本技術提供一種系統整合集成電路結構，其包括第一半導體晶粒、第二半導體晶粒、虛設晶粒以及間隙填充層。第二半導體晶粒配置于第一半導體晶粒之上，且與第一半導體晶粒電性連接。虛設晶粒配置于第一半導體晶粒，以側向地圍繞第二半導體晶粒。間隙填充層配...

本公開提供一種光學引擎及制造光學引擎的方法。在實施例中，光學引擎包括硅襯底及安裝在硅襯底上的光子元件。光子元件包括邊緣耦合器及配置為與一個或多個外部光學元件介接的耦合界面。邊緣耦合器包括在耦合界面處的光子元件邊緣。硅襯底包括在耦合界面處...

本公開涉及半導體器件及其制造方法。半導體器件包括襯底、柵極電介質、隔離結構和柵極電極。柵極電介質設置在襯底上。隔離結構在襯底內。柵極電介質包括與隔離結構鄰接的漸縮部分。柵極電極設置在柵極電介質和隔離結構上。柵極電介質的漸縮部分被柵極電極...

方法包括：形成下部源極/漏極區域；形成第一接觸蝕刻停止層并且在第一接觸蝕刻停止層上方形成第一層間電介質；在第一層間電介質上方形成上部源極/漏極區域；以及形成第二接觸蝕刻停止層并且在第二接觸蝕刻停止層上方形成第二層間電介質。上部源極/漏極...

提供了用于形成半導體結構的方法。該方法包括：在垂直方向上在襯底上交替堆疊溝道層和犧牲層以形成半導體堆疊件，圖案化半導體堆疊件以形成從襯底突出的鰭形結構，在鰭形結構中形成源極/漏極溝槽，使鰭形結構中的犧牲層橫向凹進以形成第一凹槽，以及擴大...

本技術的實施例提供一種深溝渠隔離結構包括延伸到襯底中的深溝渠隔離核心、環繞所述深溝渠隔離核心的第一膜、位于所述第一膜與所述深溝渠隔離核心之間的第二膜以及位于所述第二膜與所述深溝渠隔離核心之間的第三膜，所述第一膜具有處于第一帶能量的第一導...

方法包括：形成源極/漏極區域；在源極/漏極區域上方形成接觸蝕刻停止層；在接觸蝕刻停止層上方形成層間電介質；以及實施蝕刻工藝以在層間電介質和接觸蝕刻停止層中形成接觸開口。源極/漏極區域暴露于接觸開口。實施硅化物形成工藝以在源極/漏極區域的...

在其中將形成源極/漏極接觸件的凹槽的形成之前，在半導體器件的晶體管(例如，納米結構晶體管和/或另一類型的晶體管)的源極/漏極區域上形成金屬硅化物層。這使得源極/漏極區域的表面上的金屬硅化物層的覆蓋能夠獨立于源極/漏極接觸件的覆蓋(其由其...

提供了半導體器件及其形成方法。示例性方法包括：在襯底上方形成鰭，鰭的第一部分包括與多個第一犧牲層交錯的多個第一溝道層，并且鰭的第二部分包括與多個第二犧牲層交錯的多個第二溝道層；形成延伸穿過鰭的溝槽；以不同的蝕刻速率使多個第一犧牲層和多個...

提供半導體結構。半導體結構包括邏輯裝置、連接至邏輯裝置的第一接點、在邏輯裝置上且連接至邏輯裝置的第一電源軌以及在該邏輯裝置上的第二電源軌。具有包括銦、鎵、鋅與氧的通道區的晶體管在第二電源軌上且連接至第二電源軌。

本發明提供一種制造共同封裝光學器件的方法包括將至少一個再分布中介層襯底接合到封裝襯底上，將封裝組件和內存組件接合到再分布中介層襯底的上表面；以及將光子芯片接合到再分布中介層襯底的上表面。

提供一種方法，包括提供具有用于n型場效晶體管(nFETs)的N型區和用于p型場效晶體管(pFETs)的P型區的基板；在N型區和P型區形成柵極介電層以包繞垂直堆疊的通道；將柵極介電層于N型區的第一部分進行偶極處理，而柵極介電層于P型區的第...

本揭露的各個實施例涉及一種半導體裝置，所述半導體裝置包括裝置基板，裝置基板具有與背側表面相對的前側表面。上電介質層設置在背側表面上方。基板通孔(TSV)從上電介質層延伸穿過裝置基板。虛設通孔從TSV橫向偏移。虛設通孔的頂表面和TSV的頂...

本揭示文件提供一種記憶體電路、電壓提供電路及其操作方法。記憶體電路包含記憶體陣列及電壓提供電路。記憶體陣列包含多個記憶體單元。電壓提供電路用以為多個記憶體單元中的一或多者提供操作電壓，該操作電壓自第一電壓域移位至第二電壓域。電壓提供電路...

本揭示內容的實施方式關于一種具有較低的多個源極/漏極區的半導體裝置，以減少通道電阻(channel?resistance,Rch)以及源極/漏極接觸電阻負載。半導體裝置包括半導體基板、半導體通道、磊晶源極/漏極區及埋入磊晶層。半導體通道...

本技術的各種實施例涉及一種畫素矩陣，所述畫素矩陣包括：包括第一側及與第一側相對的第二側的襯底；位于襯底中的多個光偵測器，多個光偵測器圍繞多個光偵測器之間的中軸對稱設置，其中中軸垂直于第一側及第二側；位于多個光偵測器之間的中軸處且位于襯底...

一種記憶體裝置及其操作方法。記憶體裝置包含記憶體陣列、多個感測放大器、多個追蹤電路及追蹤電路啟動器。記憶體陣列包含儲存數據的多個位元單元、各自連接至對應行中的多個位元單元的多個字線及各自連接至對應列中的多個位元單元的多個位元線對。多個感...

本發明實施例提供一種封裝件及其制造方法。該封裝件包括半導體管芯、絕緣層包封體以及重布線結構。重布線路結構包括介電層和嵌入介電層中的堆疊的通孔結構。堆疊的通孔結構包括第一通孔插塞、包括多個第一摻質的第一擴散層、第二通孔插塞和包括多個第二摻...

一種具有權重更新電路的記憶體內計算的裝置及方法。裝置包括用于儲存多個權重集合的記憶體陣列及用于讀取多個權重集合的讀取電路。第一權重緩沖器用于儲存多個權重集合中的第一權重集合，寫入驅動器電路用于在單個寫入時脈周期期間將第一權重集合寫入至第...

提供了半導體器件及其形成方法。半導體器件可以包括第一介電層、位于第一介電層中的第一源極/漏極區域、位于第一源極/漏極區域的側壁上的第一納米結構、位于第一納米結構周圍的第一柵極結構、電連接至第一源極/漏極區域的第一導電接觸件以及位于第一導...