半導體結(jié)構(gòu)包括：襯底；介電結(jié)構(gòu)，包括多個介電層；環(huán)結(jié)構(gòu)，設置在襯底和介電結(jié)構(gòu)中；以及通孔結(jié)構(gòu)，沿垂直方向縱向延伸并且位于由環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞的區(qū)域中。多個介電層包括設置在襯底的前側(cè)上的多個前側(cè)介電層和設置在襯底的背側(cè)上的多個背側(cè)介電層。環(huán)結(jié)構(gòu)包...

揭露一種包括薄膜電阻器的半導體裝置及其制造方法。該方法包括在第一金屬化層內(nèi)形成包括具有不同硅鉻成分的子層的硅鉻基薄膜電阻器，在硅鉻基薄膜電阻器的端部和接觸結(jié)構(gòu)上形成接觸區(qū)。該方法還包括在第一金屬化層上形成包括與接觸結(jié)構(gòu)接觸的其他接觸結(jié)構(gòu)...

本公開涉及半導體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法。本公開的實施例提供一種半導體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法。該結(jié)構(gòu)包括：柵極電極層，設置在半導體層之上；源極/漏極區(qū)域，鄰近半導體層設置；層間電介質(zhì)(ILD)層，設置在源極/漏極區(qū)域之上；導電特征，設置在源極...

可以通過以下步驟提供相變存儲器器件：形成底部電極、介電材料層和延伸穿過介電材料層的通孔開口，以使得底部電極的頂表面段暴露在通孔開口下面；在通孔開口的外圍區(qū)域中形成管狀介電間隔件；在介電材料層和管狀介電間隔件上方沉積連續(xù)層堆疊件，該連續(xù)層...

提供了半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法。半導體結(jié)構(gòu)包括襯底以及第一溝道層和第二溝道層。半導體結(jié)構(gòu)還包括位于襯底上方的隔離結(jié)構(gòu)以及位于第一溝道層和隔離結(jié)構(gòu)上方的第一柵極結(jié)構(gòu)。半導體結(jié)構(gòu)還包括位于第二溝道層和隔離結(jié)構(gòu)上方的第二柵極結(jié)構(gòu)以及橫向夾置在第...

一種像素感測器陣列及影像感測器裝置，通過在像素感測器陣列中包括自動聚焦像素感測器與成像像素感測器，自動聚焦功能性整合至影像感測器裝置的像素感測器陣列中。金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括于像素感測器陣列中的自動聚焦像素感測器及成像像素感測器周圍。金屬網(wǎng)格...

提供了半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法。半導體結(jié)構(gòu)包括沿第一方向形成在襯底上方的多個第一納米結(jié)構(gòu)以及與第一納米結(jié)構(gòu)相鄰形成的多個第二納米結(jié)構(gòu)。半導體結(jié)構(gòu)包括沿第二方向形成在第一納米結(jié)構(gòu)上的第一柵極結(jié)構(gòu)，并且第一柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵極介電層。半導體結(jié)...

公開了半導體結(jié)構(gòu)和制造結(jié)構(gòu)的方法。方法包括：在襯底上的基底結(jié)構(gòu)上形成具有納米結(jié)構(gòu)層和犧牲納米結(jié)構(gòu)層的超晶格結(jié)構(gòu)；在超晶格結(jié)構(gòu)上形成多晶硅結(jié)構(gòu)；以及在超晶格結(jié)構(gòu)中形成S/D區(qū)域。S/D區(qū)域的S/D部分在納米結(jié)構(gòu)層之上延伸。方法還包括：修改...

一種量子點元件包含基板。一柵極介電層位于基板上方。一第一柱塞柵極結(jié)構(gòu)和一第二柱塞柵極結(jié)構(gòu)位于柵極介電層上方，其中在一上視圖中，第一柱塞柵極結(jié)構(gòu)和第二柱塞柵極結(jié)構(gòu)以同心圓的形式排列，且其中第一柱塞柵極結(jié)構(gòu)和第二柱塞柵極結(jié)構(gòu)的每一者包含一環(huán)...

一種記憶體電路及記憶體裝置。記憶體電路包含記憶體陣列，其包括第一部分及第二部分。該第一部分包括多個第一記憶體單元，而該第二部分包括多個第二記憶體單元。該記憶體電路包含沿著第一橫向方向?qū)嶓w設置于該記憶體陣列旁邊的輸入/輸出(I/O)電路，...

本申請的實施例公開了存儲器電路及其操作方法。存儲器電路包括存儲器陣列和驅(qū)動器電路，存儲器陣列包括耦合到字線的存儲器單元，驅(qū)動器電路通過字線耦合到存儲器單元。驅(qū)動器電路包括耦合在字線和在第一、第二和第三電源電壓中選擇的可切換電壓之間的p型...

方法包括：圖案化穿過第一介電層的第一開口以暴露第一源極/漏極區(qū)域；在第一源極/漏極區(qū)域上形成第一硅化物區(qū)域；沿第一開口的表面沉積第一多種多環(huán)芳烴；實施退火工藝以將第一多種多環(huán)芳烴轉(zhuǎn)化為第一石墨烯層；以及用第一金屬材料填充第一開口的剩余部...

本技術(shù)提供一種系統(tǒng)整合集成電路結(jié)構(gòu)，其包括第一半導體晶粒、第二半導體晶粒、虛設晶粒以及間隙填充層。第二半導體晶粒配置于第一半導體晶粒之上，且與第一半導體晶粒電性連接。虛設晶粒配置于第一半導體晶粒，以側(cè)向地圍繞第二半導體晶粒。間隙填充層配...

本公開提供一種光學引擎及制造光學引擎的方法。在實施例中，光學引擎包括硅襯底及安裝在硅襯底上的光子元件。光子元件包括邊緣耦合器及配置為與一個或多個外部光學元件介接的耦合界面。邊緣耦合器包括在耦合界面處的光子元件邊緣。硅襯底包括在耦合界面處...

本公開涉及半導體器件及其制造方法。半導體器件包括襯底、柵極電介質(zhì)、隔離結(jié)構(gòu)和柵極電極。柵極電介質(zhì)設置在襯底上。隔離結(jié)構(gòu)在襯底內(nèi)。柵極電介質(zhì)包括與隔離結(jié)構(gòu)鄰接的漸縮部分。柵極電極設置在柵極電介質(zhì)和隔離結(jié)構(gòu)上。柵極電介質(zhì)的漸縮部分被柵極電極...

方法包括：形成下部源極/漏極區(qū)域；形成第一接觸蝕刻停止層并且在第一接觸蝕刻停止層上方形成第一層間電介質(zhì)；在第一層間電介質(zhì)上方形成上部源極/漏極區(qū)域；以及形成第二接觸蝕刻停止層并且在第二接觸蝕刻停止層上方形成第二層間電介質(zhì)。上部源極/漏極...

提供了用于形成半導體結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括：在垂直方向上在襯底上交替堆疊溝道層和犧牲層以形成半導體堆疊件，圖案化半導體堆疊件以形成從襯底突出的鰭形結(jié)構(gòu)，在鰭形結(jié)構(gòu)中形成源極/漏極溝槽，使鰭形結(jié)構(gòu)中的犧牲層橫向凹進以形成第一凹槽，以及擴大...

本技術(shù)的實施例提供一種深溝渠隔離結(jié)構(gòu)包括延伸到襯底中的深溝渠隔離核心、環(huán)繞所述深溝渠隔離核心的第一膜、位于所述第一膜與所述深溝渠隔離核心之間的第二膜以及位于所述第二膜與所述深溝渠隔離核心之間的第三膜，所述第一膜具有處于第一帶能量的第一導...

方法包括：形成源極/漏極區(qū)域；在源極/漏極區(qū)域上方形成接觸蝕刻停止層；在接觸蝕刻停止層上方形成層間電介質(zhì)；以及實施蝕刻工藝以在層間電介質(zhì)和接觸蝕刻停止層中形成接觸開口。源極/漏極區(qū)域暴露于接觸開口。實施硅化物形成工藝以在源極/漏極區(qū)域的...

在其中將形成源極/漏極接觸件的凹槽的形成之前，在半導體器件的晶體管(例如，納米結(jié)構(gòu)晶體管和/或另一類型的晶體管)的源極/漏極區(qū)域上形成金屬硅化物層。這使得源極/漏極區(qū)域的表面上的金屬硅化物層的覆蓋能夠獨立于源極/漏極接觸件的覆蓋(其由其...