本申請涉及深度學習技術領域，公開了一種半導體工藝參數(shù)優(yōu)化模型訓練方法、裝置和計算機設備，其中，采集結構化樣本數(shù)據(jù)，每一結構化樣本數(shù)據(jù)中包含生產(chǎn)半導體器件時記錄的工藝參數(shù)，以及對基于工藝參數(shù)生產(chǎn)的半導體器件測量得到的真實性能指標；利用結構...

本申請實施例提供一種ESD防護結構及其形成方法、半導體器件，所述形成方法，包括：提供基底；在基底上形成漂移區(qū)；在漂移區(qū)內形成隔離的第一摻雜層和第二摻雜層；形成位于漂移區(qū)內第一體區(qū)和第二體區(qū)；在第一體區(qū)內形成相互隔離的第三摻雜層、第四摻雜...

本申請?zhí)峁┝艘环N邊緣環(huán)平整度檢測裝置，應用于氣相沉積腔室，所述氣相沉積腔室包括基座和位于所述基座邊緣的邊緣環(huán)，所述基座內設置有加熱器，用于對所述基座進行加熱，所述邊緣環(huán)平整度檢測裝置包括：檢測主體，和環(huán)繞所述檢測主體邊緣的接觸指示結構；...

本發(fā)明提供一種電熔絲燒調良率測試結構及方法，通過采用多個電熔絲結構單元相互并聯(lián)的設計，并將所有電熔絲結構單元電連接于第一測試鍵與第二測試鍵之間，同時在檢測過程中采用統(tǒng)一的燒調條件對所有電熔絲結構單元進行燒調，并在第一測試鍵上施加電壓以量...

本發(fā)明提供一種測試連接路徑選取方法、裝置及終端，選取方法包括：獲取連接路徑數(shù)據(jù)，并將所述連接路徑數(shù)據(jù)構建成圖模型；其中，所述圖模型中的節(jié)點表示測試器件的引腳和測試端口；所述圖模型中的邊表示所述引腳與所述測試端口之間的潛在連接路徑；所述邊...

本公開提供一種用于廢水處理系統(tǒng)的控制裝置及廢水處理系統(tǒng)，廢水處理系統(tǒng)包括液體傳輸裝置和氣體傳輸裝置，液體傳輸裝置包括液體傳輸管路，氣體傳輸裝置與液體傳輸裝置連接；控制裝置包括：第一檢測電路，與液體傳輸管路耦接，配置為向液體傳輸管路內部發(fā)...

本技術提供一種噴膠設備及噴膠系統(tǒng)，其中，噴膠設備包括：第一供應裝置，所述第一供應裝置用于提供第一光刻膠；第二供應裝置，所述第二供應裝置用于提供第二光刻膠，所述第一供應裝置和所述第二供應裝置相互獨立供膠，且所述第二光刻膠的供應量，小于所述...

本發(fā)明提供一種電容結構及其形成方法，所述方法包括：形成第一金屬極板；在所述第一金屬極板上形成第一氮化鈦層，所述第一氮化鈦層的熱膨脹系數(shù)小于所述第一金屬極板的熱膨脹系數(shù)；在所述第一氮化鈦層上形成介質疊層，所述介質疊層中所有層均為含氮材料層...

一種CMP機臺，包括：臺面；置于所述臺面上的機臺主體和機臺罩、以及置于所述機臺罩內側的若干噴頭，所述機臺罩圍設在所述機臺主體周圍，所述機臺罩具有機臺門，所述機臺門可繞其門軸向外打開，若干所述噴頭用于向所述機臺門噴水形成水簾；置于所述機臺...

一種晶圓傳送裝置，包括：傳送部件，用于傳送晶圓；光學發(fā)射器，用于發(fā)射檢測光線，檢測光線照射至晶圓的表面并反射；光學接收器，光學發(fā)射器和光學接收器設置固定在相同高度，用于接收檢測光線；控制器，用于在光學接收器接收到檢測光線后，控制傳送部件...

本申請?zhí)峁┮环N能量回收系統(tǒng)，包括：冷卻塔；熱回收冷機，包括第一熱媒管和第二熱媒管；冷卻空調，所述冷卻空調包括加熱單元；第一連接管路組，包括第一管路和第二管路，所述第一管路連接所述第一熱媒管的一端和所述冷卻塔的入口，所述第二管路連接所述第...

本申請實施例提供了一種晶圓清洗裝置及半導體制造設備，所述晶圓清洗裝置包括：供液端，所述供液端包括供給氧化處理水的第一供液端，以及供給純水的第二供液端；輸液管道，所述輸液管道包括連接第一供液端且用于輸送氧化處理水的第一輸液管道，以及連接第...

一種調節(jié)機臺長膜平坦度裝置，包括：反應腔體；噴淋頭，用于向反應腔體內通入工藝氣體；加熱盤，用于承載并加熱放入反應腔體內的晶圓；調節(jié)桿，調節(jié)桿沿第一方向延伸，調節(jié)桿一端與加熱盤固定連接，調節(jié)桿的另一端貫穿反應腔體的側壁并延伸至反應腔體的外...

本技術提供一種靶材的定位工具及靶材安裝系統(tǒng)，其中靶材的定位工具，包括工具本體，所述工具本體至少包括第一端部和第二端部，所述第一端部的外壁具有與靶材安裝螺絲相同的螺紋形狀，第二端部能夠與安裝孔緊密配合，以實現(xiàn)定位；通過設計專門的定位工具，...

一種反應腔以及半導體加工設備，其中反應腔包括：基座；邊緣環(huán)，邊緣環(huán)內具有連接孔，且邊緣環(huán)安裝于基座的表面；中環(huán)，中環(huán)內具有第一連接通孔，且中環(huán)安裝于邊緣環(huán)與基座之間；保護環(huán)，保護環(huán)內具有第二連接通孔，且保護環(huán)安裝于連接孔的側壁表面；連接...

本發(fā)明的一種光電二極管結構及其制備方法、CMOS圖像傳感器，通過在光電二極管結構中構建鈣鈦礦/硅異質結，利用鈣鈦礦在紫外?可見光區(qū)的高吸收系數(shù)以及硅在近紅外區(qū)的光吸收優(yōu)勢，顯著提升了光譜響應范圍，且當光子照射在硅和鈣鈦礦吸光層上激發(fā)產(chǎn)生...

本申請?zhí)峁┮环N半導體處理設備，包括：支架；以及多個頂針組件，多個所述頂針組件圍繞所述支架的中心軸間隔分布；其中，所述頂針組件包括：支撐座，與所述支架固定；頂針，位于所述支撐座的上方；壓力傳感器，位于所述頂針和所述支撐座之間且與所述頂針和...

本發(fā)明提供一種半導體后段互連結構、半導體結構及其制備方法，在制備后層金屬互連層及相應的金屬互連孔的過程中，通過將介質層分為三層，第一介質層、第二介質層及第三介質層，將第二介質層設置為所需形成的互連凹槽的刻蝕停止層，且設置第二介質層的抗刻...

一種液體過濾裝置，包括：用于容納液體的腔室；過濾單元，固設于所述腔室內，用于對位于所述腔室內的液體進行過濾；震動單元，與所述腔室耦接，用于帶動所述腔室震動，以使混合在所述液體中的氣泡逃逸出所述液體。采用上述技術方案，有利于提高液體過濾效果。

本發(fā)明提供一種半導體金屬互連結構、半導體結構及其制備方法，將鈷金屬、釕金屬及鉬金屬應用至半導體結構后段工藝的金屬互連結構中，通過在金屬互連層中將線寬不大于（即小于等于）17nm的金屬互連線的主體導電層設置為鈷金屬互連層或釕金屬互連層或鉬...