本技術關于一種中介體模塊，包括中介體；位于中介體上的半導體晶粒，其中半導體晶粒包括等電位接墊與位于等電位接墊上的鈍化層；以及，多個連接結構，連接等電位接墊至中介體，其中鈍化層位于在多個連接結構之間的等電位接墊上。通過在中介體模塊中設置鈍...

本發明提供一種制造光刻掩模的方法包括接收用于光刻工藝曝光的目標空間圖像；對目標空間圖像進行計算反向光刻變換以產生反向空間圖像；通過確定分別在不同焦距處計算的兩個或更多個反向空間圖像之間的差異來產生反向空間圖像梯度；基于反向空間圖像確定圖...

本發明提供一種半導體組件包括影像傳感器組件，其包括電容結構，該電容結構包含作為電介質材料的非晶成分，該非晶成分包括金屬氧化物混合物。非晶成分取代其他方法中使用的晶體金屬氧化物電介質層堆棧。與晶體金屬氧化物電介質層堆棧相比，非晶成分減少或...

本公開的實施例公開了一種半導體結構，包括背側金屬線以及背側接觸件結構，所述背側接觸件結構包括設置在背側金屬在線的條狀部分、從條狀部分延伸的第一通孔、從條狀部分延伸的第二通孔、以及設置在第一通孔與第二通孔之間的突起物。所述半導體結構還包括...

一種存儲器單元，包括：存儲器單元堆疊；第一字線；第二字線；位線，耦接至存儲器單元堆疊的一端；第一單向選擇器，具有與存儲器單元堆疊的另一端耦合的一端和與第二字線耦合的另一端；以及第二單向選擇器，具有與存儲器單元堆疊的另一端耦合的一端和與第...

方法包括：在第二層上方形成第一層；對第一層實施激光處理工藝，其中，激光處理工藝包括將激光束定向至第一層中，其中，激光束修改第一層；以及在對第一層實施激光處理工藝之后，對第一層實施平坦化工藝以去除第一層，其中，平坦化工藝暴露第二層。本申請...

半導體結構包括：有源區域，包括半導體鰭基底、位于半導體鰭基底上方的納米結構堆疊件以及位于半導體鰭基底上方并且連接至納米結構中的至少一個的外延部件，有源區域在第一方向上縱向延伸。半導體結構還包括：柵極結構，包裹納米結構的每個，柵極結構在垂...

本揭露中的一些實施例包括像素傳感器結構和制造方法。該像素傳感器結構包括透鏡結構、光電二極管傳感器結構，以及位于透鏡結構與光電二極管傳感器結構之間的光間隔結構。相較于包括沒有透鏡結構和光間隔結構的光電二極管傳感器結構的另一種像素傳感器結構...

本揭示內容的實施例提供半導體裝置結構。半導體裝置結構包括設置在基板上的第一與第二源極/漏極區域，以及設置在第一與第二源極/漏極區域之間的隔離區域。隔離區域包括具有傾斜部分及平坦部分的第一頂表面，且位于第一頂表面的傾斜部分與由第一頂表面的...

本技術提供一種具有應變源極和漏極結構的晶體管，適用于高壓應用。襯底上有柵極堆棧層，且柵極堆棧層具有柵極介電層以與柵極結構。柵極間隙壁存在于柵極堆棧層的側壁上。二輕摻雜漏極區從柵極堆棧層下方向柵極堆棧層的相對側延伸。多個應變源極和漏極結構...

半導體結構包含一個P型金屬氧化場效晶體管(PMOS)區；一個N型金屬氧化場效晶體管(NMOS)區；且氧化擴散層(OD)結構位于P型金屬氧化場效晶體管區及N型金屬氧化場效晶體管區，其中這些氧化擴散層結構的一者和另一者以小于20納米的距離均...

本技術提供一種電壓產生器及半導體裝置。電壓產生器包括溫度相依電壓產生器以及參考電壓節點。溫度相依電壓產生器產生隨溫度上升而增加的電壓，并包括第一晶體管堆迭以及第二晶體管堆迭。第一晶體管堆迭以及第二晶體管堆迭各自具有預定數量的晶體管。第二...

本申請的實施例公開了集成電路器件及其制造方法。集成電路器件包括第一單元，第一單元包括第一晶體管；以及第二單元，在第一單元邊界處鄰接第一單元并包括第二電路的至少部分。第一單元在第一單元邊界處包括一個或多個引腳層，一個或多個引腳層包括最高引...

本技術提供一種將單端輸入訊號轉變成差分輸出訊號的裝置。此裝置包括轉換電路、緩沖電路及路由電路。轉換電路被配置成將單端輸入訊號轉變成多個差分輸出訊號。緩沖電路被配置成對所述多個差分輸出訊號進行放大。路由電路被配置成將單端輸入訊號路由至轉換...

半導體光子裝置包含第一介電層、位于第一介電層上的多個第二介電層、位于第一介電層中的半導體光子電路。半導體光子電路包含一或多個波導結構以及與一或多個波導結構耦接的光學調變器結構。半導體光子裝置包含至少部分在第一介電層中的調變加熱器結構，其...

系統包括：臺板，配置為固定拋光墊，其中，拋光墊包括位于拋光墊的頂面中的槽和從槽延伸至拋光墊的底面的開口；固定器，配置為將工件固定在拋光墊之上；以及光學檢查器件，位于臺板內，其中，光學檢查器件配置為通過拋光墊中的開口測量工件的底面的特性。...

一種半導體裝置，包括：由基底凸出的第一鰭片和第二鰭片，在第一方向上長度延伸；于第一鰭片和第二鰭片上的第一柵極堆疊和第二柵極堆疊，在第二方向上長度延伸，第二方向垂直于第一方向；分別設置于第一柵極堆疊和第二柵極堆疊的側壁上的第一柵極間隔物層...

本技術涉及一種存儲器結構。存儲器結構包括多個存儲器單元，每個存儲器單元包括兩個主動區和四個柵極結構，主動區的長度方向沿著第一方向延伸，柵極結構的長度方向沿著第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。每個柵極結構延伸橫越主動區的多個通道區。存...

本技術提供一種半導體裝置，包括：第一源極/漏極區以及第二源極/漏極區，在基板之上；柵極結構，第一源極/漏極區以及第二源極/漏極區位于柵極結構的兩側；源極/漏極接觸件，在第一源極/漏極區上方且鄰近柵極結構；底部接觸蝕刻停止層(B?CESL...

揭示了記憶體系統、裝置及其操作方法。在一個態樣，一種系統包含一第一記憶體裝置。該第一記憶體裝置包含一第一記憶體元件、一第一輸入端口及耦接于該第一記憶體元件與該第一輸入端口之間的一第一內部掃描鏈。該系統包含一第二記憶體裝置。該第二記憶體裝...