提供了半導體器件及其形成方法。示例性方法包括：在襯底上方形成鰭，鰭的第一部分包括與多個第一犧牲層交錯的多個第一溝道層，并且鰭的第二部分包括與多個第二犧牲層交錯的多個第二溝道層；形成延伸穿過鰭的溝槽；以不同的蝕刻速率使多個第一犧牲層和多個...

提供半導體結構。半導體結構包括邏輯裝置、連接至邏輯裝置的第一接點、在邏輯裝置上且連接至邏輯裝置的第一電源軌以及在該邏輯裝置上的第二電源軌。具有包括銦、鎵、鋅與氧的通道區的晶體管在第二電源軌上且連接至第二電源軌。

本發明提供一種制造共同封裝光學器件的方法包括將至少一個再分布中介層襯底接合到封裝襯底上，將封裝組件和內存組件接合到再分布中介層襯底的上表面；以及將光子芯片接合到再分布中介層襯底的上表面。

提供一種方法，包括提供具有用于n型場效晶體管(nFETs)的N型區和用于p型場效晶體管(pFETs)的P型區的基板；在N型區和P型區形成柵極介電層以包繞垂直堆疊的通道；將柵極介電層于N型區的第一部分進行偶極處理，而柵極介電層于P型區的第...

本揭露的各個實施例涉及一種半導體裝置，所述半導體裝置包括裝置基板，裝置基板具有與背側表面相對的前側表面。上電介質層設置在背側表面上方。基板通孔(TSV)從上電介質層延伸穿過裝置基板。虛設通孔從TSV橫向偏移。虛設通孔的頂表面和TSV的頂...

本揭示文件提供一種記憶體電路、電壓提供電路及其操作方法。記憶體電路包含記憶體陣列及電壓提供電路。記憶體陣列包含多個記憶體單元。電壓提供電路用以為多個記憶體單元中的一或多者提供操作電壓，該操作電壓自第一電壓域移位至第二電壓域。電壓提供電路...

本揭示內容的實施方式關于一種具有較低的多個源極/漏極區的半導體裝置，以減少通道電阻(channel?resistance,Rch)以及源極/漏極接觸電阻負載。半導體裝置包括半導體基板、半導體通道、磊晶源極/漏極區及埋入磊晶層。半導體通道...

本技術的各種實施例涉及一種畫素矩陣，所述畫素矩陣包括：包括第一側及與第一側相對的第二側的襯底；位于襯底中的多個光偵測器，多個光偵測器圍繞多個光偵測器之間的中軸對稱設置，其中中軸垂直于第一側及第二側；位于多個光偵測器之間的中軸處且位于襯底...

一種記憶體裝置及其操作方法。記憶體裝置包含記憶體陣列、多個感測放大器、多個追蹤電路及追蹤電路啟動器。記憶體陣列包含儲存數據的多個位元單元、各自連接至對應行中的多個位元單元的多個字線及各自連接至對應列中的多個位元單元的多個位元線對。多個感...

本發明實施例提供一種封裝件及其制造方法。該封裝件包括半導體管芯、絕緣層包封體以及重布線結構。重布線路結構包括介電層和嵌入介電層中的堆疊的通孔結構。堆疊的通孔結構包括第一通孔插塞、包括多個第一摻質的第一擴散層、第二通孔插塞和包括多個第二摻...

一種具有權重更新電路的記憶體內計算的裝置及方法。裝置包括用于儲存多個權重集合的記憶體陣列及用于讀取多個權重集合的讀取電路。第一權重緩沖器用于儲存多個權重集合中的第一權重集合，寫入驅動器電路用于在單個寫入時脈周期期間將第一權重集合寫入至第...

提供了半導體器件及其形成方法。半導體器件可以包括第一介電層、位于第一介電層中的第一源極/漏極區域、位于第一源極/漏極區域的側壁上的第一納米結構、位于第一納米結構周圍的第一柵極結構、電連接至第一源極/漏極區域的第一導電接觸件以及位于第一導...

本申請的實施例涉及集成電路及其形成方法。集成電路包括：包括時鐘電路的第一組晶體管的第一單元區和沿第一邊界與第一單元區相鄰的第二單元區。第二單元區包括從襯底的前側延伸到背側的饋穿通孔，并且被配置為將前側和背側上的元件電耦接在一起。饋穿通孔...

本申請的實施例公開了具有時鐘信號發生器的器件和對輸入信號進行采樣的方法。該器件包括第一時鐘信號發生器、第二時鐘信號發生器，輸入信號產生電路和輸入信號采樣電路。第一時鐘信號發生器產生第一時鐘信號。第二時鐘信號發生器產生相對于第一時鐘信號延...

本發明提供一種掩膜、制造掩膜的方法以及制造半導體裝置的方法。掩膜包括反射多層疊層、在反射多層疊層之上的蓋層、在蓋層之上的吸收層，以及以下的至少一者：在反射多層疊層與蓋層之間的緩沖層，和在蓋層與吸收層之間的保護層。制造掩膜的方法包括形成反...

本申請的實施例涉及存儲器電路及其操作方法。存儲器電路包括存儲器陣列，該存儲器陣列包括第一存儲器單元和第二存儲器單元，每個第一存儲器單元被配置為儲存數據位，每個第二存儲器單元的子集被配置為儲存修復位，修復位指示相應的第一存儲器單元的位置和...

通過以下方式在互補FET(CFET)器件中形成源極/漏極(S/D)接觸插塞：形成S/D開口，該S/D開口延伸穿過上部S/D區、穿過介于上部S/D區和下部S/D區之間的介電插塞、并且至下部S/D區中，然后利用導電材料填充S/D開口。介電插...

一種半導體裝置及記憶體裝置，半導體裝置包括：基板，且基板具有形成于基板上的邏輯裝置；多個金屬布線層，設置于基板上方，且金屬布線層通過金屬布線連接至邏輯裝置；以及多個多次可編程非揮發性記憶體單元，形成于金屬布線層之間，且多次可編程非揮發性...

本申請的實施例公開了布線互連結構的跡線的方法、處理器件及計算機可讀介質。布線互連結構的跡線的實施例方法包括：導出互連結構的第一區域中的第一多個布線節點的第一容量信息，并基于第一容量信息生成連接第一多個布線節點的第一多個預測跡線。布線互連...

一種用于電路探針測試系統的探針卡。探針卡包括基板部分和探針頭，探針頭包括導引板和導電跡線，導引板位于基板部分下方并具有穿過導引板的多個開口，導電跡線位于導引板上并在一對開口之間延伸。多個探針引腳延伸穿過導引板中的開口，其中一對探針引腳通...