根據(jù)本公開實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：未摻雜半導(dǎo)體部件，位于襯底中；第一底部納米結(jié)構(gòu)和第二底部納米結(jié)構(gòu)，位于襯底上方；底部外延部件，位于未摻雜半導(dǎo)體部件上方以及第一底部納米結(jié)構(gòu)和第二底部納米結(jié)構(gòu)之間；第一隔離層，位于第一底部納米結(jié)構(gòu)上方；第...

本發(fā)明的實(shí)施例提供了用于開發(fā)和優(yōu)化電子器件的電子架構(gòu)設(shè)計(jì)的方法和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。在各種實(shí)施例中，本發(fā)明的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)優(yōu)化了電子器件的一個(gè)或多個(gè)電子架構(gòu)設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)、模擬、分析和驗(yàn)證。本發(fā)明的EDA從一個(gè)或多個(gè)電子架構(gòu)設(shè)計(jì)中識(shí)別一個(gè)...

本公開提供一種電路結(jié)構(gòu)，包括第一雙極性接面晶體管(BJT)，形成在超晶格結(jié)構(gòu)上，第一雙極性接面晶體管具有第一基極、第一射極以及第一集極；以及第二雙極性接面晶體管，形成在超晶格結(jié)構(gòu)上，第二雙極性接面晶體管具有第二基極、第二射極以及第二集極...

本技術(shù)的實(shí)施例提供一種晶體管結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體裝置，晶體管結(jié)構(gòu)包括柵電極、p型氧化物半導(dǎo)體通道層以及在所述柵電極和所述p型氧化物半導(dǎo)體通道層之間的柵極介電層，其中所述p型氧化物半導(dǎo)體通道層的晶格結(jié)構(gòu)的主要晶相是由(110)晶相組成。氧化物半導(dǎo)...

一種記憶體裝置包括：一裝置層；以及在裝置層上的互連結(jié)構(gòu)，互連結(jié)構(gòu)包括電阻式隨機(jī)存取記憶體(RRAM)裝置。電阻式隨機(jī)存取記憶體裝置包括：高于裝置層的電極層；在電極層上的氧化物半導(dǎo)體層；圍繞氧化物半導(dǎo)體層的柵極結(jié)構(gòu)；在柵極結(jié)構(gòu)上的絕緣層；...

本技術(shù)提供一種半導(dǎo)體晶圓輸送系統(tǒng)。這些系統(tǒng)包括懸掛軌道、配置為沿懸掛軌道行駛的第一載具，以及配置為替換第一載具上的第一輪組件的應(yīng)急輪組件，而第一載具保留在懸掛軌道上，應(yīng)急輪組件包括配置為在第一載具的軸上自由旋轉(zhuǎn)的輪。在一些示例中，系統(tǒng)可...

本技術(shù)實(shí)施例涉及一種集成電路裝置。集成電路裝置包含：襯底，其包括半導(dǎo)體裝置；第一互連結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體裝置上方，其中所述第一互連結(jié)構(gòu)包括：多個(gè)第一通路；及第一導(dǎo)電金屬，通過所述第一通路電耦合到所述半導(dǎo)體裝置；電介質(zhì)層，其環(huán)繞所述第...

本發(fā)明提供一種制造半導(dǎo)體的裝置系統(tǒng)，包括：表示半導(dǎo)體裝置的未驗(yàn)證主體布局圖，系統(tǒng)被配置為產(chǎn)生以下內(nèi)容：特征提取模塊，配置為提取至少部分包含未驗(yàn)證主體布局圖的主體特征；以及設(shè)計(jì)規(guī)則(DR)執(zhí)行模塊，包括設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)模塊和布局圖修...

本公開涉及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法。本公開的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法。該結(jié)構(gòu)包括：第一半導(dǎo)體層；第二半導(dǎo)體層，設(shè)置在第一半導(dǎo)體層之上；柵極電介質(zhì)層，設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間；以及電介質(zhì)材料的第一區(qū)域和第二...

本申請(qǐng)涉及用于金屬柵極填料的化學(xué)鍍方法。在用于納米片F(xiàn)inFET器件的柵極替換工藝中，實(shí)施例采用電化學(xué)工藝來將金屬柵極電極沉積在柵極開口中。可以使用促進(jìn)劑和抑制劑來針對(duì)金屬柵極電極的填充材料實(shí)現(xiàn)自下而上的沉積。

可以通過以下方式提供器件結(jié)構(gòu)：在介電材料層內(nèi)形成底部電極和加熱器元件；沉積并且圖案化包括底部襯墊層、包含相變材料的相變材料層、和頂部電極材料層的連續(xù)的層堆疊件；通過沉積并且圖案化側(cè)壁襯墊材料，形成至少一個(gè)側(cè)壁襯墊。至少一個(gè)側(cè)壁襯墊形成在...

本申請(qǐng)的實(shí)施例公開了存儲(chǔ)器器件及用于形成半導(dǎo)體器件的方法。存儲(chǔ)器器件包括具有彼此相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)的襯底；第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管，形成在襯底的第一側(cè)上的第一層級(jí)處，第一至第三晶體管均形成有第一導(dǎo)電性；以及第四晶體管、第五晶...

在實(shí)施例中，方法包括：形成包括交替的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)和偽納米結(jié)構(gòu)的多層堆疊件；形成下部源極/漏極區(qū)域，其中，半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的下部半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)在下部源極/漏極區(qū)域之間延伸；在下部源極/漏極區(qū)域上方形成上部源極/漏極區(qū)域，其中，半導(dǎo)體納米結(jié)...

本公開涉及EUV光掩模及其制造方法。一種制造光掩模的方法包括在光掩模坯料上方形成邊界層。光掩模坯料包括：襯底、布置在襯底上方的反射性多層以及布置在反射性多層上方的吸收體層。去除邊界層的一部分以形成由邊界層圍繞的凹部，并且在凹部中選擇性地...

提供一種功率放大器和差動(dòng)功率放大器。上述功率放大器包括被配置為自一信號(hào)源接收一輸入信號(hào)的一輸入匹配電路。一放大器電路被連接至上述輸入匹配電路。上述放大器電路被配置為自上述輸入匹配電路接收上述輸入信號(hào)，并放大上述輸入信號(hào)以產(chǎn)生一輸出信號(hào)。...

本技術(shù)提供一種集成電路包括半導(dǎo)體襯底以及內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。內(nèi)連線結(jié)構(gòu)配置在半導(dǎo)體襯底上。內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)以及散熱結(jié)構(gòu)。散熱結(jié)構(gòu)配置在信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)上，且包括復(fù)合介電層以及第一導(dǎo)電特征。每一復(fù)合介電層包括晶種層以及配置在晶種層上的散熱層...

在實(shí)施例中，方法包括：在半導(dǎo)體襯底上方形成多層堆疊件，該多層堆疊件包括交替的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)和偽納米結(jié)構(gòu)；形成下部源極/漏極區(qū)域，其中半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的下部半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)在下部源極/漏極區(qū)域之間延伸；在下部源極/漏極區(qū)域上方形成上部源極/漏...

本技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體裝置及影像傳感器，包括設(shè)置于襯底內(nèi)的多個(gè)光探測(cè)器的半導(dǎo)體裝置，其中襯底具有與背面相對(duì)的正面。所述半導(dǎo)體裝置包括設(shè)置于襯底中的浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)，其中多個(gè)光探測(cè)器設(shè)置于浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)周圍。溝渠隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于襯底內(nèi)且側(cè)向圍繞多個(gè)...

本公開實(shí)施例提供了IC結(jié)構(gòu)及其形成方法，IC結(jié)構(gòu)包括：襯底，具有SRAM區(qū)域、邏輯區(qū)域和跨越在SRAM區(qū)域和邏輯區(qū)域之間的邊緣區(qū)域；摻雜阱，形成在襯底中，并且包括第一N阱、第二N阱和P阱；有源區(qū)域，形成在摻雜阱上并且沿第一方向縱向取向；...

本技術(shù)實(shí)施例提供一種集成晶粒。一種集成晶粒包括襯底、半導(dǎo)體波導(dǎo)層、導(dǎo)電加熱器線、第一加熱器接點(diǎn)及第二加熱器接點(diǎn)。半導(dǎo)體波導(dǎo)層位于襯底上方。半導(dǎo)體波導(dǎo)層的基部部分延伸橫跨于襯底上方。半導(dǎo)體波導(dǎo)層的脊部部分向上突出于基部部分。導(dǎo)電加熱器線間...