子顯微鏡設備，包括：工作臺；可升降的卡盤，設置于所述工作臺上，用于承載晶圓；牽引件，所述牽引件的第一端與所述卡盤耦接；多個爪式結構，所述爪式結構部分或全部位于所述卡盤外圍，每個爪式結構的第一端與所述牽引件的第...

本申請實施例提供一種晶圓制造設備，包括：晶圓存放設備，內部設置有存放晶圓的晶圓艙室；蓋板，設置于所述晶圓存放設備表面，覆蓋所述晶圓艙室，所述蓋板表面設置有發射控制設備；限位塊，在所述晶圓艙室的側邊以及所述蓋板的側邊相對應位置處設置，以使...

本發明提供一種晶圓失配度的評估方法、裝置、電子設備及存儲介質，評估方法包括：獲取測試數據，所述測試數據包括晶圓上多個測試點的電性參數差值，每個測試點對應晶圓上的一個特定區域，且每個所述測試點的電性參數差值基于所述特定區域內的一對待測器件...

一種研磨液噴灑裝置及研磨設備，研磨液噴灑裝置包括研磨液輸送模組、氣體輸送模組和霧化噴嘴；研磨液輸送模組包括噴嘴，噴管具有出液口，噴管用于通過出液口向霧化噴嘴輸送研磨液；氣體輸送模組包括氣體輸送管路，氣體輸送管路具有出氣口，氣體輸送管路用...

本技術實施例提供一種尾氣處理設備及半導體生產設備，其中，所述尾氣處理設備，包括：污染物去除部件，在所述污染物去除部件的側壁上設置有液位線；至少一個液體偵測感應器，設置于所述液位線上，各個所述液體偵測器之間并聯連接；所述液體偵測感應器用于...

本公開實施例提供了一種取樣裝置，其中，取樣裝置包括容置箱、蓋體、取樣管以及冷卻管。容置箱設有容納腔，蓋體活動安裝于容置箱，蓋體被配置為活動以打開和關閉容納腔。取樣管被配置為輸送待檢測液，取樣管安裝于容置箱，取樣管的出液端設于容納腔內。冷...

本技術提供一種半導體供液裝置及半導體設備，半導體供液裝置包括：第一供液組件，包括：第一管道，以及設置于第一管道上的第一開關和第一流量計，第一流量計用于檢測第一管道內流動介質的第一流量值；第二供液組件，包括：第二管道，以及設置于第二管道上...

本申請提供一種半導體處理裝置，包括：定位結構；第一傳輸結構；以及清潔單元，位于定位結構和第一傳輸結構之間；其中，清潔單元包括：離子風吹氣結構和吸氣結構，離子風吹氣結構用于給半導體結構吹掃離子風，吸氣結構用于將半導體結構表面掉落的顆粒吸附...

本公開實施例提供了一種化學機械研磨設備、化學機械研磨系統，其中，化學機械研磨設備包括：主軸；蓋板，與所述主軸連接；十字架板，位于所述蓋板下方，且能夠圍繞所述主軸旋轉，所述十字架板的每個支板具有用于連接拋光頭的孔洞；多組噴嘴組件，每組噴嘴...

一種環境維持裝置及取樣系統，環境維持裝置中的箱體包括內部空間，所述箱體的第一側壁設置有連接口用于與化學品機臺的取樣口對接，所述箱體的頂部設置有正壓送風裝置與內部空間連通并向內部空間送氣以維持正壓狀態，在所述箱體的連接口和取樣口之間設置有...